Να στείλετε μήνυμα
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Σπίτι > ΠΡΟΪΟΝΤΑ > Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου >
2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP
  • 2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP
  • 2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP
  • 2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP

2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP

Τόπος καταγωγής Κίνα
Μάρκα zmsh
Πιστοποίηση ROHS
Αριθμό μοντέλου HEMT gaN--GaN
Λεπτομέρειες προϊόντων
Υλικό:
Γκοφρέτα ενιαίου κρυστάλλου EPI GaN
Βιομηχανία:
Γκοφρέτα ημιαγωγών, οδηγήσεων, HEMT
Εφαρμογή:
συσκευή ημιαγωγών, γκοφρέτα LD, γκοφρέτα των οδηγήσεων, ανιχνευτής εξερευνητών, λέιζερ,
Τύπος:
ελεύθερος-stading ν-τύπος GaN
Προσαρμοσμένος:
ΕΝΤΆΞΕΙ
Μέγεθος:
κοινό 2inchx0.35mmt
Πάχος:
400±50um
Στρώμα:
2-5um
Πυκνότητα μεταφορέων:
6E12-2E13
Υψηλό φως: 

Ελεύθερο μόνιμο υπόστρωμα νιτριδίων γαλλίου

,

Γκοφρέτα DSP EPI

,

Γκοφρέτα γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου

Περιγραφή προϊόντων

 

Γαλαζοπράσινες μικροϋπολογιστής-οδηγημένες EPI B2inch γκοφρέτες gaN--GaN στα??????????? υποστρώματα GaN

μπλε γκοφρέτες HEMT SSP gaN--GaN 2inch DSP στα??????????? υποστρώματα GaN

 

Περίπου το χαρακτηριστικό γνώρισμα gaN--GaN εισάγει

Οι κάθετες συσκευές δύναμης GaN έχουν τη δυνατότητα να ξεσηκώσουν τη βιομηχανία συσκευών δύναμης, ειδικά στις εφαρμογές με τις απαιτήσεις υψηλής τάσης, όπως οι κάθετες συσκευές GaN επάνω από 600 V. Ανάλογα με τις σωματικές ιδιότητες του υλικού, οι συσκευές GaN έχουν την χαμηλότερη -αντίσταση σε μια δεδομένη τάση διακοπής από τις παραδοσιακές πυρίτιο-βασισμένες στον συσκευές ισχύος και συσκευές ισχύος καρβιδίου του πυριτίου ανάδυσης τις καθαρές. Οι οριζόντιες συσκευές δύναμης GaN, δηλ. υψηλές κρυσταλλολυχνίες κινητικότητας gaN--πυριτίου (HEMT), ανταγωνίζονται με τις συσκευές πυριτίου στη χαμηλής τάσης αγορά, και GaN είναι ανώτερο, το οποίο αποδεικνύει επίσης την ανωτερότητα των υλικών GaN.
Οι κάθετες συσκευές δύναμης GaN αναμένονται για να ανταγωνιστούν με τις καθαρές συσκευές δύναμης καρβιδίου του πυριτίου στην υψηλής τάσεως αγορά. Στα πρώτα δύο έτη, οι συσκευές SIC έχουν κερδίσει ένα ορισμένο μερίδιο αγοράς στην υψηλής τάσεως αγορά εφαρμογής, και μερικές επιχειρήσεις έχουν επεκτείνει την παραγωγή 6 ίντσας και 8 ίντσας SIC. Αντίθετα, οι κάθετες συσκευές GaN δεν είναι ακόμα διαθέσιμες στο εμπόριο, και πολύ λίγοι προμηθευτές μπορούν να αυξηθούν τις γκοφρέτες GaN 4 ιντσών διαμέτρων. Η αύξηση του ανεφοδιασμού των υψηλής ποιότητας γκοφρετών GaN είναι κρίσιμη για την ανάπτυξη των κάθετων συσκευών GaN.
Οι υψηλής τάσεως συσκευές δύναμης φιαγμένες από νιτρίδιο γαλλίου έχουν τρία πιθανά πλεονεκτήματα:
1. Κάτω από μια δεδομένη τάση διακοπής, η θεωρητική -αντίσταση είναι ένα μέγεθος μικρότερο. Επομένως, η λιγότερη δύναμη χάνεται μέσα προκαταλαμβάνει και η ενεργειακή αποδοτικότητα είναι υψηλότερη.

Δεύτερον, κάτω από τη δεδομένες τάση και την -αντίσταση διακοπής, το μέγεθος της κατασκευασμένης συσκευής είναι μικρότερο. Όσο μικρότερο το μέγεθος συσκευών, οι περισσότερες συσκευές μπορούν να γίνουν από μια ενιαία γκοφρέτα, η οποία μειώνει το κόστος. Επιπλέον, οι περισσότερες εφαρμογές απαιτούν τα μικρότερα τσιπ.
3. Το νιτρίδιο γαλλίου έχει ένα πλεονέκτημα στη μέγιστη λειτουργούσα συχνότητα της συσκευής, και η συχνότητα καθορίζεται από τις υλικές ιδιότητες και το σχέδιο συσκευών. Συνήθως η υψηλότερη συχνότητα του καρβιδίου του πυριτίου είναι για 1MHz ή λιγότερους, ενώ οι συσκευές ισχύος φιαγμένες από νιτρίδιο γαλλίου μπορούν να λειτουργήσουν στις υψηλότερες συχνότητες, όπως οι δεκάδες του MHZ. Η λειτουργία στις υψηλότερες συχνότητες είναι ευεργετική για τη μείωση του μεγέθους των παθητικών συστατικών, με αυτόν τον τρόπο μειώνοντας το μέγεθος, το βάρος και το κόστος του συστήματος μετατροπής ισχύος.
Οι κάθετες συσκευές GaN είναι ακόμα στο στάδιο έρευνας και ανάπτυξης, και η βιομηχανία δεν έχει επιτύχει ακόμα μια συναίνεση στη δομή της βέλτιστης συσκευής δύναμης GaN κάθετης. Οι τρεις δομές επικρατουσών συσκευών περιλαμβάνουν την τρέχουσα κρυσταλλολυχνία ηλεκτρονίων ανοιγμάτων κάθετη (CAVET), την κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων τάφρων (FET τάφρων) και την κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων πτερυγίων (FET πτερυγίων). Όλες οι δομές συσκευών περιέχουν ένα χαμηλό ν-ναρκωμένο στρώμα ως στρώμα κλίσης. Αυτό το στρώμα είναι πολύ σημαντικό επειδή το πάχος του στρώματος κλίσης καθορίζει την τάση διακοπής της συσκευής. Επιπλέον, η συγκέντρωση ηλεκτρονίων διαδραματίζει έναν ρόλο στην επίτευξη της θεωρητικής χαμηλότερης -αντίστασης. σημαντικός ρόλος.

 

Προδιαγραφές για τα υποστρώματα gaN--GaN για κάθε βαθμό

           

 

Υποστρώματα

 
??????????? ν-τύπος (Si-που ναρκώνεται) GaN
Στοιχείο γαλαζοπράσινες μικροϋπολογιστής-οδηγημένες EPI γκοφρέτες 2inch gaN--GaN
Μέγεθος διαστάσεων Ф 50.0mm ± 0.3mm
Πάχος του υποστρώματος 400 ± 30 µm
Προσανατολισμός του υποστρώματοςΓ-άξονας (0001) προς τον μ-άξονα 0.55± 0.15°
ΠολωνικάSSP ή DSP

 

 
Δομή Epilyaerw/o SiNx ΚΑΠ GaN cap/Al (15~30%) GaN (μέσα (17%))Ενδιάμεσο στρώμα AlN Barrier/1nm AlN/channel/C-ναρκωμένο GaN GaN
EPI thickness/STD απομονωτής layer/1nm AlN spacer/15-30nm 2~4.5um GaN (21nm που προτιμάται) για AlGaN 4-10 (6preferred) για το στρώμα παθητικότητας αμαρτίας InAlN/2nm u-GaN ΚΑΠ layer/0~30nm (3preferred)
AFM RMS <0>
Πυκνότητα μεταφορέων6E12~2E13
Κινητικότητα αιθουσών 1300-2200 cm2V-1s-1
Πλευρικό BVF για 4um GaN: Γ, Lgd=15um (δύναμη) >το 600@1uA /mm
Rs (ohm/Sq) 200-450
 
Particels (>20um) <5pcs>
Χρησιμοποιήσιμη περιοχή

Π level>90% Ρ level>80%: Dlevel>70% (άκρη και μακρο αποκλεισμός ατελειών)

 

2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP 02 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP 1

  • Εφαρμογές
  • - Διάφορης οδήγησης: άσπρων οδηγήσεων, ιωδών οδηγήσεων, υπεριωδών οδηγήσεων, μπλε οδηγήσεις
  • - Περιβαλλοντική ανίχνευση
  • Υποστρώματα για την κρυσταλλική αύξηση από το MOCVD κ.λπ.
  • - Δίοδοι λέιζερ: ιώδες LD, πράσινο LD για τους εξαιρετικά μικρούς προβολείς.
  • - Ηλεκτρονικές συσκευές δύναμης
  • - Ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής συχνότητας
  • Επίδειξη προβολής λέιζερ, συσκευή δύναμης, κ.λπ.
  • Αποθήκευση ημερομηνίας
  • Energy-efficient φωτισμός
  • Ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής αποδοτικότητας
  • Νέα τεχνολογία υδρογόνου ενεργειακού solor
  • Ζώνη πηγής φωτός terahertz

Οι υπηρεσίες μας

1. Η άμεση κατασκευή εργοστασίων και πωλεί.

2. Γρήγορα, ακριβή αποσπάσματα.

3. Απάντηση σε σας μέσα σε 24 ώρες απασχόλησης.

4. ODM: Το προσαρμοσμένο σχέδιο είναι διαθέσιμο.

 

5. Ταχύτητα και πολύτιμη παράδοση.

 

FAQ

Q: Υπάρχει οποιοδήποτε απόθεμα ή τυποποιημένο προϊόν;

Α: Ναι, κοινό μέγεθος ως like2inch 0.3mm τυποποιημένο μέγεθος πάντα στα αποθέματα.

 

Q: Πόσο περίπου η πολιτική δειγμάτων;

Α: θλιβερός, αλλά προτείνετε ότι μπορείτε να αγοράσετε περίπου πλάτη μεγέθους 10x10mm για τη δοκιμή αρχικά.

 

Q: Εάν τοποθετώ μια διαταγή τώρα, πόσο καιρό θα ήταν προτού να πάρω την παράδοση;

Α: το τυποποιημένο μέγεθος στο απόθεμα σε 1weeks μπορεί να εκφραστεί μετά από την πληρωμή.

 και ο όρος πληρωμής μας είναι κατάθεση 50% και αριστερός πριν από την παράδοση.

2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP 2

Συνιστώμενα προϊόντα

Μας ελάτε σε επαφή με ανά πάσα στιγμή

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, λεωφόρος Dianshanhu, περιοχή Qingpu, πόλη της Σαγκάη, ΚΊΝΑ
Μας στείλετε την έρευνά σας άμεσα σε