logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Σπίτι
ΠΕΡΙΠΟΥ ΗΠΑ
Σχεδιάγραμμα επιχείρησης
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
λύσεις
Μπλογκ
Μας ελάτε σε επαφή με
Αγορές
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
απόσπασμα
Σπίτι
ΠΕΡΙΠΟΥ ΗΠΑ
Σχεδιάγραμμα επιχείρησης
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
FAQ
ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
λύσεις
Μπλογκ
Μας ελάτε σε επαφή με
Αγορές
απόσπασμα
Καλή τιμή σε απευθείας σύνδεση
Αποτέλεσμα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. sic substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
Μας ελάτε σε επαφή με
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Επικοινωνήστε τώρα
Η αναζήτησή σου

  [sic substrate ]

  Συμφωνία  

274

  ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Αγορά Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ ηλεκτρονική κατασκευή

Sic Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου 6H-P στον άξονα 0° Δυσκαρδία Mohs 9.2 για συσκευή λέιζερ

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Un-doped γκοφρέτα καρβιδίου SIC του πυριτίου υψηλής αγνότητας, 4H-ημι SIC υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου 6Inch ηλεκτρονική κατασκευή

Un-doped γκοφρέτα καρβιδίου SIC του πυριτίου υψηλής αγνότητας, 4H-ημι SIC υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου 6Inch

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 12 ιντσών Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Μεγάλο μέγεθος Μεγάλη καθαρότητα Διαμέτρου 300mm Κατηγορία προϊόντος Για επικοινωνία 5G ηλεκτρονική κατασκευή

12 ιντσών Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Μεγάλο μέγεθος Μεγάλη καθαρότητα Διαμέτρου 300mm Κατηγορία προϊόντος Για επικοινωνία 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες / 4 ίντσες / 6 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 4H-P Type Off Axis 2.0° Προς το βαθμό παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά γκοφρέτες γκοφρετών gaN--SIC EPI νιτριδίων γαλλίου 4inch 6inch ηλεκτρονική κατασκευή

γκοφρέτες γκοφρετών gaN--SIC EPI νιτριδίων γαλλίου 4inch 6inch

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Ημιμονωτικό SiC σε σύνθετο κύλινδρο Si 4H-SEMI υπόστρωμα τύπου P τύπου N πάχος 500um ηλεκτρονική κατασκευή

Ημιμονωτικό SiC σε σύνθετο κύλινδρο Si 4H-SEMI υπόστρωμα τύπου P τύπου N πάχος 500um

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σίκι σιλικόνιοκαρβιδίου πλάκας τύπου 4H-P στον άξονα 0° Χρησιμοποιείται για την κατασκευή συσκευών υψηλής ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή

Σίκι σιλικόνιοκαρβιδίου πλάκας τύπου 4H-P στον άξονα 0° Χρησιμοποιείται για την κατασκευή συσκευών υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα ηλεκτρονική κατασκευή

Sic Σιλικονικό καρβίδιο Υποστρώμα 5.0*5.0mm τετράγωνο 6H-P τύπος Δυνατότητα 350μm Μηδενική ποιότητα

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Τύπος Προϊόντος για ηλεκτρονική ενέργεια ηλεκτρονική κατασκευή

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Τύπος Προϊόντος για ηλεκτρονική ενέργεια

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλικονικό Καρβίδιο SIC Wafer 10*10 mm 6H-P πάχος 350μm Για συσκευές υψηλής ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλικονικό Καρβίδιο SIC Wafer 10*10 mm 6H-P πάχος 350μm Για συσκευές υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Οπτικός φακός Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI σχήμα και μέγεθος προσαρμοσμένο 6SP πάχος 10.05 ηλεκτρονική κατασκευή

Οπτικός φακός Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI σχήμα και μέγεθος προσαρμοσμένο 6SP πάχος 10.05

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 8 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα Διαμέτρου 200 mm Δυνατότητα 500 μm Τύπος 4H-N ηλεκτρονική κατασκευή

8 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα Διαμέτρου 200 mm Δυνατότητα 500 μm Τύπος 4H-N

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες Sic Silicon Carbide Substrate 3C-N Τύπος 50.8mm Διαμέτρου Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία έρευνας Κατηγορία ψεύτικο

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου 4'' Sic 3C-N Διαμέτρου 100 mm Ηλεκτρικό αγωγό τύπου μηδέν MPD Κατηγορία παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου 4'' Sic 3C-N Διαμέτρου 100 mm Ηλεκτρικό αγωγό τύπου μηδέν MPD Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Δίσκοι SiC Επιταξιακοί 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 4H-N Βαθμού Παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

Δίσκοι SiC Επιταξιακοί 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 4H-N Βαθμού Παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Διάμετρος επιφανειακού επιφανειακού υλικού SiC 6 ιντσών 150mm 4H-N Type 4H-P Type Για Επικοινωνία 5G ηλεκτρονική κατασκευή

Διάμετρος επιφανειακού επιφανειακού υλικού SiC 6 ιντσών 150mm 4H-N Type 4H-P Type Για Επικοινωνία 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή
2 3 4 5 6 7 8 9
2 3 4 5 6 7 8 9
Καλή τιμή Διάμετρος επιφανειακού επιφανειακού υλικού SiC 6 ιντσών 150mm 4H-N Type 4H-P Type Για Επικοινωνία 5G σε απευθείας σύνδεση
Αποτελέσματα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. sic substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα
Η αναζήτησή σου  [ sic substrate ]  Συμφωνία 274 ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Αγορά 4

4" 4H-Ημιδιαφανείς Πλάκες SIC Υψηλής Καθαρότητας Prime Grade Υποστρώματα Ημιαγωγών EPI Γυαλιά AR Οπτικής ποιότητας

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά προσαρμοσμένο μέγεθος 5x5 10x10mm 6h-ημι SIC τσιπ γκοφρετών μεγέθους 4h-ν ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

προσαρμοσμένο μέγεθος 5x5 10x10mm 6h-ημι SIC τσιπ γκοφρετών μεγέθους 4h-ν

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Διπλής όψεως γυαλισμένο οπτικό συστατικό καθρέφτη SiC υψηλής καθαρότητας για μικροαντίφαση MEMS ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

Διπλής όψεως γυαλισμένο οπτικό συστατικό καθρέφτη SiC υψηλής καθαρότητας για μικροαντίφαση MEMS

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm για συσκευή MOS υπερυψωμένης τάσης (UHV) ηλεκτρονική κατασκευή

4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm για συσκευή MOS υπερυψωμένης τάσης (UHV)

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Προσαρμοσμένα Τετράγωνα Οπτικά Παράθυρα Πράσινο Moissanite SiC Κρύσταλλο Υψηλής Σκληρότητας ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

Προσαρμοσμένα Τετράγωνα Οπτικά Παράθυρα Πράσινο Moissanite SiC Κρύσταλλο Υψηλής Σκληρότητας

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 6 ιντσών υπερυψηλής τάσης SiC Επιταξιακή πλάκα 100 500 μm Για συσκευές MOSFET ηλεκτρονική κατασκευή

6 ιντσών υπερυψηλής τάσης SiC Επιταξιακή πλάκα 100 500 μm Για συσκευές MOSFET

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σίλικονκαρβίδιο (SiC) υψηλής καθαρότητας 99,9999% (6N) HPSI Τύπος 100μm Μέγεθος σωματιδίων SIC Κρυστάλλινη ανάπτυξη ηλεκτρονική κατασκευή

Σίλικονκαρβίδιο (SiC) υψηλής καθαρότητας 99,9999% (6N) HPSI Τύπος 100μm Μέγεθος σωματιδίων SIC Κρυστάλλινη ανάπτυξη

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά ‌6H-N Type SiC Wafer: 2-Inch Substrate, Thickness 350μm or 650μm‌ ηλεκτρονική κατασκευή

‌6H-N Type SiC Wafer: 2-Inch Substrate, Thickness 350μm or 650μm‌

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4h-ΗΜΙ 4h-ν SIC γκοφρέτα 10 X 10 X 0.5mm καρβιδίου του πυριτίου 2sp ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

4h-ΗΜΙ 4h-ν SIC γκοφρέτα 10 X 10 X 0.5mm καρβιδίου του πυριτίου 2sp

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Κεραμικές σφαίρες ελαστικών SiC G5 υψηλής σκληρότητας ηλεκτρονική κατασκευή

Κεραμικές σφαίρες ελαστικών SiC G5 υψηλής σκληρότητας

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά πρωταρχικά 2» 3» 4» 6» 4h-ημι 4h-ν που μονώνουν την γκοφρέτα καρβιδίου SIC του πυριτίου υποστρωμάτων SIC ηλεκτρονική κατασκευή

πρωταρχικά 2» 3» 4» 6» 4h-ημι 4h-ν που μονώνουν την γκοφρέτα καρβιδίου SIC του πυριτίου υποστρωμάτων SIC

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Προσαρμοσμένη κρυσταλλική γκοφρέτα 4inch Dia 100mm υποστρωμάτων σαπφείρου πυριτίου gaN--GaN SIC ηλεκτρονική κατασκευή

Προσαρμοσμένη κρυσταλλική γκοφρέτα 4inch Dia 100mm υποστρωμάτων σαπφείρου πυριτίου gaN--GaN SIC

Πάρτε την καλύτερη τιμή
2 3 4 5 6 7 8 9