2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο

Όλα τα Προϊόντα

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου (35)

Γκοφρέτα σαπφείρου (88)

Υπόστρωμα SIC (132)

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου (77)

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος (22)

Συνθετική ράβδος σαπφείρου (13)

Λιωμένο πιάτο χαλαζία (40)

Μέρη σαπφείρου (114)

Συνθετικός πολύτιμος λίθος (72)

Εξοπλισμός ημιαγωγών (55)

LiNbO3 γκοφρέτα (18)

GaAs γκοφρέτα (24)

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου (34)

κεραμικό υπόστρωμα (25)

Περιτύλιγμα εργαστηρίων (31)

Είμαι Online Chat Now

2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο

Μεγάλες Εικόνας : 2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	Κίνα
Μάρκα:	ZMSH
Πιστοποίηση:	rohs
Αριθμό μοντέλου:	3C-N SiC

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	10 εκατοστά
Τιμή:	by case
Συσκευασία λεπτομέρειες:	Προσαρμοσμένο πλαστικό κουτί
Χρόνος παράδοσης:	σε 30days
Όροι πληρωμής:	Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς:	1000pc/month

Επικοινωνία

Λεπτομερής Περιγραφή Προϊόντος

Μέγεθος:	2 ιντσών	Διορθωτική σταθερά:	9.7
Σκληρότητα επιφάνειας:	HV0.3>2500	Σφιχτότητα:	3.21 G/cm3
Συντελεστής θερμικής διαστολής:	4.5 Χ 10-6/K	Δυνατότητα τράβηξης:	>400MPa
Δυναμική τάση:	5,5 MV/cm	Εφαρμογές:	Ηλεκτρονική ισχύος, αισθητήρας
Επισημαίνω:	50.8mm Sic Silicon Carbide υποστρώμα , Ερευνητικό βαθμό Sic Silicon Carbide υποστρώμα

Περιγραφή του προϊόντος:

2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο

Το 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) είναι ένα υλικό ημιαγωγών ευρείας ζώνης με καλές ηλεκτρικές και θερμικές ιδιότητες, ειδικά κατάλληλο για υψηλής συχνότητας,εφαρμογές υψηλής ισχύος και ηλεκτρονικών συσκευώνΤο ντόπινγκ τύπου N επιτυγχάνεται συνήθως με την εισαγωγή στοιχείων όπως το άζωτο (N) και ο φωσφόρος (P), το οποίο καθιστά το υλικό ηλεκτροαρνητικό και κατάλληλο για διάφορα σχέδια ηλεκτρονικών συσκευών.Το κενό είναι περίπου 3Η ντόπινγκ τύπου N διατηρεί ακόμα υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων, γεγονός που ενισχύει τις επιδόσεις της συσκευής.Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα συμβάλλει στη βελτίωση της ικανότητας διάλυσης της θερμότητας των συσκευών ισχύοςΈχει καλή μηχανική αντοχή και είναι κατάλληλο για χρήση σε σκληρά περιβάλλοντα. Έχει καλή αντοχή σε ένα ευρύ φάσμα χημικών ουσιών και είναι κατάλληλο για βιομηχανικές εφαρμογές.χρησιμοποιείται σε μετατροπείς ισχύος υψηλής απόδοσης και κινητήρες, κατάλληλο για ηλεκτρικά οχήματα και συστήματα ανανεώσιμης ενέργειας.

Χαρακτηριστικά:

· Ευρύ εύρος ζώνης: εύρος ζώνης περίπου 3,0 eV για εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής τάσης.

· Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων: Η ντόπινγκ τύπου N παρέχει καλή κινητικότητα ηλεκτρονίων και βελτιώνει τη συνολική απόδοση της συσκευής.

· Εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα: Έχει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και βελτιώνει αποτελεσματικά τις επιδόσεις διάσπασης θερμότητας, κατάλληλη για εφαρμογές υψηλής ισχύος.

· Καλή μηχανική αντοχή: Έχει υψηλή αντοχή και αντοχή στην συμπίεση και είναι κατάλληλη για χρήση σε σκληρά περιβάλλοντα.

· Χημική αντοχή: Καλή αντοχή σε ένα ευρύ φάσμα χημικών ουσιών, ενισχύοντας την σταθερότητα του υλικού.

· Ρυθμιζόμενα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά: Με την προσαρμογή της συγκέντρωσης ντόπινγκ, μπορούν να επιτευχθούν διαφορετικές ηλεκτρικές ιδιότητες για να ικανοποιηθούν οι ανάγκες μιας ποικιλίας εφαρμογών.

Τεχνικές παραμέτρους:

2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο 2

Εφαρμογές:

1Ηλεκτρονική ισχύος: για μετατροπείς ισχύος υψηλής απόδοσης, μετατροπείς και κινητήρες, που χρησιμοποιούνται ευρέως σε ηλεκτρικά οχήματα και συστήματα ανανεώσιμης ενέργειας.

2Εργαλεία ραδιοσυχνοτήτων και μικροκυμάτων: ενισχυτές ραδιοσυχνοτήτων, εξοπλισμός μικροκυμάτων, ειδικά κατάλληλοι για συστήματα επικοινωνίας και ραντάρ.

3Οπτοηλεκτρονικά: Μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως δομικό στοιχείο για LED και ανιχνευτές φωτός, ειδικά σε εφαρμογές μπλε και υπεριώδους.

4Αισθητήρες: Εφαρμόζονται σε ένα ευρύ φάσμα αισθητήρων σε περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής ισχύος, παρέχοντας αξιόπιστη απόδοση.

5Ασύρματη φόρτιση και διαχείριση μπαταρίας: Χρησιμοποιείται σε συστήματα ασύρματης φόρτισης και συσκευές διαχείρισης μπαταρίας για τη βελτίωση της απόδοσης και της απόδοσης.

6Βιομηχανικός ηλεκτρικός εξοπλισμός: Χρησιμοποιείται σε βιομηχανικά συστήματα αυτοματισμού και ελέγχου για τη βελτίωση της ενεργειακής απόδοσης και της σταθερότητας του συστήματος.

Προσαρμογή:

Το υπόστρωμα SiC είναι διαθέσιμο σε τύπο 3C-N και είναι πιστοποιημένο RoHS. Η ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας είναι 10pc και η τιμή είναι κατά περίπτωση.Ο χρόνος παράδοσης είναι εντός 30 ημερών και αποδεχόμαστε τους όρους πληρωμής T / TΗ ικανότητα προμήθειας μας είναι 1000pc/μηνα. Το μέγεθος του υπόστρωμα SiC είναι 2 ίντσες.

Οι υπηρεσίες μας:

1- Εταιρική άμεση παραγωγή και πώληση.

2Γρήγορες, ακριβείς προτάσεις.

3Θα σας απαντήσουμε εντός 24 ωρών.

4. ODM: Προσαρμοσμένο σχέδιο είναι διαθέσιμο.

5Ταχύτητα και πολύτιμη παράδοση.

Γενικά ερωτήματα:
Ε: Ποιος είναι ο τρόπος αποστολής και το κόστος;
Α:(1) Δεχόμαστε DHL, Fedex, EMS κλπ.
(2) Αν έχετε δικό σας λογαριασμό ταχυδρομείου, είναι τέλειο. Αν όχι, θα μπορούσαμε να σας βοηθήσουμε να τα στείλετε.
Το φορτίο είναι σύμφωνα με τον πραγματικό διακανονισμό.

Ε: Μπορώ να προσαρμόσω τα προϊόντα με βάση τις ανάγκες μου;
Α: Ναι, μπορούμε να προσαρμόσουμε το υλικό, τις προδιαγραφές και το σχήμα, το μέγεθος με βάση τις ανάγκες σας.

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Wang

Τηλ.:: +8615801942596

Άλλα προϊόντα

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου

Size: 4inch/6inch/8inch

Surface Roughness: Ra<0.5nm

Fracture Toughness: 3.5 MPa·m¹/²

CTE (4H-SiC): 4.2×10⁻⁶/K

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 5×5 mm 10×10 mm Υποστρώματα 4H-SiC 3C-N Type MOS Grade

μέγεθος: 2inch, 4inch, 6inch, 5 × 5,10 × 10

Διηλεκτρική σταθερά: 9.7

Επιφανειακή σκληρότητα: HV0.3> 2500

Πυκνότητα: 3.21 g/cm3

Υπόστρωμα 3C-SiC τύπου N ποιότητας προϊόντος για επικοινωνίες 5G

Μέγεθος: 2inch, 4inch, 6inch, 5 × 5,10 × 10

Διηλεκτρική σταθερά: 9.7

Επιφανειακή σκληρότητα: HV0.3> 2500

Πυκνότητα: 3.21 g/cm3

Σίλικονκαρβίδιο (SiC) υψηλής καθαρότητας 99,9999% (6N) HPSI Τύπος 100μm Μέγεθος σωματιδίων SIC Κρυστάλλινη ανάπτυξη

Καθαρότητα:: ≥ 99,9999% (6N)

Τύπος:: 4h-ν

Σκληρότητα Mohs:: 9.5

Ειδική αντίσταση:: 0.015·0.028Ω

Υπόστρωμα SiC 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SEMI για οπτικά γυαλιά AR, οπτικής ποιότητας

Μέγεθος: 6 ίντσες, 8 ίντσες.

Τύπος: 4H-SEMI

Πάχος Α (tropel): 500,0 μm ± 25,0 μm

Δείκτης διάθλασης α: > 2.6 @550nm

2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο

2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο

50.8mm Sic Silicon Carbide υποστρώμα

Ερευνητικό βαθμό Sic Silicon Carbide υποστρώμα

Περιγραφή του προϊόντος:

2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο

Χαρακτηριστικά:

Τεχνικές παραμέτρους:

Εφαρμογές:

Προσαρμογή:

Οι υπηρεσίες μας:

1- Εταιρική άμεση παραγωγή και πώληση.

2Γρήγορες, ακριβείς προτάσεις.

3Θα σας απαντήσουμε εντός 24 ωρών.

4. ODM: Προσαρμοσμένο σχέδιο είναι διαθέσιμο.

5Ταχύτητα και πολύτιμη παράδοση.

γκοφρέτα SIC,

υπόστρωμα SIC,

υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου