logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά
Αποτέλεσμα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. sic substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Η αναζήτησή σου

  [sic substrate ]

  Συμφωνία  

160

  ΠΡΟΪΟΝΤΑ

SiC Square Beams Industrial Kiln Load-Bearing Component​​

Πάρτε την καλύτερη τιμή

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

Πάρτε την καλύτερη τιμή
3 4 5 6 7 8 9 10
3 4 5 6 7 8 9 10
Καλή τιμή ​​Υποστρώματα γυαλιού σόδας-ασβέστη και πυριτικού γυαλιού, προσαρμοσμένα μεγέθη / σχήματα​​ Διαδικτυακά
Αποτελέσματα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. sic substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Η αναζήτησή σου  [ sic substrate ]  Συμφωνία 120 ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου 4'' Sic 3C-N Διαμέτρου 100 mm Ηλεκτρικό αγωγό τύπου μηδέν MPD Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες Διαμέτρου 50,8 mm 4H-N τύπου SiC Επιταξιακή πλάκα για αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4 ίντσες Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P τύπου πάχος 350μm μηδενικό / πρώτος βαθμός Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα 4H-N Διαμέτρου 100 mm Δυνατότητα 350 μm Prime Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ιντσών 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer Για Φωτοβολταϊκή Δάχος 350μm Διαμέτρηση 50,8mm Μηδενική βαθμίδα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4 ιντσών Silicon Carbide Sic σφαιρίδιο τύπου 4H-P Διαμέτρου 100 mm Δυνατότητα 350 μm Πρωταρχική βαθμίδα Ερευνητική βαθμίδα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

5*5mm/10*10mm Σιλικόνιοκαρβιδίου πάχος κυλίνδρων 350μm Sic 3C-N τύπου υψηλής μηχανικής αντοχής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

SiC Σπόρος Wafer 4H N Type Dia 153 155 2inch-12inch Προσαρμοσμένο για την κατασκευή MOSFETs

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2" InSb-Te EPI Υποστρώματα Στενής ζώνης Ημιαγωγούς Υποστρώματα Hall Components

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ιντσών SIC Silicon Carbide Wafer Τύπος 4H-N Για συσκευή MOS διάμετρος 0,4mm

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό

Πάρτε την καλύτερη τιμή

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών πάχος επιταξίας 2,5-120 μm για ηλεκτρονική ενέργεια

Πάρτε την καλύτερη τιμή
3 4 5 6 7 8 9 10