Κλειδιά [ silicon substrate ] Συμφωνία 291 ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Σπίτι > ΠΡΟΪΟΝΤΑ >

silicon substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Κατηγορίες

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

(40)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(90)

Υπόστρωμα SIC

(132)

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

(77)

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

(22)

Μέρη σαπφείρου

(114)

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

(74)

Εξοπλισμός ημιαγωγών

(48)

LiNbO3 γκοφρέτα

(18)

GaAs γκοφρέτα

(25)

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

(34)

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

(12)

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

(40)

κεραμικό υπόστρωμα

(25)

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

(25)

Επαφές

Επαφές: Mr. Wang

Τηλ.:: 86-1580-1942596

Επικοινωνήστε τώρα

Στείλτε μας.

Sic 3C-N Τύπος Μέγεθος Τεχνολογικός αγωγός Τύπος για συστήματα ραντάρ Μηδενικός βαθμός παραγωγής MPD

Πάρτε την καλύτερη τιμή

SiC Ίγκοντ 6 ιντσών Ίγκοντ 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ίγκοντ υψηλής σκληρότητας Ίγκοντ

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Βίντεο

προσαρμοσμένο μέγεθος 5x5 10x10mm 6h-ημι SIC τσιπ γκοφρετών μεγέθους 4h-ν

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiCOI Wafers σύνθετο SiC σε υποστρώματα μονωτών

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Εξοπλισμός λέιζερ μικροτζετ για στρογγυλοποίηση κυψελών από καρβίδιο του πυριτίου και διάτμηση κυψελών με βάση το πυρίτιο

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Βίντεο

Προσαρμοσμένος μεγέθους τετραγωνικός SIC κακός συνδυασμός δικτυωτού πλέγματος τσιπ χαμηλός με υψηλό θερμικό

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Σιλικονικό Καρβίδιο SIC Wafer 10*10 mm 6H-P πάχος 350μm Για συσκευές υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή

FP Epiwafer InP Υποστρώμα Επαφή στρώμα InGaAsP Dia 2 3 4 ίντσες Για OCT 1.3um Band μήκους κύματος

Πάρτε την καλύτερη τιμή

12 ιντσών ζαφείρινη πλάκα ζαφείρινο υπόστρωμα Al2O3 πλάκα 9.0Mohs διαφανής SSP DSP άξονας C

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Σίλικονκαρβίδιο (SiC) υψηλής καθαρότητας 99,9999% (6N) HPSI Τύπος 100μm Μέγεθος σωματιδίων SIC Κρυστάλλινη ανάπτυξη

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4 ιντσών Silicon Carbide Sic σφαιρίδιο τύπου 4H-P Διαμέτρου 100 mm Δυνατότητα 350 μm Πρωταρχική βαθμίδα Ερευνητική βαθμίδα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Σημείο παραγωγής τύπου SiC σπόρων πλάκας 8inch πάχους 600±50um 4H για την ανάπτυξη κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Dia 103mm Γ - άξονα ενιαία πλευρά παραθύρων σαπφείρου η οπτική γυάλισε το προσαρμοσμένο μέγεθος

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Βίντεο

2 μετρήστε το Α - αντίσταση ακτινοβολίας γκοφρετών σαπφείρου άξονα για το EPI σε ίντσες - έτοιμη δοκιμή

Πάρτε την καλύτερη τιμή

InP FP epiwafer InP υπόστρωμα n/p τύπου 2 3 4 ίντσες με πάχος 350-650um για οπτικά δίκτυα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Κρυσταλλωστικός φούρνος ζαφείριων υλών kyropoulos διαδικασία ανάπτυξης αφρού ζαφείρινο κρύσταλλο 200kg 400kg

Πάρτε την καλύτερη τιμή

8 9 10 11 12 13 14 15