logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Σπίτι
ΠΕΡΙΠΟΥ ΗΠΑ
Σχεδιάγραμμα επιχείρησης
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
λύσεις
Μπλογκ
Μας ελάτε σε επαφή με
Αγορές
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
απόσπασμα
Σπίτι
ΠΕΡΙΠΟΥ ΗΠΑ
Σχεδιάγραμμα επιχείρησης
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
FAQ
ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
λύσεις
Μπλογκ
Μας ελάτε σε επαφή με
Αγορές
απόσπασμα
Καλή τιμή σε απευθείας σύνδεση
Αποτέλεσμα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. Sic 6H P Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
Μας ελάτε σε επαφή με
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Επικοινωνήστε τώρα
Η αναζήτησή σου

  [Sic 6H P ]

  Συμφωνία  

63

  ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Αγορά Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ ηλεκτρονική κατασκευή

Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 6H-P Silicon Carbide SiC Substrate 6 ιντσών SIC Wafer 4H-P για οπτοηλεκτρονικές συσκευές ηλεκτρονική κατασκευή

6H-P Silicon Carbide SiC Substrate 6 ιντσών SIC Wafer 4H-P για οπτοηλεκτρονικές συσκευές

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4 ίντσες Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P τύπου πάχος 350μm μηδενικό / πρώτος βαθμός Dummy Grade ηλεκτρονική κατασκευή

4 ίντσες Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P τύπου πάχος 350μm μηδενικό / πρώτος βαθμός Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλοκάρβιδιο Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° Προς την παραγωγή ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλοκάρβιδιο Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° Προς την παραγωγή

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade ηλεκτρονική κατασκευή

6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλικονικό Καρβίδιο SIC Wafer 10*10 mm 6H-P πάχος 350μm Για συσκευές υψηλής ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλικονικό Καρβίδιο SIC Wafer 10*10 mm 6H-P πάχος 350μm Για συσκευές υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα ηλεκτρονική κατασκευή

Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H-P Σιλικονικό Καρβίδιο SiC Υποστρώμα 4 ιντσών SIC Wafer 6H-P Για Αποθήκευση III-V Νιτρώδων ηλεκτρονική κατασκευή

4H-P Σιλικονικό Καρβίδιο SiC Υποστρώμα 4 ιντσών SIC Wafer 6H-P Για Αποθήκευση III-V Νιτρώδων

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Διάταξη παραγωγής για κυψέλες καρβιδίου πυριτίου 6H τύπου P:145.5 mm~150.0 mm Δάχος 350 μm ± 25 μm ηλεκτρονική κατασκευή

Διάταξη παραγωγής για κυψέλες καρβιδίου πυριτίου 6H τύπου P:145.5 mm~150.0 mm Δάχος 350 μm ± 25 μm

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλικονικό Καρβίδιο Wafer 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Παραγωγή Dummy Grade Dia 4inch 6inch ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλικονικό Καρβίδιο Wafer 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Παραγωγή Dummy Grade Dia 4inch 6inch

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H-SEMI Υπόστρωμα SiC 2 ιντσών Πάχος 350um 500um Prime/Dummy Grade AR Glasses Optical Grade ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

4H-SEMI Υπόστρωμα SiC 2 ιντσών Πάχος 350um 500um Prime/Dummy Grade AR Glasses Optical Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H-N Silicon Carbide SiC Substrate 8 ίντσες πάχος 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer ηλεκτρονική κατασκευή

4H-N Silicon Carbide SiC Substrate 8 ίντσες πάχος 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4,0° προς τα πάνω Prime Grade Dummy Grade ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4,0° προς τα πάνω Prime Grade Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλικονικό καρβίδιο Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0° towards Zero Grade Για αισθητήρα θερμοκρασίας ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλικονικό καρβίδιο Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0° towards Zero Grade Για αισθητήρα θερμοκρασίας

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σίκι σιλικόνιοκαρβιδίου πλάκας τύπου 4H-P στον άξονα 0° Χρησιμοποιείται για την κατασκευή συσκευών υψηλής ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή

Σίκι σιλικόνιοκαρβιδίου πλάκας τύπου 4H-P στον άξονα 0° Χρησιμοποιείται για την κατασκευή συσκευών υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
1 2 3 4
1 2 3 4
Καλή τιμή 2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής σε απευθείας σύνδεση
Αποτελέσματα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. Sic 6H P Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
Η αναζήτησή σου  [ Sic 6H P ]  Συμφωνία 63 ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Αγορά Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ ηλεκτρονική κατασκευή

Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 6H-P Silicon Carbide SiC Substrate 6 ιντσών SIC Wafer 4H-P για οπτοηλεκτρονικές συσκευές ηλεκτρονική κατασκευή

6H-P Silicon Carbide SiC Substrate 6 ιντσών SIC Wafer 4H-P για οπτοηλεκτρονικές συσκευές

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4 ίντσες Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P τύπου πάχος 350μm μηδενικό / πρώτος βαθμός Dummy Grade ηλεκτρονική κατασκευή

4 ίντσες Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P τύπου πάχος 350μm μηδενικό / πρώτος βαθμός Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλοκάρβιδιο Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° Προς την παραγωγή ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλοκάρβιδιο Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° Προς την παραγωγή

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade ηλεκτρονική κατασκευή

6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλικονικό Καρβίδιο SIC Wafer 10*10 mm 6H-P πάχος 350μm Για συσκευές υψηλής ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλικονικό Καρβίδιο SIC Wafer 10*10 mm 6H-P πάχος 350μm Για συσκευές υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα ηλεκτρονική κατασκευή

Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H-P Σιλικονικό Καρβίδιο SiC Υποστρώμα 4 ιντσών SIC Wafer 6H-P Για Αποθήκευση III-V Νιτρώδων ηλεκτρονική κατασκευή

4H-P Σιλικονικό Καρβίδιο SiC Υποστρώμα 4 ιντσών SIC Wafer 6H-P Για Αποθήκευση III-V Νιτρώδων

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Διάταξη παραγωγής για κυψέλες καρβιδίου πυριτίου 6H τύπου P:145.5 mm~150.0 mm Δάχος 350 μm ± 25 μm ηλεκτρονική κατασκευή

Διάταξη παραγωγής για κυψέλες καρβιδίου πυριτίου 6H τύπου P:145.5 mm~150.0 mm Δάχος 350 μm ± 25 μm

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλικονικό Καρβίδιο Wafer 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Παραγωγή Dummy Grade Dia 4inch 6inch ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλικονικό Καρβίδιο Wafer 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Παραγωγή Dummy Grade Dia 4inch 6inch

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H-SEMI Υπόστρωμα SiC 2 ιντσών Πάχος 350um 500um Prime/Dummy Grade AR Glasses Optical Grade ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

4H-SEMI Υπόστρωμα SiC 2 ιντσών Πάχος 350um 500um Prime/Dummy Grade AR Glasses Optical Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H-N Silicon Carbide SiC Substrate 8 ίντσες πάχος 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer ηλεκτρονική κατασκευή

4H-N Silicon Carbide SiC Substrate 8 ίντσες πάχος 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

Πάρτε την καλύτερη τιμή
1 2 3 4 5 6