logo
Καλή τιμή  σε απευθείας σύνδεση

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso.
Υπόστρωμα SIC
Created with Pixso. HPSI Υψηλής Καθαρότητας Ημιαπομονωμένοι Δίσκοι SiC 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

HPSI Υψηλής Καθαρότητας Ημιαπομονωμένοι Δίσκοι SiC 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

Ονομασία μάρκας: zmsh
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Πιστοποίηση:
rohs
Υλικό:
HPSI SiC
Βαθμός:
Πρωτεύον/Νάμι/Έρευνα
Τύπος:
4H-SEMI
Μέγεθος:
2/3"/4"/6"/8"
Πάχος:
500±25μm
TTV:
≤ 5μm/≤ 10μm/≤ 15μm
Τόξο:
-25μm~25μm/ -35μm~35μm/ -45μm~45μm
περικάλυμμα:
≤35μm ≤45μm ≤55μm
Περιγραφή προϊόντων
Περιγραφή του προϊόντος
Επισκόπηση των Wafer HPSI SiC
HPSI SiC Wafer: 2 - 12 ιντσών οπτικής ποιότητας για γυαλιά AI/AR

Τα υφάσματα SiC τύπου HPSI (High-Purity Semi-Insulating Silicon Carbide) είναι βασικά οπτικά υλικά στα γυαλιά AI και AR. Με υψηλό δείκτη διάθλασης (2.6 - 2.2).7 @ 400 - 800 nm) και χαμηλά χαρακτηριστικά οπτικής απορρόφησης, αντιμετωπίζουν αποτελεσματικά ζητήματα όπως τα "εφέ ουράνιου τόξου" και η ανεπαρκής διαπερατότητα του φωτός που είναι κοινά στα παραδοσιακά υλικά γυαλιού ή ρητίνης που χρησιμοποιούνται για τους κυματοδείκτες AR.Τα γυαλιά AR Orion της Meta χρησιμοποιούν φακούς HPSI SiC, που επιτυγχάνει ένα εξαιρετικά ευρύ οπτικό πεδίο (FOV) 70° - 80° με πάχος ενός μονού στρώματος φακού μόλις 0,55 mm και βάρος 2,7 g, βελτιώνοντας σημαντικά την άνεση και την κατάδυση.

HPSI Υψηλής Καθαρότητας Ημιαπομονωμένοι Δίσκοι SiC 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade 0HPSI Υψηλής Καθαρότητας Ημιαπομονωμένοι Δίσκοι SiC 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade 1

Ειδικά χαρακτηριστικά και πλεονεκτήματα των κυψελών HPSI SiC
Ιδιότητες υλικού, οπτικές επιδόσεις και αξία εφαρμογής
  1. Δείκτης κάμψης: 2,6 - 2.7
    Αυτός ο υψηλός δείκτης διάθλασης επιτρέπει την αντικατάσταση των οπτικών δομών πολλαπλών στρωμάτων με έναν μονόστρωτο φακό, μειώνοντας την απώλεια φωτός και βελτιώνοντας τη φωτεινότητα και την ακρίβεια χρώματος.Επιτρέπει καθαρότερες οπτικές εμφανίσεις, εξαλείφει τα αποτελέσματα του ουράνιου τόξου και υποστηρίζει την απρόσκοπτη ενσωμάτωση με μικρο-LED υψηλής ανάλυσης.
  2. Θερμική αγωγιμότητα: 490 W/m·K
    Το υλικό εξαλείφει γρήγορα τη θερμότητα που παράγεται από τα υψηλής ισχύος μικρο-LED, αποτρέποντας την παραμόρφωση του φακού και επεκτείνοντας τη διάρκεια ζωής της συσκευής.Αυτό εξασφαλίζει σταθερή απόδοση ακόμη και σε περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας, όπως η εξωτερική χρήση.
  3. Σκληρότητα Μος: 9.5
    Με εξαιρετική αντοχή στις γρατζουνιές, το υλικό μπορεί να αντέξει την καθημερινή φθορά.
  4. Μεγάλο εύρος ζώνης ημιαγωγών
    Η συμβατότητά του με τις διαδικασίες CMOS επιτρέπει τη λιθογραφία σε νανοκλίμακα και την χαρακτική για ακριβή κατασκευή οπτικών πλέκων.Αυτό διευκολύνει την παραγωγή σε κλίμακα κυψελών προηγμένων οπτικών εξαρτημάτων όπως διαθλαστικοί κυματοδηγοί και μικροαναταχείς.
Βασικές εφαρμογές των Wafer HPSI SiC
1Οπτικά συστήματα AI/AR
  • Αμβοδιστικές φακέλες: Η τριγωνική διατομή του πλέγματος επιτρέπει ενιαία στρώση πλήρους χρώματος οθόνων, επιλύοντας τη χρωματική διασπορά σε παραδοσιακούς διαθλαστικούς κυματοδηγούς (π.χ. διάλυμα Meta Orion).
  • Συμπλέκτες μικροεπιφάνσεων: Επιτυγχάνει αποτελεσματικότητα μετάδοσης φωτός άνω του 80% μεταξύ μικρο-LED και κυματοδηγών.
  • Υποστρώματα αντιαντανάκλασης: Ελαχιστοποιεί τις αντανακλάσεις του φωτός του περιβάλλοντος, βελτιώνοντας τις αναλογίες αντίθεσης AR.
2Επεκτεινόμενες εφαρμογές
  • Συσκευές κβαντικής επικοινωνίαςΧρησιμοποιεί τις ιδιότητες του κέντρου χρώματος για την ολοκλήρωση της κβαντικής πηγής φωτός.
  • Συστατικά λέιζερ υψηλής ισχύος: χρησιμεύει ως υπόστρωμα για διόδους λέιζερ σε βιομηχανικά συστήματα κοπής και ιατρικά συστήματα.
Παράμετρος κλειδιού κυψέλης HPSI SiC
Σύγκριση των προδιαγραφών των 4 και 6 ιντσών ημιμονωτικών υπόστρωτων SiC
Παράμετρος Αξία 4 ιντσών υποστρώμα 6 ιντσών υποστρώμα
Διάμετρος Τάξη Z / Τάξη D 99.5 mm - 100.0 mm 149.5 mm - 150,0 mm
Πολυτύπου Τάξη Z / Τάξη D 4H 4H
Δάχος Τάξη Z 500 μm ± 15 μm 500 μm ± 15 μm

Δ βαθμός 500 μm ± 25 μm 500 μm ± 25 μm
Προσανατολισμός της πλάκας Τάξη Z / Τάξη D Για τον άξονα: <0001> ± 0,5° Για τον άξονα: <0001> ± 0,5°
Σφιχτότητα μικροσωλήνων Τάξη Z ≤ 1 cm2 ≤ 1 cm2

Δ βαθμός ≤ 15 cm2 ≤ 15 cm2
Αντίσταση Τάξη Z ≥ 1E10 Ω·cm ≥ 1E10 Ω·cm

Δ βαθμός ≥ 1E5 Ω·cm ≥ 1E5 Ω·cm
Πρωτογενής επίπεδος προσανατολισμός Τάξη Z / Τάξη D (10-10) ± 5,0° (10-10) ± 5,0°
Πρωταρχικό επίπεδο μήκος Τάξη Z / Τάξη D 32.5 mm ± 2,0 mm Σημείο
Δευτερογενές επίπεδο μήκος Τάξη Z / Τάξη D 180,0 mm ± 2,0 mm -
Αποκλεισμός άκρων Τάξη Z / Τάξη D 3 χιλιοστά 3 χιλιοστά
ΛΤΒ / ΤΤΒ / Βόου / Δυναμική Τάξη Z ≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm ≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm

Δ βαθμός ≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Ακατέργαστη Τάξη Z Πολωνικό Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm Πολωνικό Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm

Δ βαθμός Πολωνικό Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm Πολωνική Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Τρύπες στην άκρη Δ βαθμός Συγκεντρωτική έκταση ≤ 0,1% Συγκεντρωτικό μήκος ≤ 20 mm, μονό ≤ 2 mm
Πολυτύποι περιοχών Δ βαθμός Συγκεντρωτική έκταση ≤ 0,3% Συγκεντρωτική έκταση ≤ 3%
Εμφανίσεις άνθρακα Τάξη Z Συγκεντρωτική έκταση ≤ 0,05% Συγκεντρωτική έκταση ≤ 0,05%

Δ βαθμός Συγκεντρωτική έκταση ≤ 0,3% Συγκεντρωτική έκταση ≤ 3%
Γδαρμένες επιφάνειας από πυρίτιο Δ βαθμός 5 επιτρέπεται, καθένας ≤1 mm Συνολικό μήκος ≤ 1 x διάμετρος
Τσιπς Edge Τάξη Z Καμία δεν επιτρέπεται (εύρος και βάθος ≥ 0,2 mm) Καμία δεν επιτρέπεται (εύρος και βάθος ≥ 0,2 mm)

Δ βαθμός 7 επιτρέπεται, καθένας ≤1 mm 7 επιτρέπεται, καθένας ≤1 mm
Διάσπαση βίδα πεταχτής Τάξη Z - ≤ 500 cm2
Συσκευή Τάξη Z / Τάξη D Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο με μία πλακιδιά Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο με μία πλακιδιά
Υπηρεσίες ZMSH

Ως ολοκληρωμένη κατασκευαστική και εμπορική οντότητα, η ZMSH παρέχει ολοκληρωμένες λύσεις για προϊόντα SiC:

Ψηλή ολοκλήρωση

Οι εσωτερικοί φούρνοι ανάπτυξης κρυστάλλων παράγουν πλάκες τύπου 4H-N, 4H-HPSI, 6H-P και 3C-N (2 - 12 ίντσες), με προσαρμόσιμες παραμέτρους (π.χ. συγκέντρωση ντόπινγκ, αντοχή κάμψης).

Επεξεργασία ακριβείας
  • Κόψιμο επιπέδου κυψελών: Η τεμαχιστική με λέιζερ και η χημική μηχανική γυάλωση (CMP) επιτυγχάνουν τραχύτητα επιφάνειας < 0,3 nm.
  • Προσαρμοσμένα σχήματα: Παράγει πρίσμα, τετράγωνες πλάκες και συστοιχίες κυματοδηγών για την ενσωμάτωση οπτικών μονάδων AR.
  • Επικοινωνήστε μαζί μαςΠλήρης υποστήριξη από την επικύρωση του σχεδίου μέχρι την μαζική παραγωγή.
Τα προϊόντα SiC της ZMSH
Σι-Κοφέλες 4H-Σημ.
  1. 4" 4H-Semi υψηλής καθαρότητας SiC Wafers Prime Grade Ημιαγωγός EPI Υποστρώματα AR Γυαλιά Οπτική βαθμίδα
Σι-Κοφέλες 4H-N
  1. 4 ίντσες 4H-N Silicon Carbide SiC Substrate Dia 100mm N τύπου Prime Grade Dummy Grade πάχος 350um προσαρμοσμένο
Άλλοι τύποι δειγμάτων SiC
HPSI SiC Wafer FAQ

Ερώτηση 1: Γιατί η HPSI SiC Wafer είναι κρίσιμη για τα γυαλιά AR;
Α1: Ο υψηλός δείκτης διάθλασης του HPSI SiC Wafer (2.6 - 2.7) και η χαμηλή οπτική απορρόφηση εξαλείφουν τις επιδράσεις του ουράνιου τόξου στις οθόνες AR, επιτρέποντας παράλληλα υπεραπλανείς κυματοδηγούς (π.χ. τους φακούς 0,55mm του Meta Orion).

ΕΡ2: Πώς το HPSI SiC διαφέρει από το παραδοσιακό γυαλί στην οπτική AR;
Α2: Το HPSI SiC προσφέρει διπλάσιο δείκτη διάθλασης από το γυαλί (~ 2,0), επιτρέποντας ένα ευρύτερο FOV και μονοστρωτούς κυματοδηγούς, συν θερμική αγωγιμότητα 490 W/m·K για τη διαχείριση της θερμότητας από τα Micro LED.

Ε3: Είναι το HPSI SiC συμβατό με άλλα υλικά ημιαγωγών;
Α3: Ναι, ενσωματώνεται με το GaN και το πυρίτιο σε υβριδικά συστήματα, αλλά η θερμική σταθερότητα και οι διηλεκτρικές ιδιότητές του το καθιστούν ανώτερο για οπτική AR υψηλής ισχύος.

HPSI Υψηλής Καθαρότητας Ημιαπομονωμένοι Δίσκοι SiC 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade 2

Ετικέτες: #HPSI SiC Wafer, #Silicon Carbide Substrate, #Customized, #Double-Side Polished, #High-Purity, #Optical Component, #Corrosion-Resistant, #High-Temperature Rated, #HPSI, #Optical-Grade,#2-12 ίντσες, #Οπτικό βαθμό, #AI/AR Γυαλιά