Λεπτομέρειες προϊόντων
Τόπος καταγωγής: Κίνα
Μάρκα: zmsh
Αριθμό μοντέλου: Προσαρμοσμένος διαμορφωμένος
Όροι πληρωμής και αποστολής
Ποσότητα παραγγελίας min: 10pcs
Τιμή: by case
Συσκευασία λεπτομέρειες: στις κασέτες των ενιαίων εμπορευματοκιβωτίων γκοφρετών
Χρόνος παράδοσης: Εντός 15days
Δυνατότητα προσφοράς: 1000pcs
Υλικό: |
SiC μονοκρύσταλλο |
Βιομηχανία: |
με περιεκτικότητα σε υδροξείδιο κατά βάρος που δεν υπερβαίνει το 50% |
Εφαρμογές: |
συσκευή, ετοιμασμένη για επιληψία πλακέτα, 5G, ηλεκτρονική ενέργεια, ανιχνευτής, |
Χρώμα: |
Πράσινο, μπλε, άσπρο. |
Προσαρμοσμένο: |
ΕΝΤΆΞΕΙ |
Τύπος: |
4H-N,6H-N |
Υλικό: |
SiC μονοκρύσταλλο |
Βιομηχανία: |
με περιεκτικότητα σε υδροξείδιο κατά βάρος που δεν υπερβαίνει το 50% |
Εφαρμογές: |
συσκευή, ετοιμασμένη για επιληψία πλακέτα, 5G, ηλεκτρονική ενέργεια, ανιχνευτής, |
Χρώμα: |
Πράσινο, μπλε, άσπρο. |
Προσαρμοσμένο: |
ΕΝΤΆΞΕΙ |
Τύπος: |
4H-N,6H-N |
10x10mm 5x5mm εξατομικευμένα τετράγωνα υποστρώματα sic, πλακίδια sic 1 ιντσών, σφαιρίδια κρυστάλλων sic, υποστρώματα sic ημιαγωγών, πλακίδια SIC 6H-N, πλακίδια καρβιδίου πυριτίου υψηλής καθαρότητας
Απαγορεύεται η παραγωγή ακατέργαστων υλικών.
προσφέρουμε υλικά ημιαγωγών, ειδικά για πλάκες SiC, υποστρώματα SiC πολυτύπου 4H και 6H σε διαφορετικές ποιότητες για ερευνητές και βιομηχανικούς κατασκευαστές.Έχουμε καλές σχέσεις με το εργοστάσιο ανάπτυξης κρυστάλλων SiC καιΈχουμε επίσης την τεχνολογία επεξεργασίας πλακιδίων SiC, έχουμε δημιουργήσει μια γραμμή παραγωγής για την κατασκευή υποστρώματος SiC και πλακιδίων SiC.Ως μια επαγγελματική εταιρεία που επενδύεται από κορυφαίους κατασκευαστές από τους τομείς της προηγμένης και υψηλής τεχνολογίας της έρευνας υλικών και τα κρατικά ινστιτούτα και το εργαστήριο ημιαγωγών της Κίνας, είμαστε αφιερωμένοι στη συνεχή βελτίωση της ποιότητας των κυψελών SiC, σήμερα υποστρώματα και να αναπτύξουν υποστρώματα μεγάλου μεγέθους.
Περιοχές εφαρμογής
1 ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος, διόδους Schottky, JFET, BJT, PiN,
διόδους, IGBT, MOSFET
2 οπτοηλεκτρονικές συσκευές: χρησιμοποιούνται κυρίως σε υλικό υποστρώματος γαλάζιας LED GaN/SiC (GaN/SiC) LED
Πλεονέκτημα
• Μικρή ασυμφωνία πλέγματος• Υψηλή θερμική αγωγή
• Μικρή κατανάλωση ενέργειας
• Εξαιρετικά μεταβατικά χαρακτηριστικά
• Μεγάλο κενό ζώνης
Προσαρμοσμένα υποστρώματα και εξαρτήματα από καρβίδιο του πυριτίου (SiC), γνωστά για την αξιοσημείωτη σκληρότητά τους 9,4 στην κλίμακα του Mohs,είναι ιδιαίτερα περιζήτητα για χρήση σε διάφορες βιομηχανικές και επιστημονικές εφαρμογέςΟι εξαιρετικές μηχανικές, θερμικές και χημικές ιδιότητές τους τις καθιστούν ιδανικές για περιβάλλοντα όπου η αντοχή και η απόδοση υπό ακραίες συνθήκες είναι κρίσιμες.
Κατασκευή ημιαγωγών: Τα υποστρώματα SiC χρησιμοποιούνται ευρέως στην παραγωγή ημιαγωγών υψηλής ισχύος και υψηλής θερμοκρασίας, όπως MOSFET, διόδους Schottky και μετατροπείς ισχύος.Τα προσαρμοσμένα μεγέθη των υπόστρωτων SiC είναι ιδιαίτερα χρήσιμα για ειδικές απαιτήσεις συσκευών σε βιομηχανίες όπως η ανανεώσιμη ενέργεια (ηλιακοί μετατροπείς), αυτοκινητοβιομηχανία (ηλεκτρικά οχήματα) και αεροδιαστημική (αερομηχανία).
Μέρη εξοπλισμούΗ σκληρότητα και η αντοχή του στο φθοράς το καθιστούν εξαιρετικό υλικό για την παραγωγή εξαρτημάτων που χρησιμοποιούνται σε μηχανήματα και βιομηχανικό εξοπλισμό.πρέπει να αντέχει σε περιβάλλοντα υψηλής πίεσηςΗ αντοχή των SiC ς σε θερμικές συγκρούσεις και η αντοχή τους σε θερμικές συγκρούσεις είναι απαραίτητες.
Οπτική και Φωτονική: Το SiC χρησιμοποιείται επίσης στην παραγωγή οπτικών εξαρτημάτων και καθρέφτες για εξοπλισμό υψηλής ακρίβειας, ιδίως σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας.Η θερμική του σταθερότητα εξασφαλίζει αξιόπιστη απόδοση σε επιστημονικά όργανα, λέιζερ και άλλες ευαίσθητες εφαρμογές.
Συνοπτικά, τα εξατομικευμένα υπόστρωμα και τα εξαρτήματα SiC προσφέρουν απαράμιλλη σκληρότητα, θερμική αντοχή και χημική αδράνεια, καθιστώντας τα ανεκτίμητα σε διάφορες βιομηχανίες υψηλής τεχνολογίας.
Μεγέθους 2 ίντσες για υποστρώματα sic
| 2 ίντσες διάμετρος Καρβιδίου Σιλίου (SiC) Προδιαγραφή υποστρώματος | ||||||||||
| Αξία | Μηδενικός βαθμός MPD | Κατηγορία παραγωγής | Ερευνητικός βαθμός | Αξία ψεύτικη | ||||||
| Διάμετρος | 500,8 mm±0,2 mm | |||||||||
| Δάχος | 330 μm±25 μm ή 430±25 μm Ή 1000μm±25 μm | |||||||||
| Προσανατολισμός της πλάκας | Από τον άξονα: 4,0° προς <1120> ±0,5° για 4H-N/4H-SI | |||||||||
| Σφιχτότητα μικροσωλήνων | ≤0 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 15 cm-2 | ≤ 100 cm-2 | ||||||
| Αντίσταση | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 00,02 έως 0,1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Πρωταρχικό διαμέρισμα | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Πρωταρχικό επίπεδο μήκος | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Δευτερογενές επίπεδο μήκος | 100,0 mm±2,0 mm | |||||||||
| Δευτερογενής επίπεδης προσανατολισμός | Σημείωση: 90° CW. από το Prime flat ±5,0° | |||||||||
| Αποκλεισμός του περιθωρίου | 1 χλμ. | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| Ακατέργαστη | Πολωνική Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Τρύπες από υψηλής έντασης φως | Κανένα | 1 επιτρέπεται, ≤2 mm | Συγκεντρωτικό μήκος ≤ 10 mm, μονό μήκος ≤ 2 mm | |||||||
| Εξαγωνικές πλάκες με υψηλής έντασης φως | Συγκεντρωτική έκταση ≤ 1% | Συγκεντρωτική έκταση ≤ 1% | Συγκεντρωτική έκταση ≤ 3% | |||||||
| Πολυτύποι περιοχών με υψηλή ένταση φωτός | Κανένα | Συγκεντρωτική έκταση ≤ 2% | Συγκεντρωτική έκταση ≤ 5% | |||||||
| Γδαρμένες από φωτισμό υψηλής έντασης | 3 γρατσουνιές σε 1 × σωρευτικό μήκος διαμέτρου πλάκας | 5 γρατσουνιές σε 1 × διαμέτρου κυψελού σωρευτικό μήκος | 5 γρατσουνιές σε 1 × διαμέτρου κυψελού σωρευτικό μήκος | |||||||
| Τσιπ άκρης | Κανένα | 3 επιτρέπεται, ≤0,5 mm το καθένα | 5 επιτρέπεται, ≤ 1 mm το καθένα | |||||||
μέγεθος εικόνας: 10x10x0,5mmt,
ανοχή: ± 0,03 mm
βάθος αγώνα x πλάτος: 0,4 mmx0,5 mm
ΤΥΠΟΣ:4H-ημι
επιφάνεια: γυαλισμένη (ssp ή dsp)
Ρα:0.5nm
1Ε: Ποιο είναι το πακέτο σας;
Α: παρέχουμε αυτόματο κουτί ταινίας προσρόφησης ως πακέτο.
2Ε: Ποιοι είναι οι όροι πληρωμής σας;
Απ: Ο όρος πληρωμής μας είναι T / T 50% προκαταβολικά, 50% πριν από την παράδοση.
3Ε: Πώς μπορώ να πάρω μερικά δείγματα;
Α:Becauce εξατομικευμένα προϊόντα σχήμα, ελπίζουμε ότι μπορείτε να παραγγείλετε min πολλοί ως δείγμα.
4.Ε:Σε πόσο καιρό θα πάρουμε τα δείγματα;
Α: Στέλνουμε τα δείγματα σε 10-25 ημέρες μετά την επιβεβαίωσή σας.
5Ε: Πώς λειτουργεί το εργοστάσιό σας όσον αφορά τον έλεγχο ποιότητας;
Α: Η ποιότητα πρώτα είναι το σύνθημά μας,Οι εργαζόμενοι πάντα δίνουν μεγάλη σημασία στον έλεγχο της ποιότητας από το
Από την αρχή μέχρι το τέλος.
