Λεπτομέρειες προϊόντων
Τόπος καταγωγής: Κίνα
Μάρκα: zmkj
Αριθμό μοντέλου: 4h-ν, 3inch
Όροι πληρωμής και αποστολής
Ποσότητα παραγγελίας min: 10pcs
Τιμή: by required
Συσκευασία λεπτομέρειες: Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στις κασέτες των ενιαίων εμπορευματοκ
Χρόνος παράδοσης: 10-20days
Δυνατότητα προσφοράς: 100pcs/months
Υλικό: |
κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου |
Μέγεθος: |
3inch ή 4inch |
404 Not Found: |
δοκιμή εξοπλισμού |
Ειδική αντίσταση: |
0.015~0.028Ω.cm |
Τύπος: |
4h-ν |
Πάχος: |
0.35mm |
Επιφάνεια: |
DSP |
Προσανατολισμός: |
0° από τον γ-άξονα |
Υλικό: |
κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου |
Μέγεθος: |
3inch ή 4inch |
404 Not Found: |
δοκιμή εξοπλισμού |
Ειδική αντίσταση: |
0.015~0.028Ω.cm |
Τύπος: |
4h-ν |
Πάχος: |
0.35mm |
Επιφάνεια: |
DSP |
Προσανατολισμός: |
0° από τον γ-άξονα |
ΠΛΑΣΤΆ υποστρώματα βαθμού SIC βαθμού παραγωγής τύπων 4h-ν 4inch dia100m, υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου για τη συσκευή ημιαγωγών,
οι προσαρμοσμένες γκοφρέτες κρυστάλλου SIC καρβιδίου του πυριτίου 4h-ν πάχους 4inch για το κρύσταλλο σπόρου 4inch βαθμολογούν
4h-ημι πλαστές γκοφρέτες καρβιδίου SIC του πυριτίου βαθμού δοκιμής 4h-ν 3inch 4inch
Carborundum γκοφρετών υποστρωμάτων κρυστάλλου καρβιδίου SIC του πυριτίου
ΥΛΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΚΑΡΒΙΔΙΟΥ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ
| Όνομα προϊόντων: | Υπόστρωμα κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου (SIC) | ||||||||||||||||||||||||
| Περιγραφή προϊόντων: | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
| Τεχνικές παράμετροι: |
|
||||||||||||||||||||||||
| Προδιαγραφές: | ο ν-τύπος ημιμονωτικό dia2 «x0.33mm, dia2» x0.43mm, dia2 ' x1mmt, 10x10mm, 10x5mm ν-τύπων 4H 6H ενιαίο ρίχνει ή το διπλάσιο ρίχνει, RA <10a> | ||||||||||||||||||||||||
| Πρότυπα που συσκευάζουν: | καθαρό δωμάτιο 1000, καθαρή τσάντα 100 ή ενιαία συσκευασία κιβωτίων |
2. μέγεθος υποστρωμάτων των προτύπων
|
προδιαγραφή υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου 4 ίντσας διαμέτρων (SIC) |
|||||||||
| Βαθμός | Μηδέν βαθμός MPD | Βαθμός παραγωγής | Ερευνητικός βαθμός | Πλαστός βαθμός | |||||
| Διάμετρος | 76.2 mm±0.3 χιλ. | ||||||||
| Πάχος | 350 μm±25μm (το πάχος 200-2000um είναι επίσης εντάξει) | ||||||||
| Προσανατολισμός γκοφρετών | Από τον άξονα: 4.0° προς <1120> ±0.5° για το τυποποιημένο μέγεθος 4h-ν | ||||||||
| Πυκνότητα Micropipe | ≤1 τ.εκ. | ≤5 τ.εκ. | ≤15 τ.εκ. | ≤50 τ.εκ. | |||||
| Ειδική αντίσταση | 4h-ν | 0.015~0.028 Ω•εκατ. | |||||||
| 6h-ν | 0.02~0.1 Ω•εκατ. | ||||||||
| 4/6h-Si | ≥1E5 Ω·εκατ. | ||||||||
| Αρχικοί επίπεδος και μήκος | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 χιλ. | ||||||||
| Δευτεροβάθμιο επίπεδο μήκος | 18.0mm±2.0 χιλ. | ||||||||
| Δευτεροβάθμιος επίπεδος προσανατολισμός | Πρόσωπο πυριτίου - επάνω: 90° CW. από πρωταρχικό επίπεδο ±5.0° | ||||||||
| Αποκλεισμός ακρών | 3 χιλ. | ||||||||
| TTV/Bow το /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Τραχύτητα | Πολωνικό Ra≤1 NM, CMP Ra≤0.5 NM | ||||||||
| Ρωγμές από το φως υψηλής έντασης | Κανένας | 1 επιτρεμμένος, ≤2 χιλ. | Συσσωρευτικό μήκος ≤ 10mm, ενιαίο length≤2mm | ||||||
| Πιάτα δεκαεξαδικού από το φως υψηλής έντασης | Συσσωρευτική περιοχή ≤1% | Συσσωρευτική περιοχή ≤1% | Συσσωρευτική περιοχή ≤3% | ||||||
| Περιοχές Polytype από το φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συσσωρευτική περιοχή ≤2% | Συσσωρευτική περιοχή ≤5% | ||||||
Γκοφρέτα SIC & πλινθώματα 2-6inch και άλλο προσαρμοσμένο μέγεθος επίσης μπορεί να παρασχεθεί.
3.Products επίδειξη λεπτομέρειας
Παράδοση & συσκευασία
