SOI Wafer: Χαμηλότερη παρασιτική χωρητικότητα, ισχυρότερη ανοσία στο latch-up, βελτιωμένη αντίσταση στην ακτινοβολία

Πληροφορίες προϊόντος

     
      Το SOI (Silicon-on-Insulator) είναι μια γκοφρέτα δομής «σάντουιτς» που αποτελείται από τρία στρώματα: το ανώτερο στρώμα πυριτίου, επίσης γνωστό ως Top Si / Στρώμα συσκευής, χρησιμοποιείται για την κατασκευή τρανζίστορ. Το μεσαίο στρώμα είναι το Buried Oxide (BOX), το οποίο παρέχει ηλεκτρική μόνωση. και το κάτω στρώμα είναι το υπόστρωμα στήριξης πυριτίου (Handle/Substrate Wafer).

Σε σύγκριση με τις συμβατικές γκοφρέτες Bulk Si, οι γκοφρέτες SOI διαθέτουν πλήρη διηλεκτρική απομόνωση, επιτρέποντας χαμηλότερη παρασιτική χωρητικότητα και ρεύμα διαρροής, ισχυρότερη ατρωσία ασφαλείας, βελτιωμένη αντίσταση ακτινοβολίας και χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας. Ως αποτέλεσμα, το SOI είναι ένα βασικό υλικό υποστρώματος για συσκευές RF front-end, συσκευές ισχύος, λογικές διαδικασίες FD-SOI, φωτονική, MEMS και άλλες προηγμένες εφαρμογές ημιαγωγών.
          

         
 

Στόχοι Διαδικασίας

     Ο βασικός στόχος τουΚατασκευή γκοφρέτας SOIείναι η απόκτηση μιας λεπτής μεμβράνης πυριτίου μονού κρυστάλλου πάνω από ένα μονωτικό στρώμα, με επακριβώς ελεγχόμενο πάχος, ποιότητα κρυστάλλου συγκρίσιμη με το χύμα πυρίτιο και μια εξαιρετικά λεία επιφάνεια που πλησιάζει την επιπεδότητα ατομικού επιπέδου.

Συγκεκριμένα, η διαδικασία στοχεύει:

①Ελέγξτε με ακρίβεια το πάχος του στρώματος της συσκευής και του στρώματος BOX, με ομοιομορφία πάχους σε επίπεδο νανομέτρων. Για το FD-SOI, το ανώτερο στρώμα πυριτίου απαιτεί τυπικά ομοιομορφία πάχους της τάξης του±0,5 nm.

②Διατηρήστε υψηλή ποιότητα μονοκρυστάλλου στο επάνω στρώμα πυριτίου, με χαμηλή πυκνότητα εξάρθρωσης, μεγάλη διάρκεια ζωής του φορέα μειοψηφίας και χωρίς υπολειπόμενες ζημιές πλέγματος όπως ο σκληρός δίσκος.

③Επιτύχετε υψηλή αντοχή σε διάσπαση, χαμηλό ρεύμα διαρροής και χαμηλή πυκνότητα κατάστασης διεπαφής στο στρώμα BOX, με ένταση ηλεκτρικού πεδίου της τάξης του>10 MV/cm.

④Εξασφαλίστε μια διεπαφή συγκόλλησης χωρίς κενά, χωρίς κινδύνους τοπικής αποκόλλησης, ενώ παρέχει μακροπρόθεσμη αξιοπιστία που πληροί τις απαιτήσεις της συσκευής.

⑤Βεβαιωθείτε ότι τα επιφανειακά σωματίδια, η μεταλλική μόλυνση και η τραχύτητα της επιφάνειαςπληρούν τις απαιτήσεις καθαριότητας και ποιότητας γιαΕφαρμογές ημιαγωγών βαθμού IC.

                                                             


Σύγκριση βασικών διαδρομών παραγωγής SOI

 

Λεπτομερής ροή διαδικασίας Smart Cut™

Επισκόπηση διαδικασίας:
Επιθεώρηση εισερχόμενης γκοφρέτας πυριτίου → Καθαρισμός RCA → Θερμική οξείδωση (BOX) → Εμφύτευση ιόντων υδρογόνου → Καθαρισμός / Ενεργοποίηση επιφάνειας → Συγκόλληση γκοφρέτας → ανόπτηση διαχωρισμού → ανόπτηση αφυδρογόνωσης → τραχιά λείανση / αραίωση → λείανση CMP + κρίσιμο Επιθεώρηση & Ταξινόμηση → Τελικός Καθαρισμός & Συσκευασία



Βήμα 1 | Incoming Wafer Inspection & RCA Cleaning

Στόχος της διαδικασίας: Απομάκρυνση σωματιδίων, οργανικών ρύπων, ιόντων μετάλλων και της στοιβάδας του φυσικού οξειδίου από την επιφάνεια του πλακιδίου πυριτίου, αποκτώντας μια καθαρή και υδρόφιλη (με τερματισμό υδροξυλίου) επιφάνεια για επακόλουθη οξείδωση και συγκόλληση γκοφρέτας.

Κύρια διαδικασία:
SC-1 (NH4OH/H2O2/DI για αφαίρεση σωματιδίων και οργανικών)
→ DHF (αραιωμένο HF για αφαίρεση φυσικού οξειδίου)
→ SC-2 (HCl/H2O2/DI για αφαίρεση μεταλλικών ρύπων)
→ Ξέπλυμα υπερχείλισης + στέγνωμα αργού ξεπλύματος (SRD)

ΠαραγωγήΕξοπλισμός:

Πλήρως αυτοματοποιημένα συστήματα υγρού καθαρισμού παρτίδας 8 ιντσών/12 ιντσών (Wet Bench), καθαριστικά μονής γκοφρέτας όπως συστήματα SDI και TEL, συστήματα καθαρισμού με μεγαηχητική βοήθεια και στεγνωτήρια SRD.

Υλικά και χημικά διεργασιών:
Ηλεκτρονικής ποιότητας NH4OH, H2O2, HCl και HF. υπερκαθαρό απιονισμένο νερό (DIW, ειδική αντίσταση 18,2 MΩ·cm). και υψηλής καθαρότητας N2.

                                             

Βήμα 2 | Θερμική οξείδωση για BOX Growth
Στόχος της διαδικασίας:

Για να αναπτυχθεί ένα στρώμα θερμικού οξειδίου υψηλής ποιότητας στην επιφάνεια της γκοφρέτας σπόρων/δότων, το οποίο χρησιμεύει ως το στρώμα θαμμένου οξειδίου (BOX) της τελικής γκοφρέτας SOI. Το τυπικό πάχος κυμαίνεται από25 nm έως 3 μm, ανάλογα με την εφαρμογή. Για παράδειγμα, ορισμένες συσκευές ραδιοσυχνοτήτων χρησιμοποιούν συνήθως ένα υπόστρωμα χαμηλής αντίστασης σε συνδυασμό με ένα σχετικά παχύ στρώμα BOX.

Η πυκνότητα του οξειδίου, τα χαρακτηριστικά κατάστασης διεπαφής και η ομοιομορφία πάχους επηρεάζουν άμεσα την ηλεκτρική μόνωση και την απόδοση διάσπασης του στρώματος BOX.

Κύρια διαδικασία:
Μπορεί να χρησιμοποιηθεί μια αλληλουχία θερμικής οξείδωσης Dry-Wet-Dry, συνήθως σε1000–1150°C. Για προϊόντα υψηλότερων προδιαγραφών, μπορεί να χρησιμοποιηθεί εκτεταμένη ξηρή οξείδωση για να ληφθεί πιο πυκνό στρώμα οξειδίου και βελτιωμένη ποιότητα διεπαφής.

Εξοπλισμός Παραγωγής:
Κλίβανοι κάθετης οξείδωσης, κάμινοι οριζόντιας διάχυσης και συστήματα ταχείας θερμικής οξείδωσης RTP (RTO).

Υλικά και αέρια διεργασιών:
Υψηλής καθαρότητας O2 (≥99,999%), H2 για παραγωγή υγρής οξείδωσης με θάλαμο καύσης, υψηλής καθαρότητας N2/Ar για αδρανείς ατμόσφαιρες, σωλήνες κλιβάνου χαλαζία και βάρκες γκοφρέτας SiC.

                                                  


Βήμα 3 | Εμφύτευση ιόντων υδρογόνου — Core of Smart Cut™

Στόχος της διαδικασίας:
     Ιόντα υδρογόνου όπως Η+, ή συνδυασμένα ιόντα H2+/He+, εμφυτεύονται μέσω της στιβάδας οξειδίου στο πυρίτιο σε ελεγχόμενο βάθος, σχηματίζοντας μια μικροκοιλότητα ή εξασθενημένο στρώμα. Αυτό το βάθος αντιστοιχεί στο τελικό πάχος του στρώματος της συσκευής SOI.
Οι τυπικές ενέργειες εμφύτευσης κυμαίνονται από10–200 keV, με δόσεις εμφύτευσης περίπου2×1016–8×1016 ιόντα/cm². Η ενέργεια και η δόση εμφύτευσης επηρεάζουν το πάχος του μεταφερόμενου στρώματος και την ποιότητα της τελικής επιφάνειας.

Πλήκτρα ελέγχου:

• Ομοιομορφία εμφύτευσης εντός πλακιδίου: <1%
• Ψύξη γκοφρέτας για την αποφυγή ανεπιθύμητων θερμικών επιπτώσεων κατά την εμφύτευση
• Σταθερότητα δέσμης ιόντων
• Ηλεκτροστατική σάρωση δέσμης ή περιστροφή γκοφρέτας σε υψηλότερες ενέργειες για βελτίωση της ομοιομορφίας εμφύτευσης

Εξοπλισμός Παραγωγής:
Εμφυτευτές ιόντων υψηλής ενέργειας/υψηλού ρεύματος.

Υλικά και εξαρτήματα:
Αέριο H2 υψηλής καθαρότητας για διάσταση και ιονισμό, εξαρτήματα θωράκισης SiC/γραφίτη και συγκροτήματα κυπέλλου Faraday.



                                                 

Βήμα 4 | Καθαρισμός Επιφανειών & Ενεργοποίηση Plasma
Στόχος της διαδικασίας:
Μετά την εμφύτευση ιόντων, η επιφάνεια του πλακιδίου καθαρίζεται για την απομάκρυνση των ρύπων. Η επιφάνεια εμφύτευσης και η επιφάνεια του πλακιδίου χειρολαβής ενεργοποιούνται στη συνέχεια με πλάσμα, συνήθως χρησιμοποιώντας πλάσμα N2/O2/Ar, για να αυξηθεί η επιφανειακή πυκνότητα υδροξυλίου και να βελτιωθεί η ικανότητα σύνδεσης, επιτρέποντας επαρκή αρχική αντοχή δεσμού σε θερμοκρασία δωματίου.

Εξοπλισμός Παραγωγής:
Συστήματα ενεργοποίησης πλάσματος και συγκόλλησης πλάσματος που ενσωματώνουν θάλαμο πλάσματος RF και θάλαμο συγκόλλησης, μαζί με συστήματα καθαρισμού μονής γκοφρέτας.

Υλικά και αέρια διεργασιών:
Αέρια διεργασίας N2, O2 και Ar υψηλής καθαρότητας, DIW και αποκλειστικά χημικά καθαρισμού.

Βήμα 5 | Συγκόλληση γκοφρέτας
Στόχος της διαδικασίας:
Η ενεργοποιημένη γκοφρέτα σπόρων/δότης, με την επιφάνεια οξειδίου/εμφυτευμένης στραμμένη προς τα κάτω, ευθυγραμμίζεται και έρχεται σε επαφή με τη γκοφρέτα χειρολαβής κάτω από ελεγχόμενη ατμόσφαιρα. Οι δυνάμεις Van der Waals και οι δεσμοί υδρογόνου επιτρέπουν την άμεση σύνδεση σε θερμοκρασία δωματίου (Direct Bonding / SDB). Τα μακροσκοπικά κενά θα πρέπει να αποφεύγονται στη διεπαφή συγκόλλησης.

Πλήκτρα ελέγχου:

• Ακρίβεια ευθυγράμμισης συγκόλλησης
• Επίπεδο κενού θαλάμου
• Πρόληψη παγίδευσης αερίου στην άκρη της γκοφρέτας
• Σύνδεση διάδοσης μετώπου κύματος από το κέντρο προς την άκρη
• Αρχική αντοχή δεσμού

Εξοπλισμός Παραγωγής:
Πλήρως αυτοματοποιημένα συστήματα συγκόλλησης γκοφρέτας τύπου cluster.

Υλικά και αέρια διεργασιών:
N2 υψηλής καθαρότητας και DIW.
,
                   
 

Βήμα 6 | Ανοπτητή διάσπασης & αφυδρογόνωσης
 

Στόχος της διαδικασίας:

① Διαίρεση ανόπτησης: Τυπικά εκτελείται σε400–600°C. Η αυξανόμενη πίεση υδρογόνου εντός των εμφυτευμένων μικροκοιλοτήτων οδηγεί στη διάδοση της ρωγμής, προκαλώντας τη διάσπαση της γκοφρέτας σπόρων/δότων κατά μήκος του προκαθορισμένου εξασθενημένου στρώματος. Η προκύπτουσα σχισμένη επιφάνεια παρουσιάζει γενικά τραχύτητα κλίμακας νανομέτρων.

② Ανόπτηση αφυδρογόνωσης: Τυπικά πραγματοποιείται σε900–1100°Cγια την απομάκρυνση του υπολειμματικού υδρογόνου από το ανώτερο στρώμα πυριτίου ενισχύοντας περαιτέρω τη διεπαφή δεσμού Si–O–Si και αυξάνοντας τη συνολική αντοχή του δεσμού.

Εξοπλισμός Παραγωγής:

Κλίβανοι ανόπτησης συμπλέγματος, κάμινοι κάθετης ανόπτησης και συστήματα RTP.

Υλικά και αέρια διεργασιών:

Υψηλής καθαρότητας N2/Ar, με ορισμένες διεργασίες που χρησιμοποιούν ατμόσφαιρες που περιέχουν ίχνη O2. βάρκες χαλαζία και σωλήνες φούρνου.

Σημείωμα:

Η σχισμένη γκοφρέτα δότη μπορεί να επαναχρησιμοποιηθεί μετά από επακόλουθο γυάλισμα, κάτι που είναι ένα από τα σημαντικά πλεονεκτήματα κόστους της διαδικασίας Smart Cut™ έναντι των συμβατικών BESOI.

                                                       

Βήμα 7 | Rough Thinning (BESOI Route) / Grinding
Στόχος της διαδικασίας:

Για το Smart Cut™, η σχισμένη επιφάνεια του ανώτερου στρώματος πυριτίου γενικά διατηρεί διακυμάνσεις επιφάνειας κλίμακας νανομέτρων, επομένως εκτελείται πρώτα ένα ελαφρύ βήμα λείανσης χρησιμοποιώντας τροχό λείανσης διαμαντιών για την αφαίρεση μεγαλύτερων επιφανειακών ανωμαλιών.

Για τη διαδρομή BESOI, το συνδεδεμένο επάνω στρώμα πυριτίου συνήθως αλέθεται προς τα κάτω από περίπου725 μmστο πάχος στόχος, το οποίο μπορεί να κυμαίνεται από αρκετά μικρόμετρα έως αρκετές δεκάδες μικρόμετρα, ακολουθούμενη από υγρή χάραξη χρησιμοποιώντας ένα κατάλληλο στρώμα φραγής χάραξης για λεπτότερο έλεγχο του πάχους.
 

Εξοπλισμός Παραγωγής:

Μύλοι γκοφρέτας πυριτίου. Τα συστήματα υγρής χημικής αραίωσης μπορούν επίσης να χρησιμοποιηθούν για τη διαδικασία BESOI.

Υλικά και Αναλώσιμα Διεργασιών:

Διαμαντένιοι τροχοί λείανσης, πολτός λείανσης και χαρακτικά για επεξεργασία etch-stop στη διαδρομή BESOI.
 

Βήμα 8 | CMP — Χημική μηχανική στίλβωση

Στόχος της διαδικασίας:

Το CMP χρησιμοποιείται για να μειώσει περαιτέρω το ανώτερο στρώμα πυριτίου στο πάχος στόχου, ενώ μειώνει την τραχύτητα της επιφάνειας σεRMS < 0,15 nm, με βάση μια σάρωση AFM 1 × 1 μm, προκειμένου να πληρούνται οι παγκόσμιες και τοπικές απαιτήσεις επιπεδότητας.

Αυτό το βήμα είναι μια από τις βασικές διαδικασίες για την επίτευξη της άριστηςομοιομορφία πάχους συσκευής-στρώματος.

Στοιχεία ελέγχου πλήκτρων:

1. Ρυθμός στίλβωσης και επιλεκτικότητα

2. Ανίχνευση τελικού σημείου σε πραγματικό χρόνο, όπως παρακολούθηση δινορευμάτων ή οπτικού πάχους

3. Διαχείριση κατάστασης γυαλίσματος-pad

4. Καθαρισμός μετά το CMP για αποφυγή υπολειμμάτων σωματιδίων και μετάλλων
   
                                                             
    

Βήμα 8 | CMP — Χημική μηχανική στίλβωση

Στόχος της διαδικασίας:

Το CMP χρησιμοποιείται για να μειώσει περαιτέρω το ανώτερο στρώμα πυριτίου στο πάχος-στόχος, ενώ ταυτόχρονα μειώνει την τραχύτητα της επιφάνειαςRMS < 0,15 nm, με βάση μια σάρωση AFM 1 × 1 μm, προκειμένου να πληρούνται οι παγκόσμιες και τοπικές απαιτήσεις επιπεδότητας.

Αυτό το βήμα είναι μια από τις βασικές διαδικασίες για την επίτευξη της άριστηςομοιομορφία πάχους συσκευής-στρώματος.

Στοιχεία ελέγχου πλήκτρων:

• Ρυθμός στίλβωσης και επιλεκτικότητα

• Ανίχνευση τελικού σημείου σε πραγματικό χρόνο, όπως παρακολούθηση δινορευμάτων ή οπτικού πάχους

• Διαχείριση κατάστασης γυαλίσματος-pad

• Καθαρισμός μετά το CMP για αποφυγή υπολειμμάτων σωματιδίων και μετάλλων

Εξοπλισμός Παραγωγής:

Συστήματα γυαλίσματος CMP + scrubbers post-CMP.

Υλικά & Αναλώσιμα:

Εναιώρημα με βάση το αλκαλικό πυρίτιο για στίλβωση με πυρίτιο, που περιέχει κολλοειδή λειαντικά πυριτίου και τροποποιητές pH με βάση ΚΟΗ/αμίνη. επιθέματα γυαλίσματος πολυουρεθάνης, DIW και μαξιλαράκια μαξιλαριών (δίσκοι).

,

Βήμα 9 | Θυσιαστική Οξείδωση & Τελική Χημική Στίλβωση
Στόχος της διαδικασίας:

Ένα λεπτό στρώμα θερμικού οξειδίου αναπτύσσεται στο επάνω πυρίτιο με φινίρισμα CMP, καταναλώνοντας περίπου10–20 nmτου πυριτίου. Αυτό μεταφέρει υποεπιφανειακή ζημιά (SSD) και υπολειμματικά μικροελαττώματα που εισάγονται κατά τη διάρκεια της CMP στο στρώμα οξειδίου, το οποίο στη συνέχεια αφαιρείται χρησιμοποιώντας HF.

Για επιλεγμένα προϊόντα, μπορεί να εφαρμοστεί ένα επιπλέον ελαφρύ Touch Polish / Final Polish για περαιτέρω βελτίωση της ποιότητας της επιφάνειας.

Αυτό το βήμα βοηθά στη μείωση της πυκνότητας των ελαττωμάτων της επιφάνειας και στη βελτίωση της τελικής κατάστασης της επιφάνειας του πλακιδίου.

Εξοπλισμός Παραγωγής:
Κλίβανοι οξείδωσης / συστήματα RTO, συστήματα χάραξης και καθαρισμού παρτίδας HF και συστήματα CMP τελικής στίλβωσης μονής πλακέτας (προαιρετικά).

Υλικά & Χημικά:
Υψηλής καθαρότητας O2, ρυθμιστικά BOE/HF, DIW και N2.

Βήμα 10 | Επιθεώρηση, ανόπτηση & τελική συσκευασία

Στόχος της διαδικασίας:

Εκτελούνται εκτενείς επιθεωρήσεις διαστάσεων, ηλεκτρικών, ποιοτικών επιφανειών και οπτικών επιθεωρήσεων σύμφωνα με τις προδιαγραφές του προϊόντος, ακολουθούμενες από ταξινόμηση προϊόντων όπως π.χ.Prime / Test / Controlμε βάση τα αποτελέσματα των επιθεωρήσεων.

Μετά τον τελικό καθαρισμό, οι γκοφρέτες σφραγίζονται και συσκευάζονται σε ελεγχόμενο περιβάλλον. Μπορεί να χρησιμοποιηθεί σφράγιση υπό κενό ή γεμάτη με άζωτο συσκευασία για να ελαχιστοποιηθεί ο κίνδυνος μόλυνσης από σωματίδια και περιβάλλον κατά τη μεταφορά και την αποθήκευση.

Εξοπλισμός Παραγωγής:

Διάφορα συστήματα επιθεώρησης και μετρολογίας γκοφρετών, μαζί με καθαρές γραμμές συσκευασίας, συμπεριλαμβανομένων καθαρών σταθμών εργασίας και αυτοματοποιημένου εξοπλισμού φόρτωσης κιβωτίων γκοφρέτας.

Υλικά συσκευασίας:

Φορείς γκοφρέτας όπως συστήματα FOSB, G1000 και ανοιχτού τύπου Empak, καθαρές σακούλες συσκευασίας, N2 υψηλής καθαρότητας και υλικά ετικετών.

Είδη & Εξοπλισμός Μετρολογίας
 

Βασικές Πρώτες Ύλες & Αναλώσιμα Διεργασιών

Απαιτήσεις Περιβάλλοντος Παραγωγής
 

① <br>Καθαριότητα: Η CMP, ο καθαρισμός, η επιθεώρηση και η συσκευασία πρέπει να εκτελούνται σεΚλάση ISO 3–4 (Κλάση 1–10)καθαρά δωμάτια. Θα πρέπει να διατηρούνται περιοχές για οξείδωση, ανόπτηση και εμφύτευση ιόντωνΚλάση ISO 5–6 ή καλύτερη.

② <br>Θερμοκρασία & Υγρασία:Θερμοκρασία περιβάλλοντος:22±1°C; συνιστώνται αίθουσες μετρολογίας στο20±0,5°Cγια βελτιωμένη ακρίβεια μέτρησης πάχους φιλμ. Σχετική υγρασία:40%-50%; η περιοχή προ-συγκόλλησης συνιστάται στο45%±5%για τη διατήρηση σταθερών συνθηκών υδροξυλίου στην επιφάνεια.

③ <br>Έλεγχος κραδασμών: Οι περιοχές για CMP, οπτική μέτρηση πάχους φιλμ και AFM θα πρέπει να χρησιμοποιούν απομονωμένα θεμέλια ή μέτρα απομόνωσης κραδασμών και να συμμορφώνονται με τηνΚριτήρια δόνησης ISO VCκαθορίζονται από τους κατασκευαστές εξοπλισμού, ελαχιστοποιώντας τον θόρυβο μέτρησης και τα σχέδια επιφανειών που σχετίζονται με τη στίλβωση.

④ <br>UPW & Χημικά:Το υπερκαθαρό νερό (UPW) πρέπει να έχει ειδική αντίσταση ίση με18,2 MΩ·cm στους 25°Cκαι TOC<5 ppb. Τα χημικά ηλεκτρονικής ποιότητας θα πρέπει να ελέγχονται σύμφωνα με τα ισχύοντα πρότυπα SEMI και μπορούν να παρέχονται μέσω ενός κεντρικού συστήματος διαχείρισης και προμήθειας χημικών (CMS).

⑤ ESD 与交叉污染<br>ESD & Έλεγχος διασταυρούμενης μόλυνσης: Οι γκοφρέτες υψηλής αντίστασης είναι πιο ευαίσθητες σε ηλεκτροστατικά φαινόμενα και έλξη σωματιδίων. Απαιτούνται επομένως ιονιστές, γείωση και άλλα μέτρα ελέγχου της ESD. Ο εξοπλισμός, τα εξαρτήματα και τα αναλώσιμα θα πρέπει να διαχωρίζονται μεταξύ διαφορετικών προδιαγραφών ντόπινγκ για να αποφευχθεί η διασταυρούμενη μόλυνση και η μετατόπιση της ειδικής αντίστασης.

                                               


Σύναψη
 

     Οι γκοφρέτες SOI είναι ένα κλασικό παράδειγμα"Υλικό ως συσκευή",όπου μια λεπτή μεμβράνη πυριτίου με έλεγχο πάχους σε επίπεδο νανομέτρων επηρεάζει άμεσα τα όρια απόδοσης των κατάντη συσκευών ημιαγωγών.

ΑπόΚαθαρισμός RCA, η οποία δημιουργεί μια εξαιρετικά ελεγχόμενη και χωρίς μόλυνση επιφάνεια εκκίνησης, ναεμφύτευση ιόντων υδρογόνου, το οποίο ορίζει επακριβώς το διαχωριστικό στρώμα, και τέλος ναCMP (Χημική μηχανική στίλβωση)καιθυσιαστική οξείδωση, που δημιουργούν μια εξαιρετικά λεία επιφάνεια με χαμηλά ελαττώματα, κάθε στάδιο αντιπροσωπεύει μια ακριβή ενοποίηση υλικών, εξοπλισμού και τεχνολογιών μετρολογίας.

Ως εφαρμογές όπωςFD-SOI, συσκευές πρόσοψης RF, φωτονική πυριτίου και συσκευές υψηλής τάσηςσυνεχίσει να αναπτύσσεται, η κατασκευή γκοφρέτας SOI αντιμετωπίζει όλο και πιο αυστηρές απαιτήσεις γιαέλεγχος πάχους στρώματος συσκευής, απόδοση BOX, ποιότητα επιφάνειας και διαχείριση ελαττωμάτων, οδηγώντας την τεχνολογία SOI προς ολοένα μεγαλύτερη ακρίβεια, χαμηλότερα επίπεδα ελαττωμάτων και βελτιωμένη αξιοπιστία.


Σχετικά Προϊόντα

  
                                                                     


                                             IC Silicon Wafer SSP / DSP Επιφανειακό Φινίρισμα <30/Cm2 Σωματίδια 1~10ohm Αντίσταση




                                                                         

                                           Γκοφρέτα SiC 8 ιντσών καρβίδιο πυριτίου Γκοφρέτα Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um