λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Σπίτι ΠΡΟΪΟΝΤΑ

υψηλός θερμικής αγωγιμότητας φακός φραγμών ειδικής αντίστασης SIC οπτικός για την κβαντική οπτική

Ονομασία μάρκας:	zmkj
Αριθμός μοντέλου:	un-doped 4h-ημι υψηλής αγνότητας
MOQ:	10pcs
τιμή:	by required
Χρόνος παράδοσης:	10-20days

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Κίνα

Υλικό:

κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

Μέγεθος:

6x6x10mmt

404 Not Found:

Οπτικός

Ειδική αντίσταση:

>1E7

Τύπος:

4h-ημι

Πάχος:

0.5mm

Επιφάνεια:

DSP

Προσανατολισμός:

0° από τον γ-άξονα

Θερμική αγωγιμότητα:

>400kw/298k

Συσκευασία λεπτομέρειες:

Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στις κασέτες των ενιαίων εμπορευματοκ

Δυνατότητα προσφοράς:

100pcs/months

Επισημαίνω:

Οπτικός φακός φραγμών SIC

γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου 0.5mm

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου επιφάνειας DSP

Περιγραφή προϊόντων

Un-doped 4inch 4H-ημι γκοφρέτες καρβιδίου SIC του πυριτίου υψηλής αγνότητας για τον οπτική φακό ή τη συσκευή

Carborundum γκοφρετών υποστρωμάτων κρυστάλλου καρβιδίου SIC του πυριτίου

ΥΛΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΚΑΡΒΙΔΙΟΥ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ

Όνομα προϊόντων:

Υπόστρωμα κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου (SIC)

Περιγραφή προϊόντων:

2-6inch

Τεχνικές παράμετροι:

Δομή κυττάρων	Εξαγωνικός
Σταθερά δικτυωτού πλέγματος	α = 3,08 Å γ = 15,08 Å
Προτεραιότητες	ABCACB (6H)
Μέθοδος αύξησης	MOCVD
Κατεύθυνση	Άξονας αύξησης ή μερικά (0001) 3,5 °
Στίλβωση	Στίλβωση επιφάνειας Si
Bandgap	2.93 eV (έμμεσο)
Τύπος αγωγιμότητας	Ν ή seimi, υψηλή αγνότητα
Ειδική αντίσταση	0,076 ωμ-εκατ.
Permittivity	ε (11) = ε (22) = 9,66 ε (33) = 10,33
Θερμική αγωγιμότητα @ 300K	5 W/εκατ. Κ
Σκληρότητα	9.2 Mohs

Προδιαγραφές:

ο ν-τύπος ημιμονωτικό dia2 «x0.33mm, dia2» x0.43mm, dia2 ' x1mmt, 10x10mm, 10x5mm ν-τύπων 4H 6H ενιαίο ρίχνει ή το διπλάσιο ρίχνει, RA <10a>

Πρότυπα που συσκευάζουν:

καθαρό δωμάτιο 1000, καθαρή τσάντα 100 ή ενιαία συσκευασία κιβωτίων

Εφαρμογή του καρβιδίου του πυριτίου στη βιομηχανία συσκευών δύναμης

Νιτρίδιο GaN γαλλίου καρβιδίου SIC του πυριτίου Si πυριτίου μονάδων απόδοσης
Χάσμα ζωνών eV 1.12 3,26 3,41
Ηλεκτρικό πεδίο MV/cm διακοπής 0,23 2,2 3,3
Κινητικότητα cm^2/Vs ηλεκτρονίων 1400 950 1500
Ταχύτητα 10^7 cm/s κλίσης 1 2,7 2,5
Θερμική αγωγιμότητα W/cmK 1.5 3,8 1,3

Το κρύσταλλο SIC είναι ένα σημαντικό ευρύς-bandgap-ευρέως υλικό ημιαγωγών. Λόγω της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας, του υψηλού ποσοστού κλίσης ηλεκτρονίων, της υψηλής δύναμης τομέων διακοπής και των σταθερών σωματικών και χημικών ιδιοτήτων του, χρησιμοποιείται ευρέως σε υψηλής θερμοκρασίας, στις ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής συχνότητας και υψηλής δύναμης. Υπάρχουν περισσότεροι από 200 τύποι κρυστάλλων SIC που έχουν ανακαλυφθεί μέχρι στιγμής. Μεταξύ τους, τα κρύσταλλα 4H- και 6H-SIC έχουν παρασχεθεί εμπορικά. Όλοι ανήκουν στην ομάδα σημείου 6mm και έχουν μια second-order μη γραμμική οπτική επίδραση. Τα ημιμονωτικά κρύσταλλα SIC είναι ορατά και μέσα. Η υπέρυθρη ζώνη έχει μια υψηλότερη μετάδοση. Επομένως, οι οπτικοηλεκτρονικές συσκευές βασισμένες στα κρύσταλλα SIC είναι πολύ κατάλληλες για εφαρμογή στα ακραία περιβάλλοντα όπως υψηλής θερμοκρασίας και η υψηλή πίεση. Το ημιμονωτικό κρύσταλλο 4H-SIC έχει αποδειχθεί ένας νέος τύπος του μέσος-υπέρυθρου μη γραμμικού οπτικού κρυστάλλου. Έναντι των συνήθως χρησιμοποιημένων μέσος-υπέρυθρων μη γραμμικών οπτικών κρυστάλλων, το κρύσταλλο SIC έχει ένα ευρύ χάσμα ζωνών (3.2eV) που οφείλεται στο κρύσταλλο. , Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (490W/m·Κ) και μεγάλη ενέργεια δεσμών (5eV) μεταξύ του SIC, που κάνει το κρύσταλλο SIC να έχει ένα υψηλό κατώτατο όριο ζημίας λέιζερ. Επομένως, το ημιμονωτικό κρύσταλλο 4H-SIC ως μη γραμμικό κρύσταλλο μετατροπής συχνότητας έχει τα προφανή πλεονεκτήματα το υψηλής ισχύος μέσος-υπέρυθρο λέιζερ. Κατά συνέπεια, στον τομέα των υψηλής ισχύος λέιζερ, το κρύσταλλο SIC είναι ένα μη γραμμικό οπτικό κρύσταλλο με τις ευρείες προοπτικές εφαρμογής. Εντούτοις, η τρέχουσα έρευνα βάσισε στις μη γραμμικές ιδιότητες των κρυστάλλων SIC και οι σχετικές εφαρμογές δεν είναι ακόμα πλήρεις. Αυτή η εργασία παίρνει τις μη γραμμικές οπτικές ιδιότητες των κρυστάλλων 4H- και 6H-SIC ως κύριο ερευνητικό περιεχόμενο, και στοχεύει να λύσει μερικά βασικά προβλήματα των κρυστάλλων SIC από την άποψη των μη γραμμικών οπτικών ιδιοτήτων, ώστε να προωθηθεί η εφαρμογή των κρυστάλλων SIC στον τομέα της μη γραμμικής οπτικής. Μια σειρά σχετικής εργασίας έχει εκτελεσθεί θεωρητικά και πειραματικά. Τα κύρια ερευνητικά αποτελέσματα είναι τα ακόλουθα: 　　 Κατ' αρχάς, οι βασικές μη γραμμικές οπτικές ιδιότητες των κρυστάλλων SIC μελετώνται. Η μεταβλητή διάθλαση θερμοκρασίας των κρυστάλλων 4H- και 6H-SIC στις ορατές και μέσος-υπέρυθρες ζώνες (404.7nm~2325.4nm) εξετάστηκε, και η εξίσωση Sellmier του μεταβλητού δείκτη διάθλασης θερμοκρασίας εγκαταστάθηκε. Η ενιαία πρότυπη θεωρία ταλαντωτών χρησιμοποιήθηκε για να υπολογίσει τη διασπορά του θερμο-οπτικού συντελεστή. Μια θεωρητική εξήγηση δίνεται η επιρροή της θερμο-οπτικής επίδρασης στο ταίριασμα φάσης των κρυστάλλων 4H- και 6H-SIC μελετάται. Τα αποτελέσματα δείχνουν ότι το ταίριασμα φάσης των κρυστάλλων 4H-SIC δεν επηρεάζεται από τη θερμοκρασία, ενώ τα κρύσταλλα 6H-SIC δεν μπορούν ακόμα να επιτύχουν το ταίριασμα φάσης θερμοκρασίας. όρος. Επιπλέον, η συχνότητα που διπλασιάζει τον παράγοντα του ημιμονωτικού κρυστάλλου 4H-SIC εξετάστηκε με τη μέθοδο περιθωρίου κατασκευαστών.　　 Δεύτερον, η οπτικές παραγωγή παραμέτρου femtosecond και η απόδοση ενίσχυσης του κρυστάλλου 4H-SIC μελετώνται. Η φάση που ταιριάζουν με, το ταίριασμα ταχύτητας ομάδας, η καλύτερη μη-collinear γωνία και το καλύτερο μήκος κρυστάλλου του κρυστάλλου 4H-SIC που αντλούνται από το λέιζερ 800nm femtosecond αναλύονται θεωρητικά. Χρησιμοποίηση του λέιζερ femtosecond με ένα μήκος κύματος της παραγωγής 800nm από το Tj: Το λέιζερ σαπφείρου ως πηγή αντλιών, που χρησιμοποιεί τη δύο σταδίων οπτική παραμετρική τεχνολογία ενίσχυσης, που χρησιμοποιεί ένα 3.1mm παχύ ημιμονωτικό κρύσταλλο 4H-SIC ως μη γραμμικό οπτικό κρύσταλλο, κάτω από τη φάση 90° που ταιριάζει με, για πρώτη φορά, ένα μέσος-υπέρυθρο λέιζερ ένα κεντρικό μήκος κύματος 3750nm, μια ενιαία ενέργεια σφυγμού μέχρι 17μJ, και ένα πλάτος σφυγμού 70fs λήφθηκε πειραματικά. Το λέιζερ 532nm femtosecond χρησιμοποιείται ως φως αντλιών, και το κρύσταλλο SIC είναι 90° φάση-που ταιριάζουν με για να παραγάγει το φως σημάτων με ένα κεντρικό μήκος κύματος παραγωγής 603nm μέσω των οπτικών παραμέτρων. Τρίτον, η φασματική διευρύνοντας απόδοση του ημιμονωτικού κρυστάλλου 4H-SIC ως μη γραμμικό οπτικό μέσο μελετάται. Τα πειραματικά αποτελέσματα δείχνουν ότι το μισό-μέγιστο πλάτος του διευρυνμένου φάσματος αυξάνεται με το μήκος κρυστάλλου και το γεγονός πυκνότητας ισχύος λέιζερ στο κρύσταλλο. Η γραμμική αύξηση μπορεί να εξηγηθεί από την αρχή της διαμόρφωσης μόνος-φάσης, η οποία προκαλείται κυρίως από τη διαφορά του δείκτη διάθλασης του κρυστάλλου με την ένταση του συναφούς φωτός. Συγχρόνως, αναλύεται ότι στο χρονικό διάστημα femtosecond, ο μη γραμμικός δείκτης διάθλασης του κρυστάλλου SIC μπορεί να αποδοθεί κυρίως στα συνδεδεμένα ηλεκτρόνια στο κρύσταλλο και τα ελεύθερα ηλεκτρόνια στη ζώνη διεξαγωγής και η τεχνολογία ζ-ανίχνευσης χρησιμοποιείται για να μελετήσει προκαταρκτικά το κρύσταλλο SIC κάτω από το λέιζερ 532nm. Μη γραμμική απορρόφηση και μη γραμμική απόδοση δείκτη διάθλασης.

2. Un-doped sparent 4h-ΗΜΙ SIC ΠΛΙΝΘΏΜΑΤΑ υψηλής αγνότητας

Γκοφρέτα SIC & πλινθώματα 2-6inch και άλλο προσαρμοσμένο μέγεθος επίσης μπορεί να παρασχεθεί.

3.Products επίδειξη λεπτομέρειας

υψηλός θερμικής αγωγιμότητας φακός φραγμών ειδικής αντίστασης SIC οπτικός για την κβαντική οπτική 1

υψηλός θερμικής αγωγιμότητας φακός φραγμών ειδικής αντίστασης SIC οπτικός για την κβαντική οπτική 2

Παράδοση & συσκευασία

υψηλός θερμικής αγωγιμότητας φακός φραγμών ειδικής αντίστασης SIC οπτικός για την κβαντική οπτική 4

FAQ

Q1. Είναι η επιχείρησή σας ένα εργοστάσιο ή εμπορική επιχείρηση;
Είμαστε το εργοστάσιο και μπορούμε επίσης να κάνουμε την εξαγωγή οι ίδιοι.
Q2.Is εσείς εργασία επιχείρησης μόνο με την επιχείρηση SIC;
ναι εντούτοις δεν αυξανόμαστε το κρύσταλλο SIC από μόνο.
Q3. Θα μπορούσατε να παρέχετε το δείγμα;
Ναι, μπορούμε να παρέχουμε το δείγμα σαπφείρου σύμφωνα με την απαίτηση του πελάτη
Q4. Έχετε οποιοδήποτε απόθεμα των γκοφρετών SIC;
κρατάμε συνήθως μερικές τυποποιημένες γκοφρέτες μεγέθους SIC από τις γκοφρέτες 2-6inch στο απόθεμα
Το Q5.Where είναι η επιχείρησή σας τοποθετημένη.
Η επιχείρησή μας που βρίσκεται στη Σαγγάη, Κίνα.
Q6. Πόσο καιρό θα πάρει για να πάρει τα προϊόντα.
Γενικά θα διαρκέσει 3~4 εβδομάδες στη διαδικασία. Είναι εξαρτάται από το και μέγεθος των προϊόντων.

Ετικέττες:

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

GaAs γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων