Αποτέλεσμα αναζήτησης

Σπίτι ΠΡΟΪΟΝΤΑ silicon carbide substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

Μας ελάτε σε επαφή με

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Επικοινωνήστε τώρα

Η αναζήτησή σου

[silicon carbide substrate ]

Συμφωνία

243

ΠΡΟΪΟΝΤΑ

2/4/6/8 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 4H 6H 3C Τύπος Υποστήριξης Προσαρμόστε τη βιομηχανία ημιαγωγών Πολλαπλά μεγέθη

Πάρτε την καλύτερη τιμή

12 ιντσών Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Μεγάλο μέγεθος Μεγάλη καθαρότητα Διαμέτρου 300mm Κατηγορία προϊόντος Για επικοινωνία 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4,0° προς τα πάνω Prime Grade Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ

Πάρτε την καλύτερη τιμή

τύπος βαθμού Ν παραγωγής υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου γκοφρετών 8inch DSP 4H SIC για το πείραμα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

6 ιντσών Sic Σιλικόνιοκαρβίδιο Υποστρώμα 4H-P Διαμέτρου 150 mm Δυναμικό 350 μm Μηδενική παραγωγή MPD, Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υψηλής ποιότητας υποστρώματα καρβιδίου πυριτίου 4H-N (12-ιντσών/300mm) για συσκευές υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου ημιαγωγών υψηλής καθαρότητας - Λύσεις γκοφρετών πολλαπλών διαμέτρων (2" έως 8")

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου 4'' Sic 3C-N Διαμέτρου 100 mm Ηλεκτρικό αγωγό τύπου μηδέν MPD Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Βίντεο

Υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου 4H για Ηλεκτρονικά Ισχύος, Συσκευές RF & Οπτοηλεκτρονικά UV

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H Χαμηλή αντίσταση υψηλή P-doped τύπος Διαμέτρου 50,8mm

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Un-doped γκοφρέτα καρβιδίου SIC του πυριτίου υψηλής αγνότητας, 4H-ημι SIC υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου 6Inch

Πάρτε την καλύτερη τιμή

1 2 3 4 5 6 7 8

Αποτελέσματα αναζήτησης

Σπίτι ΠΡΟΪΟΝΤΑ silicon carbide substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

Η αναζήτησή σου [ silicon carbide substrate ] Συμφωνία 243 ΠΡΟΪΟΝΤΑ

2/4/6/8 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 4H 6H 3C Τύπος Υποστήριξης Προσαρμόστε τη βιομηχανία ημιαγωγών Πολλαπλά μεγέθη

Πάρτε την καλύτερη τιμή

12 ιντσών Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Μεγάλο μέγεθος Μεγάλη καθαρότητα Διαμέτρου 300mm Κατηγορία προϊόντος Για επικοινωνία 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4,0° προς τα πάνω Prime Grade Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ

Πάρτε την καλύτερη τιμή

τύπος βαθμού Ν παραγωγής υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου γκοφρετών 8inch DSP 4H SIC για το πείραμα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

6 ιντσών Sic Σιλικόνιοκαρβίδιο Υποστρώμα 4H-P Διαμέτρου 150 mm Δυναμικό 350 μm Μηδενική παραγωγή MPD, Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υψηλής ποιότητας υποστρώματα καρβιδίου πυριτίου 4H-N (12-ιντσών/300mm) για συσκευές υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου ημιαγωγών υψηλής καθαρότητας - Λύσεις γκοφρετών πολλαπλών διαμέτρων (2" έως 8")

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

1 2 3 4 5 6 7 8

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

[silicon carbide substrate ]

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

2/4/6/8 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 4H 6H 3C Τύπος Υποστήριξης Προσαρμόστε τη βιομηχανία ημιαγωγών Πολλαπλά μεγέθη

12 ιντσών Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Μεγάλο μέγεθος Μεγάλη καθαρότητα Διαμέτρου 300mm Κατηγορία προϊόντος Για επικοινωνία 5G

2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4,0° προς τα πάνω Prime Grade Dummy Grade

2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής

Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ

τύπος βαθμού Ν παραγωγής υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου γκοφρετών 8inch DSP 4H SIC για το πείραμα

6 ιντσών Sic Σιλικόνιοκαρβίδιο Υποστρώμα 4H-P Διαμέτρου 150 mm Δυναμικό 350 μm Μηδενική παραγωγή MPD, Κατηγορία παραγωγής

6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade

Υψηλής ποιότητας υποστρώματα καρβιδίου πυριτίου 4H-N (12-ιντσών/300mm) για συσκευές υψηλής ισχύος

Υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου ημιαγωγών υψηλής καθαρότητας - Λύσεις γκοφρετών πολλαπλών διαμέτρων (2" έως 8")

Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα

2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής