2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 5×5 mm 10×10 mm Υποστρώματα 4H-SiC 3C-N Type MOS Grade

Το υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 3C-N (3C-SiC) είναι ένα υλικό ημιαγωγού ευρείας ζώνης που βασίζεται στην κυβική κρυσταλλική δομή (3C), κατασκευασμένο μέσω υγρής φάσης επιταξίας (LPE) ή φυσικής μεταφοράς ατμών (PVT). Υποστηρίζει τυπικά μεγέθη από 2 ίντσες έως 8 ίντσες, καθώς και προσαρμοσμένες διαστάσεις (π.χ., 5×5 mm, 10×10 mm). Τα βασικά του πλεονεκτήματα περιλαμβάνουν υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (1.100 cm²/V·s), ευρεία ζώνη (3.2 eV) και υψηλή θερμική αγωγιμότητα (49 W/m·K), καθιστώντας το ιδανικό για εφαρμογές συσκευών υψηλής συχνότητας, υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής ισχύος.

1. Ηλεκτρική Απόδοση

• Υψηλή Κινητικότητα Ηλεκτρονίων: Σημαντικά ανώτερη από 4H-SiC (900 cm²/V·s), τα υποστρώματα 3C-SiC μειώνουν τις απώλειες αγωγιμότητας στις συσκευές.
• Χαμηλή Αντίσταση: ≤0.0006 Ω·cm (N-type), υποστρώματα 3C-SiC βελτιστοποιημένα για χαμηλών απωλειών κυκλώματα υψηλής συχνότητας.
• Ευρεία Ζώνη: Αντέχει τάσεις έως και 10 kV, υποστρώματα 3C-SiC κατάλληλα για σενάρια υψηλής τάσης (π.χ., έξυπνα δίκτυα, EVs).

​​

2. Θερμική & Χημική Σταθερότητα

• Υψηλή Θερμική Αγωγιμότητα: 3× υψηλότερη απόδοση απαγωγής θερμότητας από το πυρίτιο, υποστρώματα 3C-SiC που λειτουργούν σταθερά από -200°C έως 1.600°C.
• Αντίσταση στην Ακτινοβολία: Υποστρώματα 3C-SiC ιδανικά για αεροδιαστημικές και πυρηνικές εφαρμογές.

​​

3. Συμβατότητα Διαδικασίας

• Επιπεδότητα Επιφάνειας: λ/10 @632.8 nm, συμβατό με λιθογραφία και ξηρή χάραξη.
• Χαμηλή Πυκνότητα Ελαττωμάτων: Πυκνότητα μικροσωλήνων <0.1 cm⁻², ενισχύοντας την απόδοση της συσκευής.

​​Βασικές Εφαρμογές των υποστρωμάτων 3C-SiC

1. Επικοινωνίες 5G & Συσκευές RF

• Μονάδες RF χιλιοστομετρικών κυμάτων: Τα υποστρώματα 3C-SiC επιτρέπουν συσκευές GaN-on-3C-SiC RF για ζώνες 28 GHz+, βελτιώνοντας την απόδοση του σήματος.
• Φίλτρα χαμηλών απωλειών: Τα υποστρώματα 3C-SiC μειώνουν την εξασθένηση του σήματος, ενισχύοντας την ευαισθησία του ραντάρ και της επικοινωνίας.

​​

2. Ηλεκτρικά Οχήματα (EVs)

• Ενσωματωμένοι φορτιστές (OBC): Τα υποστρώματα 3C-SiC μειώνουν την απώλεια ενέργειας κατά 40%, συμβατά με πλατφόρμες γρήγορης φόρτισης 800V.
• Inverters: Τα υποστρώματα 3C-SiC μειώνουν τις απώλειες ενέργειας κατά 80–90%, επεκτείνοντας την αυτονομία.

3. Βιομηχανικά & Ενεργειακά Συστήματα

• Ηλιακοί μετατροπείς: Βελτιώνει την απόδοση μετατροπής κατά 1–3%, μειώνοντας τον όγκο κατά 40–60% για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας.
• Έξυπνα δίκτυα: Ελαχιστοποιεί τις ανάγκες απαγωγής θερμότητας, υποστηρίζοντας τη μετάδοση DC υψηλής τάσης.

4. Αεροδιαστημική & Άμυνα

• Συσκευές ανθεκτικές στην ακτινοβολία: Αντικαθιστά τα εξαρτήματα πυριτίου, επεκτείνοντας τη διάρκεια ζωής των δορυφορικών και πυραυλικών συστημάτων.
• Ραντάρ υψηλής ισχύος: Τα υποστρώματα 3C-SiC αξιοποιούν τις ιδιότητες χαμηλών απωλειών για βελτιωμένη ακρίβεια ανίχνευσης.

1. 5*5mm/10*10mm Silicon Carbide Wafer Thickness 350μm Sic 3C-N Type High Mechanical Strength Production Grade

2. 4inch 3C N-type SiC Substrate Silicon Carbide Substrate Thick 350um Prime Grade Dummy Grade

3C-SiC Substrates FAQ