10 × 10 mm 4H-N τύπου SiC υποστρώμα: Τεχνική επισκόπηση και εφαρμογές Λύση ημιαγωγών υψηλών επιδόσεων για προηγμένα ηλεκτρονικά 1Γενική εικόνα του προϊόντος ΗΥποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τύπ...Δείτε περισσότερων
Μηνύματα επισκέπτηΑΦΗΣΤΕ ΈΝΑ ΜΗΝΥΜΑ
Κανένα δημόσιο σχόλιο ακόμα
Υπόστρωμα SiC τύπου 4H-N Wafer 10x10mm για Ηλεκτρονικά Ισχύος