logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Σπίτι
ΠΕΡΙΠΟΥ ΗΠΑ
Σχεδιάγραμμα επιχείρησης
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
λύσεις
Μπλογκ
Μας ελάτε σε επαφή με
Αγορές
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
απόσπασμα
Σπίτι
ΠΕΡΙΠΟΥ ΗΠΑ
Σχεδιάγραμμα επιχείρησης
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
FAQ
ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
λύσεις
Μπλογκ
Μας ελάτε σε επαφή με
Αγορές
απόσπασμα
Καλή τιμή σε απευθείας σύνδεση
Αποτέλεσμα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. Sic 6H P Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
Μας ελάτε σε επαφή με
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Επικοινωνήστε τώρα
Η αναζήτησή σου

  [Sic 6H P ]

  Συμφωνία  

63

  ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Αγορά 4H-N Silicon Carbide SiC Substrate 2 ίντσες 3 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 12 ίντσες Prime Grade Dummy Grade ηλεκτρονική κατασκευή

4H-N Silicon Carbide SiC Substrate 2 ίντσες 3 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 12 ίντσες Prime Grade Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H Χαμηλή αντίσταση υψηλή P-doped τύπος Διαμέτρου 50,8mm ηλεκτρονική κατασκευή

2 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H Χαμηλή αντίσταση υψηλή P-doped τύπος Διαμέτρου 50,8mm

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά ​​Υπόστρωμα 3C-SiC τύπου N ποιότητας προϊόντος για επικοινωνίες 5G​​ ηλεκτρονική κατασκευή

​​Υπόστρωμα 3C-SiC τύπου N ποιότητας προϊόντος για επικοινωνίες 5G​​

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά CVD SiC Epitaxy Wafer 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών πάχος επιταξίας 2,5-120 μm για ηλεκτρονική ενέργεια ηλεκτρονική κατασκευή

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών πάχος επιταξίας 2,5-120 μm για ηλεκτρονική ενέργεια

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες Διαμέτρου 50,8 mm 4H-N τύπου SiC Επιταξιακή πλάκα για αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες Διαμέτρου 50,8 mm 4H-N τύπου SiC Επιταξιακή πλάκα για αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 5×5 mm 10×10 mm Υποστρώματα 4H-SiC 3C-N Type MOS Grade ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 5×5 mm 10×10 mm Υποστρώματα 4H-SiC 3C-N Type MOS Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 6 ιντσών Sic Σιλικόνιοκαρβίδιο Υποστρώμα 4H-P Διαμέτρου 150 mm Δυναμικό 350 μm Μηδενική παραγωγή MPD, Κατηγορία παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

6 ιντσών Sic Σιλικόνιοκαρβίδιο Υποστρώμα 4H-P Διαμέτρου 150 mm Δυναμικό 350 μm Μηδενική παραγωγή MPD, Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Τύπος Προϊόντος για ηλεκτρονική ενέργεια ηλεκτρονική κατασκευή

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Τύπος Προϊόντος για ηλεκτρονική ενέργεια

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4 ιντσών 3C N-τύπου SiC υπόστρωμα Silicon Carbide υποστρώμα πάχος 350um Prime ποιότητα Dummy ποιότητα ηλεκτρονική κατασκευή

4 ιντσών 3C N-τύπου SiC υπόστρωμα Silicon Carbide υποστρώμα πάχος 350um Prime ποιότητα Dummy ποιότητα

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Δίσκοι SiC Επιταξιακοί 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 4H-N Βαθμού Παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

Δίσκοι SiC Επιταξιακοί 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 4H-N Βαθμού Παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά HPSI SiC Wafer 2-12 ιντσών οπτικής ποιότητας για γυαλιά AI / AR ηλεκτρονική κατασκευή

HPSI SiC Wafer 2-12 ιντσών οπτικής ποιότητας για γυαλιά AI / AR

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά ‌Δίσκος SiC 6H-N: Υπόστρωμα 2 ιντσών, Πάχος 350μm ή 650μm‌ ηλεκτρονική κατασκευή

‌Δίσκος SiC 6H-N: Υπόστρωμα 2 ιντσών, Πάχος 350μm ή 650μm‌

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2/4/6/8 ιντσών Sic Κρυστάλλινο σπόρο καρβιδίου πυριτίου 4H-N Τύπος Υψηλή σκληρότητα βαθμός P βαθμός R βαθμός D βαθμός ηλεκτρονική κατασκευή

2/4/6/8 ιντσών Sic Κρυστάλλινο σπόρο καρβιδίου πυριτίου 4H-N Τύπος Υψηλή σκληρότητα βαθμός P βαθμός R βαθμός D βαθμός

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Διάμετρος επιφανειακού επιφανειακού υλικού SiC 6 ιντσών 150mm 4H-N Type 4H-P Type Για Επικοινωνία 5G ηλεκτρονική κατασκευή

Διάμετρος επιφανειακού επιφανειακού υλικού SiC 6 ιντσών 150mm 4H-N Type 4H-P Type Για Επικοινωνία 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά SiC Επιταξιακή πλάκα υποστρώματος Ημιαγωγός Βιομηχανικές εφαρμογές 4H-N ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

SiC Επιταξιακή πλάκα υποστρώματος Ημιαγωγός Βιομηχανικές εφαρμογές 4H-N

Πάρτε την καλύτερη τιμή
1 2 3 4
1 2 3 4
Καλή τιμή SiC Επιταξιακή πλάκα υποστρώματος Ημιαγωγός Βιομηχανικές εφαρμογές 4H-N σε απευθείας σύνδεση
Αποτελέσματα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. Sic 6H P Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
Η αναζήτησή σου  [ Sic 6H P ]  Συμφωνία 63 ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Αγορά 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4,0° προς τα πάνω Prime Grade Dummy Grade ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4,0° προς τα πάνω Prime Grade Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλικονικό καρβίδιο Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0° towards Zero Grade Για αισθητήρα θερμοκρασίας ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλικονικό καρβίδιο Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0° towards Zero Grade Για αισθητήρα θερμοκρασίας

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σίκι σιλικόνιοκαρβιδίου πλάκας τύπου 4H-P στον άξονα 0° Χρησιμοποιείται για την κατασκευή συσκευών υψηλής ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή

Σίκι σιλικόνιοκαρβιδίου πλάκας τύπου 4H-P στον άξονα 0° Χρησιμοποιείται για την κατασκευή συσκευών υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H-N Silicon Carbide SiC Substrate 2 ίντσες 3 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 12 ίντσες Prime Grade Dummy Grade ηλεκτρονική κατασκευή

4H-N Silicon Carbide SiC Substrate 2 ίντσες 3 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 12 ίντσες Prime Grade Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H Χαμηλή αντίσταση υψηλή P-doped τύπος Διαμέτρου 50,8mm ηλεκτρονική κατασκευή

2 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H Χαμηλή αντίσταση υψηλή P-doped τύπος Διαμέτρου 50,8mm

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά ​​Υπόστρωμα 3C-SiC τύπου N ποιότητας προϊόντος για επικοινωνίες 5G​​ ηλεκτρονική κατασκευή

​​Υπόστρωμα 3C-SiC τύπου N ποιότητας προϊόντος για επικοινωνίες 5G​​

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά CVD SiC Epitaxy Wafer 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών πάχος επιταξίας 2,5-120 μm για ηλεκτρονική ενέργεια ηλεκτρονική κατασκευή

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών πάχος επιταξίας 2,5-120 μm για ηλεκτρονική ενέργεια

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες Διαμέτρου 50,8 mm 4H-N τύπου SiC Επιταξιακή πλάκα για αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες Διαμέτρου 50,8 mm 4H-N τύπου SiC Επιταξιακή πλάκα για αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 5×5 mm 10×10 mm Υποστρώματα 4H-SiC 3C-N Type MOS Grade ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 5×5 mm 10×10 mm Υποστρώματα 4H-SiC 3C-N Type MOS Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 6 ιντσών Sic Σιλικόνιοκαρβίδιο Υποστρώμα 4H-P Διαμέτρου 150 mm Δυναμικό 350 μm Μηδενική παραγωγή MPD, Κατηγορία παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

6 ιντσών Sic Σιλικόνιοκαρβίδιο Υποστρώμα 4H-P Διαμέτρου 150 mm Δυναμικό 350 μm Μηδενική παραγωγή MPD, Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
1 2 3 4 5 6