logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά
Αποτέλεσμα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. silicon carbide substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Η αναζήτησή σου

  [silicon carbide substrate ]

  Συμφωνία  

160

  ΠΡΟΪΟΝΤΑ
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Καλή τιμή 8 κεραμικός δίσκος καρβιδίου του πυριτίου ίντσας για την κρυσταλλική επεξεργασία αύξησης Διαδικτυακά
Αποτελέσματα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. silicon carbide substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Η αναζήτησή σου  [ silicon carbide substrate ]  Συμφωνία 120 ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα 0.5mm καρβιδίου του πυριτίου όπως-περικοπών 4h-ν πάχος για την ηλεκτρονική δύναμης

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υψηλής καθαρότητας ημιμονωτική σφραγίδα SiC HPSI Silicon Carbide Substrate για συσκευές ισχύος και ραδιοσυχνοτήτων

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Σιλοκάρβυδης σίκι

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4inch καρβίδιο του πυριτίου πλινθωμάτων SIC πάχος 5 - 15mm για τους ημιαγωγούς

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4inch 6Inch 4h-ν 500mm πρωταρχικός πλαστός βαθμός υποστρωμάτων καρβιδίου SIC του πυριτίου γκοφρετών 350um SIC

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Δίσκος καρβιδίου του πυριτίου μονοκρυσταλλικού 12 ιντσών 300mm 4H-N 6H-N SiC για συσκευές ισχύος & LED

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4h-ΗΜΙ SIC καρβίδιο Wafersubstrate του πυριτίου 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

4h-ΗΜΙ SIC καρβίδιο Wafersubstrate του πυριτίου 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σημείο 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες Βιομηχανική χρήση Με επιφανειακή τραχύτητα ≤ 0,2 nm ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

Σημείο 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες Βιομηχανική χρήση Με επιφανειακή τραχύτητα ≤ 0,2 nm

Πάρτε την καλύτερη τιμή

8 ιντσών SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Τύπος P / D / R Βαθμός Mohs.9 Πολλαπλές εφαρμογές Προσαρμογή

Πάρτε την καλύτερη τιμή

12 ιντσών 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N τύπου Dummy Prime Research Grade Πολλαπλές εφαρμογές

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Συσκευές ημιαγωγών με καρβίδιο του πυριτίου Sic Πολλαπλές κρυσταλλικές μορφές 4H 6H 3C Τεχνικά διαμορφωμένα τσιπ επικοινωνίας 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ιντσών SIC Silicon Carbide Wafer Τύπος 4H-N Για συσκευή MOS διάμετρος 0,4mm

Πάρτε την καλύτερη τιμή
1 2 3 4 5 6 7 8