Άχρωμος διαφανής του πυριτίου φακός γκοφρετών καρβιδίου γυαλισμένος SIC

Φυσικές & ηλεκτρονικές ιδιότητες του SIC έναντι GaAa και του Si

Ευρεία ενέργεια Bandgap (eV)

4H-SIC: 3.26 6H-SIC: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12

Οι ηλεκτρονικές συσκευές που διαμορφώνονται στο SIC μπορούν να λειτουργήσουν στις εξαιρετικά υψηλές θερμοκρασίες χωρίς να πάσσουν από τα εγγενή αποτελέσματα διεξαγωγής λόγω της ευρείας ενέργειας bandgap. Επίσης, αυτή η ιδιοκτησία επιτρέπει στο SIC για να εκπέμψει και να ανιχνεύσει το σύντομο φως μήκους κύματος που κάνει την επεξεργασία των μπλε εκπεμπουσών φως διόδων και σχεδόν των ηλιακών τυφλών UV φωτοανιχνευτών πιθανών.

Υψηλό ηλεκτρικό πεδίο διακοπής [V/cm (για τη λειτουργία 1000 Β)]

4H-SIC: 2.2 Χ 106* 6H-SIC: 2.4 GaAs Χ 106*: Si 3 X 105: 2.5 X 105

Το SIC μπορεί να αντισταθεί μια κλίση τάσης (ή το ηλεκτρικό πεδίο) πάνω από οκτώ φορές μεγαλύτερη από από το Si ή GaAs χωρίς να υποβληθεί στη διακοπή χιονοστιβάδων. Αυτό το υψηλό ηλεκτρικό πεδίο διακοπής επιτρέπει την επεξεργασία των πολύ υψηλής τάσεως, υψηλής ισχύος συσκευών όπως οι δίοδοι, των transitors δύναμης, thyristors δύναμης και των καταπιεστών κύματος, καθώς επίσης και των συσκευών μικροκυμάτων υψηλής δύναμης. Επιπλέον, επιτρέπει στις συσκευές για να τοποθετηθεί πολύ κοντά, παρέχοντας την υψηλή πυκνότητα συσκευασίας συσκευών για τα ολοκληρωμένα κυκλώματα.

Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (W/cm · Κ @ RT)
4H-SIC: 3.0-3.8 6H-SIC: 3.0-3.8 GaAs: 0,5 Si: 1.5

Το SIC είναι ένας άριστος θερμικός αγωγός. Η θερμότητα θα διατρέξει ευκολότερα του SIC από άλλα υλικά ημιαγωγών. Στην πραγματικότητα, στη θερμοκρασία δωματίου, το SIC έχει μια υψηλότερη θερμική αγωγιμότητα από οποιοδήποτε μέταλλο. Αυτή η ιδιοκτησία επιτρέπει στις συσκευές SIC για να λειτουργήσει εξαιρετικά σε επίπεδα υψηλής δύναμης και να διαλύσει ακόμα την υπερβολική θερμότητα μεγάλων ποσών που παράγεται.

Υψηλή διαποτισμένη ταχύτητα κλίσης ηλεκτρονίων [cm/sec (@ Ε V/cm ≥ 2 X 105)]

4H-SIC: 2.0 X 107 6H-SIC: 2.0 X GaAs 107: 1.0 X Si 107: 1.0 X 107
Οι συσκευές SIC μπορούν να λειτουργήσουν στις υψηλές συχνότητες (RF και μικρόκυμα) λόγω της υψηλής διαποτισμένης ταχύτητας κλίσης ηλεκτρονίων του SIC.