logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Σπίτι
ΠΕΡΙΠΟΥ ΗΠΑ
Σχεδιάγραμμα επιχείρησης
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα
λύσεις
Μπλογκ
Μας ελάτε σε επαφή με
Αγορές
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
απόσπασμα
Σπίτι
ΠΕΡΙΠΟΥ ΗΠΑ
Σχεδιάγραμμα επιχείρησης
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
FAQ
ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα
λύσεις
Μπλογκ
Μας ελάτε σε επαφή με
Αγορές
απόσπασμα
Καλή τιμή σε απευθείας σύνδεση
Αποτέλεσμα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. SiC MOSFET Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα
Μας ελάτε σε επαφή με
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Επικοινωνήστε τώρα
Η αναζήτησή σου

  [SiC MOSFET ]

  Συμφωνία  

75

  ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Αγορά 6 ιντσών υπερυψηλής τάσης SiC Επιταξιακή πλάκα 100 500 μm Για συσκευές MOSFET ηλεκτρονική κατασκευή

6 ιντσών υπερυψηλής τάσης SiC Επιταξιακή πλάκα 100 500 μm Για συσκευές MOSFET

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Κρυστάλλινα σπόρα σπόρων SiC Dia 205 203 208 Κατηγορία παραγωγής PVT/HTCVD ανάπτυξη ηλεκτρονική κατασκευή

Κρυστάλλινα σπόρα σπόρων SiC Dia 205 203 208 Κατηγορία παραγωγής PVT/HTCVD ανάπτυξη

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Δίσκοι SiC Επιταξιακοί 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 4H-N Βαθμού Παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

Δίσκοι SiC Επιταξιακοί 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 4H-N Βαθμού Παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Υπόστρωμα επιταξίας SiC 8 ιντσών MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Μεγάλης Διαμέτρου ηλεκτρονική κατασκευή

Υπόστρωμα επιταξίας SiC 8 ιντσών MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Μεγάλης Διαμέτρου

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Διάμετρος επιφανειακού επιφανειακού υλικού SiC 6 ιντσών 150mm 4H-N Type 4H-P Type Για Επικοινωνία 5G ηλεκτρονική κατασκευή

Διάμετρος επιφανειακού επιφανειακού υλικού SiC 6 ιντσών 150mm 4H-N Type 4H-P Type Για Επικοινωνία 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Υπόστρωμα SiC τύπου 4H-N Wafer 10x10mm για Ηλεκτρονικά Ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

Υπόστρωμα SiC τύπου 4H-N Wafer 10x10mm για Ηλεκτρονικά Ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα 4H-N Διαμέτρου 100 mm Δυνατότητα 350 μm Prime Grade ηλεκτρονική κατασκευή

4 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα 4H-N Διαμέτρου 100 mm Δυνατότητα 350 μm Prime Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Υπόστρωμα SiC τύπου 4H-N Wafer 10x10mm για Ηλεκτρονικά Ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

Υπόστρωμα SiC τύπου 4H-N Wafer 10x10mm για Ηλεκτρονικά Ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά SiC Σπόρος Wafer 4H N Type Dia 153 155 2inch-12inch Προσαρμοσμένο για την κατασκευή MOSFETs ηλεκτρονική κατασκευή

SiC Σπόρος Wafer 4H N Type Dia 153 155 2inch-12inch Προσαρμοσμένο για την κατασκευή MOSFETs

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm για συσκευή MOS υπερυψωμένης τάσης (UHV) ηλεκτρονική κατασκευή

4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm για συσκευή MOS υπερυψωμένης τάσης (UHV)

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 8 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα Διαμέτρου 200 mm Δυνατότητα 500 μm Τύπος 4H-N ηλεκτρονική κατασκευή

8 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα Διαμέτρου 200 mm Δυνατότητα 500 μm Τύπος 4H-N

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Διαφανές υπόστρωμα SiC 6 ιντσών 4H-SEMI για γυαλιά AR και συσκευές ραδιοσυχνοτήτων 5G ηλεκτρονική κατασκευή

Διαφανές υπόστρωμα SiC 6 ιντσών 4H-SEMI για γυαλιά AR και συσκευές ραδιοσυχνοτήτων 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade ηλεκτρονική κατασκευή

6 ιντσών Sic Silicon Carbide Substrate 6H-P τύπου για επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ Διαμέτρου 150mm Prime Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Σιλικονικό Καρβίδιο SIC Wafer 10*10 mm 6H-P πάχος 350μm Για συσκευές υψηλής ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή

Σιλικονικό Καρβίδιο SIC Wafer 10*10 mm 6H-P πάχος 350μm Για συσκευές υψηλής ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4 ίντσες Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P τύπου πάχος 350μm μηδενικό / πρώτος βαθμός Dummy Grade ηλεκτρονική κατασκευή

4 ίντσες Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P τύπου πάχος 350μm μηδενικό / πρώτος βαθμός Dummy Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
Καλή τιμή 4 ίντσες Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P τύπου πάχος 350μm μηδενικό / πρώτος βαθμός Dummy Grade σε απευθείας σύνδεση
Αποτελέσματα αναζήτησης
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso. SiC MOSFET Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής
Όλες οι κατηγορίες

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα
Η αναζήτησή σου  [ SiC MOSFET ]  Συμφωνία 75 ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Αγορά 6 ιντσών υπερυψηλής τάσης SiC Επιταξιακή πλάκα 100 500 μm Για συσκευές MOSFET ηλεκτρονική κατασκευή

6 ιντσών υπερυψηλής τάσης SiC Επιταξιακή πλάκα 100 500 μm Για συσκευές MOSFET

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

2 ίντσες/4 ίντσες/6 ίντσες/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic ΣΥΒΡΑΤΙΟ ΚΑΡΒΙΔΟΥ ΣΙΛΙΚΟΥ Τύπου 3C-N Στον άξονα: < 111 > ± 0,5° Κατηγορία παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Κρυστάλλινα σπόρα σπόρων SiC Dia 205 203 208 Κατηγορία παραγωγής PVT/HTCVD ανάπτυξη ηλεκτρονική κατασκευή

Κρυστάλλινα σπόρα σπόρων SiC Dia 205 203 208 Κατηγορία παραγωγής PVT/HTCVD ανάπτυξη

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Δίσκοι SiC Επιταξιακοί 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 4H-N Βαθμού Παραγωγής ηλεκτρονική κατασκευή

Δίσκοι SiC Επιταξιακοί 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 4H-N Βαθμού Παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Υπόστρωμα επιταξίας SiC 8 ιντσών MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Μεγάλης Διαμέτρου ηλεκτρονική κατασκευή

Υπόστρωμα επιταξίας SiC 8 ιντσών MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Μεγάλης Διαμέτρου

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Διάμετρος επιφανειακού επιφανειακού υλικού SiC 6 ιντσών 150mm 4H-N Type 4H-P Type Για Επικοινωνία 5G ηλεκτρονική κατασκευή

Διάμετρος επιφανειακού επιφανειακού υλικού SiC 6 ιντσών 150mm 4H-N Type 4H-P Type Για Επικοινωνία 5G

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Υπόστρωμα SiC τύπου 4H-N Wafer 10x10mm για Ηλεκτρονικά Ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

Υπόστρωμα SiC τύπου 4H-N Wafer 10x10mm για Ηλεκτρονικά Ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα 4H-N Διαμέτρου 100 mm Δυνατότητα 350 μm Prime Grade ηλεκτρονική κατασκευή

4 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα 4H-N Διαμέτρου 100 mm Δυνατότητα 350 μm Prime Grade

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά Υπόστρωμα SiC τύπου 4H-N Wafer 10x10mm για Ηλεκτρονικά Ισχύος ηλεκτρονική κατασκευή Βίντεο

Υπόστρωμα SiC τύπου 4H-N Wafer 10x10mm για Ηλεκτρονικά Ισχύος

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά SiC Σπόρος Wafer 4H N Type Dia 153 155 2inch-12inch Προσαρμοσμένο για την κατασκευή MOSFETs ηλεκτρονική κατασκευή

SiC Σπόρος Wafer 4H N Type Dia 153 155 2inch-12inch Προσαρμοσμένο για την κατασκευή MOSFETs

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm για συσκευή MOS υπερυψωμένης τάσης (UHV) ηλεκτρονική κατασκευή

4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm για συσκευή MOS υπερυψωμένης τάσης (UHV)

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Αγορά 8 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα Διαμέτρου 200 mm Δυνατότητα 500 μm Τύπος 4H-N ηλεκτρονική κατασκευή

8 ιντσών SiC Επιταξιακή πλάκα Διαμέτρου 200 mm Δυνατότητα 500 μm Τύπος 4H-N

Πάρτε την καλύτερη τιμή
1 2 3 4 5 6 7