Κλειδιά [ silicon carbide substrate ] Συμφωνία 152 ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Σπίτι > ΠΡΟΪΟΝΤΑ >

silicon carbide substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Κατηγορίες

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

(40)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(76)

Υπόστρωμα SIC

(117)

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

(70)

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

(33)

Μέρη σαπφείρου

(69)

γυαλί κάλυψης σαπφείρου

(27)

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

(69)

Εξοπλισμός ημιαγωγών

(25)

LiNbO3 γκοφρέτα

(15)

GaAs γκοφρέτα

(25)

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

(12)

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

(22)

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

(12)

κεραμικό υπόστρωμα

(22)

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

(20)

Επαφές

Επαφές: Mr. Wang

Τηλ.:: 86-1580-1942596

Επικοινωνήστε τώρα

Στείλτε μας.

2/4/6/8 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 4H 6H 3C Τύπος Υποστήριξης Προσαρμόστε τη βιομηχανία ημιαγωγών Πολλαπλά μεγέθη

Πάρτε την καλύτερη τιμή

12 ιντσών Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Μεγάλο μέγεθος Μεγάλη καθαρότητα Διαμέτρου 300mm Κατηγορία προϊόντος Για επικοινωνία 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4,0° προς τα πάνω Prime Grade Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ

Πάρτε την καλύτερη τιμή

τύπος βαθμού Ν παραγωγής υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου γκοφρετών 8inch DSP 4H SIC για το πείραμα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή

6 ιντσών Sic Σιλικόνιοκαρβίδιο Υποστρώμα 4H-P Διαμέτρου 150 mm Δυναμικό 350 μm Μηδενική παραγωγή MPD, Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου 4'' Sic 3C-N Διαμέτρου 100 mm Ηλεκτρικό αγωγό τύπου μηδέν MPD Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Un-doped γκοφρέτα καρβιδίου SIC του πυριτίου υψηλής αγνότητας, 4H-ημι SIC υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου 6Inch

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H Χαμηλή αντίσταση υψηλή P-doped τύπος Διαμέτρου 50,8mm

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Βίντεο

Καρβιδίου του πυριτίου (SiC) υποστρώμα 6 ιντσών 8 ιντσών δοκιμαστικό βαθμό πλάκας για το Laser Cutting

Πάρτε την καλύτερη τιμή

1 2 3 4 5 6 7 8

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

Μέρη σαπφείρου

γυαλί κάλυψης σαπφείρου

eric_wang@zmsh-materials.com 86-1580-1942596

Δωμάτιο 1-1805, αριθ. 1079 δρόμος Dianshanhu, περιοχή Qingpu πόλη της Σαγκάης, Κίνα /201799

Γρήγοροι σύνδεσμοι

Σχεδιάγραμμα επιχείρησης Γύρος εργοστασίων Ποιοτικός έλεγχος Ειδήσεις SiteMap Πολιτική μυστικότητας