ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Σπίτι > ΠΡΟΪΟΝΤΑ > Υπόστρωμα SIC > 4h-ΗΜΙ γυαλισμένη σκληρότητα φακών 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 γκοφρετών SIC για το υλικό συσκευών

Κατηγορίες

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

(22)

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

(22)

Επαφές

Επαφές: Mr. Wang

Τηλ.:: 86-1580-1942596

Επικοινωνήστε τώρα

Στείλτε μας.

4h-ΗΜΙ γυαλισμένη σκληρότητα φακών 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 γκοφρετών SIC για το υλικό συσκευών

Name: 4h-ΗΜΙ γυαλισμένη σκληρότητα φακών 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 γκοφρετών SIC για το υλικό συσκευών
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: SIC-6inch 4h-ν
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Λεπτομέρειες προϊόντων

Τόπος καταγωγής: Κίνα

Μάρκα: zmsh

Αριθμό μοντέλου: SIC-6inch 4h-ν

Όροι πληρωμής και αποστολής

Ποσότητα παραγγελίας min: 1pcs

Τιμή: by case

Συσκευασία λεπτομέρειες: από την προσαρμοσμένη περίπτωση

Χρόνος παράδοσης: 15days μέσα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Λεπτομέρειες προϊόντων

Περιγραφή προϊόντων

Επισημαίνω: 
                                                                                                                                                                                                                                                γκοφρέτα SIC, υπόστρωμα SIC
                              

βιομηχανία:	υπόστρωμα ημιαγωγών	υλικά:	κρύσταλλο SIC
εφαρμογή:	5G, υλικό συσκευών, MOCVD, ηλεκτρονική δύναμης	Τύπος:	4h-ν, ημι, κανένα που ναρκώνεται
χρώμα:	πράσινος, μπλε, άσπρος	hardeness:	9.0 επάνω

βιομηχανία:	υπόστρωμα ημιαγωγών
υλικά:	κρύσταλλο SIC
εφαρμογή:	5G, υλικό συσκευών, MOCVD, ηλεκτρονική δύναμης
Τύπος:	4h-ν, ημι, κανένα που ναρκώνεται
χρώμα:	πράσινος, μπλε, άσπρος
hardeness:	9.0 επάνω

4h-ΗΜΙ γυαλισμένη σκληρότητα φακών 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 γκοφρετών SIC για το υλικό συσκευών

6inch υποστρώματα SIC, πλίνθωμα SIC, πλινθώματα κρυστάλλου SIC, φραγμός κρυστάλλου SIC, υποστρώματα ημιαγωγών SIC, γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου 6inch, 4H-ημι γκοφρέτα SIC, πλαστή γκοφρέτα βαθμού SIC τύπων 4h-ν 6inch για τη δοκιμή,

1. Περιγραφή

Ιδιοκτησία	4H-SIC, ενιαίο κρύσταλλο	6H-SIC, ενιαίο κρύσταλλο
Παράμετροι δικτυωτού πλέγματος	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
Συσσώρευση της ακολουθίας	ABCB	ABCACB
Σκληρότητα Mohs	≈9.2	≈9.2
Πυκνότητα	3.21 g/cm3	3.21 g/cm3
Therm. Συντελεστής επέκτασης	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Δείκτης @750nm διάθλασης	κανένας = 2,61 ΝΕ = 2,66	κανένας = 2,60 ΝΕ = 2,65
Διηλεκτρική σταθερά	c~9.66	c~9.66
Θερμική αγωγιμότητα (ν-τύπος, 0,02 ohm.cm)	a~4.2 W/cm·Το K@298K c~3.7 W/cm·Το K@298K
Θερμική αγωγιμότητα (ημιμονωτική)	a~4.9 W/cm·Το K@298K c~3.9 W/cm·Το K@298K	a~4.6 W/cm·Το K@298K c~3.2 W/cm·Το K@298K
Ταινία-Gap	3.23 eV	3.02 eV
Ηλεκτρικός τομέας βλάβης	35×106V/cm	35×106V/cm
Ταχύτητα κλίσης κορεσμού	2.0×105m/s	2.0×105m/s

2. Υλικό describtion μεγέθους

προδιαγραφή υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου 6 ίντσας διαμέτρων (SIC)


Βαθμός		Βαθμός Ζ	Βαθμός Π	Βαθμός Ρ	Βαθμός Δ

		ΜΗΔΕΝ MPD	Παραγωγή	Ερευνητικός βαθμός	Πλαστός βαθμός

Διάμετρος		150mm±0.5 χιλ.

Πάχος		350 μm±25μm ή 500±25um ή από το προσαρμοσμένο μέγεθος

Προσανατολισμός γκοφρετών		Από τον άξονα: 4.0° προς <1120> ±0.5° για το 4h-ν

Πυκνότητα Micropipe		≤1cm-2	≤5 τ.εκ.	≤15 τ.εκ.	≤50 τ.εκ.

Ειδική αντίσταση	4h-ν	0.015~0.028 Ω·εκατ.

	4/6h-Si	>1E5 Ω·εκατ.

Αρχικό επίπεδο		{10-10} ±5.0°

Αρχικό επίπεδο μήκος		47.5mm±2.5 χιλ.

Αποκλεισμός ακρών		3mm

TTV/Bow το /Warp		≤15μm/≤40μm/≤60μm

Τραχύτητα		Πολωνικό Ra≤1 NM

		CMP Ra≤0.5 NM

		Κανένας	Κανένας	1 επιτρεμμένος, ≤1 χιλ.
Ρωγμές από το φως υψηλής έντασης

Πιάτα δεκαεξαδικού από το φως υψηλής έντασης		Συσσωρευτικό area≤ 1%	Συσσωρευτικό area≤ 1%	Συσσωρευτικό area≤ 3%

		Κανένας	Συσσωρευτικό area≤ 2%	Συσσωρευτικό area≤5%
Περιοχές Polytype από το φως υψηλής έντασης

		3 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer	5 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer	8 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer
Γρατσουνιές από το φως υψηλής έντασης

Τσιπ ακρών		Κανένας	3 επιτρεμμένος, ≤0.5 χιλ. κάθε ένα	5 επιτρεμμένος, ≤1 χιλ. κάθε ένα

Μόλυνση από το φως υψηλής έντασης		Κανένας

3. προϊόντα

FAQ:

Q: Ποιος είναι ο τρόπος της ναυτιλίας και του κόστους;

Α: (1) δεχόμαστε DHL, τη Fedex, το EMS κ.λπ.

(2) είναι λεπτό εάν έχετε το σαφή απολογισμό σας, εάν όχι, θα μπορούσαμε να σας βοηθήσουμε να τους στείλετε και

Το φορτίο είναι σύμφωνα με την πραγματική τακτοποίηση.

Q: Πώς να πληρώσει;

Α: Κατάθεση T/T 100% πριν από την παράδοση.

Q: Ποιο είναι MOQ σας;

Α: (1) για τον κατάλογο, το MOQ είναι 1pcs. εάν 2-5pcs αυτό είναι καλύτερο.

(2) για τα προσαρμοσμένα κοινά προϊόντα, το MOQ είναι 10pcs επάνω.

Q: Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;

Α: (1) για τα τυποποιημένα προϊόντα

Για τον κατάλογο: η παράδοση είναι 5 εργάσιμες ημέρες μετά από σας θέση η διαταγή.

Για τα προσαρμοσμένα προϊόντα: η παράδοση είναι 2 -4 εβδομάδες μετά από σας επαφή διαταγής.

Q: Έχετε τα τυποποιημένα προϊόντα;

Α: Τα τυποποιημένα προϊόντα μας στο απόθεμα. όπως όπως τα υποστρώματα 4inch 0.35mm.

Thanks~~~

Tags:

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

Μέρη σαπφείρου

γυαλί κάλυψης σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

GaAs γκοφρέτα

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

4h-ΗΜΙ γυαλισμένη σκληρότητα φακών 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 γκοφρετών SIC για το υλικό συσκευών

γκοφρέτα SIC

υπόστρωμα SIC

γκοφρέτα SIC,

υπόστρωμα SIC,

υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου

Κρυστάλλινα σπόρα σπόρων SiC Dia 205 203 208 Κατηγορία παραγωγής PVT/HTCVD ανάπτυξη

SiC Σπόρος Wafer 4H N Type Dia 153 155 2inch-12inch Προσαρμοσμένο για την κατασκευή MOSFETs

Προσαρμοσμένος Σικ Κεραμικός Φορέας Τελικός Ενεργοποιητής για το χειρισμό των κυψελών

Πλάκα μεταφοράς υψηλής καθαρότητας, επικαλυμμένη με SiC, για χειρισμό και μεταφορά πλακών

Ανθεκτική σε υψηλές θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης για φορείς κυψελών

Πλάκα μεταφοράς SiC με πολλαπλές πλακέτες Καρβιδίου του πυριτίου χωρίς πίεση για υποστήριξη πλακέτας

HPSI υψηλής καθαρότητας ημιμονωτικές κυψέλες SiC 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " Prime Dummy Research Grade

6 ιντσών 4H-N Silicon Carbide SiC υποστρώμα διάμετρο 150mm πάχος 350um 500um N τύπου Prime Grade Dummy Grade

Οπτικός φακός Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI σχήμα και μέγεθος προσαρμοσμένο 6SP πάχος 10.05

4H-N Silicon Carbide SiC Substrate 2 ίντσες 3 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 12 ίντσες Prime Grade Dummy Grade

Σίλικονκαρβίδιο (SiC) υψηλής καθαρότητας 99,9999% (6N) HPSI Τύπος 100μm Μέγεθος σωματιδίων SIC Κρυστάλλινη ανάπτυξη

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

Μέρη σαπφείρου

γυαλί κάλυψης σαπφείρου