Να στείλετε μήνυμα
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Ταχυδρομείο: eric_wang@zmsh-materials.com Τηλ.: 86-1580-1942596

Σπίτι

>

ΠΡΟΪΟΝΤΑ >

indium arsenide wafer Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

ΟΛΑ ΤΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ

ΚΑΥΤΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Βίντεο Αγορά ultrathin πάχος 0.1mm διπλή γυαλισμένη πλευρά γκοφρέτα σαπφείρου 0.2mm 2inch Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

ultrathin πάχος 0.1mm διπλή γυαλισμένη πλευρά γκοφρέτα σαπφείρου 0.2mm 2inch

Αγορά 4inch 6Inch 4h-ν 500mm πρωταρχικός πλαστός βαθμός υποστρωμάτων καρβιδίου SIC του πυριτίου γκοφρετών 350um SIC Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4inch 6Inch 4h-ν 500mm πρωταρχικός πλαστός βαθμός υποστρωμάτων καρβιδίου SIC του πυριτίου γκοφρετών 350um SIC

Αγορά προσαρμοσμένο γκοφρέτα μέγεθος 2-4inch HVPE GaN ελεύθερο - μόνιμο υλικό ενιαίου κρυστάλλου GaN Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

προσαρμοσμένο γκοφρέτα μέγεθος 2-4inch HVPE GaN ελεύθερο - μόνιμο υλικό ενιαίου κρυστάλλου GaN

Βίντεο Αγορά Al2O3 9,0 σκληρότητα νάρκωσε το γυαλισμένο συνθετικό ρουμπίνι Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Al2O3 9,0 σκληρότητα νάρκωσε το γυαλισμένο συνθετικό ρουμπίνι

Βίντεο Αγορά Οπτικό συνθετικό ρουμπίνι κρυστάλλου σαπφείρου για το γυαλί ρολογιών Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Οπτικό συνθετικό ρουμπίνι κρυστάλλου σαπφείρου για το γυαλί ρολογιών

Αγορά Γκοφρέτες Heatsink διαμαντιών GaN μεθόδου MPCVD για τη θερμική διοικητική περιοχή Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Γκοφρέτες Heatsink διαμαντιών GaN μεθόδου MPCVD για τη θερμική διοικητική περιοχή

Αγορά Ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών EPI των οδηγήσεων μικροϋπολογιστών gaN--GaN 2 ίντσα Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών EPI των οδηγήσεων μικροϋπολογιστών gaN--GaN 2 ίντσα

Αγορά 2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP

indium arsenide wafer (11) Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ποιότητα 500um γκοφρέτα διάμετρος 50.8mm κρυστάλλου InAs γκοφρετών αρσενίδιων ίνδιου πάχους 2 ίντσας εργοστάσιο

500um γκοφρέτα διάμετρος 50.8mm κρυστάλλου InAs γκοφρετών αρσενίδιων ίνδιου πάχους 2 ίντσας

Ποιότητα 4 γκοφρέτα αρσενίδιων γαλλίου ίντσας, Gaas υπόστρωμα για τα κράματα χαμηλής θερμοκρασίας εργοστάσιο

4 γκοφρέτα αρσενίδιων γαλλίου ίντσας, Gaas υπόστρωμα για τα κράματα χαμηλής θερμοκρασίας

Ποιότητα N - GaAs γκοφρετών αρσενίδιων γαλλίου τύπων υποστρώματα ενιαίου κρυστάλλου 2 - 6 ίντσα εργοστάσιο

N - GaAs γκοφρετών αρσενίδιων γαλλίου τύπων υποστρώματα ενιαίου κρυστάλλου 2 - 6 ίντσα

Ποιότητα Dia 50.8mm γκοφρέτα αρσενίδιων γαλλίου 2 ίντσας για το υπόστρωμα ημιαγωγών εργοστάσιο

Dia 50.8mm γκοφρέτα αρσενίδιων γαλλίου 2 ίντσας για το υπόστρωμα ημιαγωγών

Ποιότητα Laalo3 υπόστρωμα, Lanthanum γκοφρετών αρσενίδιων γαλλίου υπόστρωμα κρυστάλλου αργιλικών αλάτων εργοστάσιο

Laalo3 υπόστρωμα, Lanthanum γκοφρετών αρσενίδιων γαλλίου υπόστρωμα κρυστάλλου αργιλικών αλάτων

Ποιότητα Gaas μεθόδου VGF γκοφρέτα Dia 150mm ημι - μονώνοντας τύπος για τη μικροηλεκτρονική εργοστάσιο

Gaas μεθόδου VGF γκοφρέτα Dia 150mm ημι - μονώνοντας τύπος για τη μικροηλεκτρονική

Ποιότητα ναρκωμένη γκοφρέτα αρσενίδιων γαλλίου ν-τύπων 3inch 76.2mm το S για τη μικροηλεκτρονική εργοστάσιο

ναρκωμένη γκοφρέτα αρσενίδιων γαλλίου ν-τύπων 3inch 76.2mm το S για τη μικροηλεκτρονική

Ποιότητα Διπλά γυαλισμένα πλευρά τσιπ υποστρωμάτων κρυστάλλου γκοφρετών 1sp 2sp 10X10mm GGG Semicondutor εργοστάσιο

Διπλά γυαλισμένα πλευρά τσιπ υποστρωμάτων κρυστάλλου γκοφρετών 1sp 2sp 10X10mm GGG Semicondutor

Ποιότητα μικρό τετραγωνικό Titanate στροντίου υποστρωμάτων 10X10mm Srtio3 για το οπτικό παράθυρο γυαλιού εργοστάσιο

μικρό τετραγωνικό Titanate στροντίου υποστρωμάτων 10X10mm Srtio3 για το οπτικό παράθυρο γυαλιού

Ποιότητα Το Si νάρκωσε τον Undoped GaAs τύπο υποστρωμάτων 2inch Ν αρσενίδιων γαλλίου γκοφρετών εργοστάσιο

Το Si νάρκωσε τον Undoped GaAs τύπο υποστρωμάτων 2inch Ν αρσενίδιων γαλλίου γκοφρετών

Ποιότητα 2 "S Ντόπιση GaP Ημιαγωγός EPI Wafer N Τύπος P Τύπος 250um 300um Διοδείες εκπομπής φωτός εργοστάσιο

2 "S Ντόπιση GaP Ημιαγωγός EPI Wafer N Τύπος P Τύπος 250um 300um Διοδείες εκπομπής φωτός

1