logo
Καλή τιμή  σε απευθείας σύνδεση

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso.
Εξοπλισμός ημιαγωγών
Created with Pixso. Εξοπλισμός υψηλής ακρίβειας μονομερούς γυαλισμού για υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire

Εξοπλισμός υψηλής ακρίβειας μονομερούς γυαλισμού για υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire

Ονομασία μάρκας: ZMSH
Αριθμός μοντέλου: ​​High-Precision Single-Side Polishing Equipment
MOQ: 3
τιμή: by case
Χρόνος παράδοσης: 3-6 months
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Place of Origin:
CHINA
Πιστοποίηση:
rohs
Ability:
50mm/100mm/150mm/200mm
Power voltage:
3×16+2*10 (㎜²)
Compressed air source:
0.5-0.6MPa
Optimum Machining Size:
50-100 (mm)/50-150 (mm)/150-200 (mm)/200 (mm)
Materials​​:
Si Wafers/SiC/Sapphire
Packaging Details:
package in 100-grade cleaning room
Επισημαίνω:

εξοπλισμός μονομερούς γυαλισμού για πλάκες Si

,

Μηχανή γυάλωσης κυψελών SiC

,

Εξοπλισμός γυαλισμού υλικού ζαφείρου

Περιγραφή προϊόντων

Σύνοψη Εξοπλισμού Μονόπλευρης Στίλβωσης Υψηλής Ακρίβειας​

 

 

​​Εξοπλισμός Μονόπλευρης Στίλβωσης Υψηλής Ακρίβειας για Υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire​​

 

 

 

Ο εξοπλισμός μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας είναι ένα εξειδικευμένο εργαλείο μηχανικής κατεργασίας ακριβείας σχεδιασμένο για σκληρά και εύθραυστα υλικά (π.χ., ημιαγωγικά πυριτικά γκοφρέτες, καρβίδιο του πυριτίου, αρσενίδιο του γαλλίου, ζαφείρι, χαλαζίας, κεραμικά). Μέσω μονόδρομης περιστροφικής λείανσης και χημικής συνέργειας, επιτυγχάνει εξαιρετικά υψηλό φινίρισμα επιφάνειας με επιπεδότητα ≤0,01 mm και τραχύτητα επιφάνειας Ra ≤0,4 nm. Αυτός ο εξοπλισμός χρησιμοποιείται ευρέως στην αραίωση γκοφρετών ημιαγωγών, στη στίλβωση οπτικών φακών, στην επεξεργασία κεραμικών εξαρτημάτων στεγανοποίησης και υποστηρίζει τόσο την επεξεργασία μεμονωμένων τεμαχίων όσο και την επεξεργασία παρτίδων, ενισχύοντας σημαντικά την απόδοση και τη συνέπεια.

 

 

 

Εξοπλισμός υψηλής ακρίβειας μονομερούς γυαλισμού για υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire 0Εξοπλισμός υψηλής ακρίβειας μονομερούς γυαλισμού για υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire 1

 

 


 

Τεχνικές παράμετροι εξοπλισμού μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας

 

 

Κατηγορίες Στοιχείο
Δίσκος στίλβωσης Διάμετρος 820 (mm) 914 (mm) 1282 (mm) 1504 (mm)
Κεραμικές πλάκες Διάμετρος 305 (mm) 360 (mm) 485 (mm) 576 (mm)
  Βέλτιστο μέγεθος μηχανικής κατεργασίας 50-100 (mm) 50-150 (mm) 150-200 (mm) 200 (mm)
Ισχύς Δίσκος στίλβωσης 11 11 18.5 30
  Εργαλείο στίλβωσης / 0.75×4 2.2×4 2.2
Ρυθμός περιστροφής Δίσκος στίλβωσης 80 65 65 50
  Εργαλείο στίλβωσης / 65 65 50
Δυνατότητα 50mm 72 / / /
  100mm 20 28 56 /
  150mm / 12 24 /
  200mm / 4 12 20
Τάση ισχύος 3×16+2*10 (㎜²)
Πηγή πεπιεσμένου αέρα 0.5-0.6MPa
Μέγεθος / 1920×1125×1680 (mm) 1360×1330×2798 (mm) 2234×1780×2759 (mm) 1900×1900×2700 (mm)
Βάρος / 2000kg 3500kg 7500kg 11826kg

 

 


 

Αρχές λειτουργίας εξοπλισμού μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας​


Εξοπλισμός υψηλής ακρίβειας μονομερούς γυαλισμού για υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire 2

​​1. Μηχανική λείανση​​:

  • Ο άνω δίσκος στίλβωσης περιστρέφεται στις 0–90 RPM (ρυθμιζόμενο), σε συνδυασμό με λειαντικά (διαμάντι, καρβίδιο του πυριτίου) για την τριβή-στίλβωση της επιφάνειας του τεμαχίου, αφαιρώντας στρώματα οξείδωσης και μικρο-ελαττώματα.

 

2. ​​Έλεγχος πίεσης​​:

  • Οι ηλεκτρο-πνευματικές αναλογικές βαλβίδες και οι κύλινδροι επιτρέπουν την ακριβή ρύθμιση της πίεσης (15–1500 kg), προσαρμοζόμενοι σε διαφορετικές σκληρότητες υλικών.

 

3. ​​Ψύξη & Λίπανση​​:

  • Ένα σύστημα ανακυκλοφορίας νερού ψύξης (0,1–0,2 MPa) διατηρεί σταθερή θερμοκρασία (10–25°C) για την καταστολή της θερμικής παραμόρφωσης, ενώ παράλληλα παρέχει πολωτικό πολτό για βελτιωμένη αφαίρεση υλικού.

​​

4. Έλεγχος κίνησης​​:

  • Ο κινητήρας μεταβλητής συχνότητας οδηγεί την περιστροφή του κάτω δίσκου. Το PLC και το HMI επιτρέπουν τον έλεγχο κλειστού βρόχου των παραμέτρων ταχύτητας, πίεσης και χρόνου, με προκαθορισμένες συνταγές διεργασίας και εναλλαγή με ένα κλικ.

 

 


 

Χαρακτηριστικά εξοπλισμού μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας​

 
 

​​Κατηγορία χαρακτηριστικού​​

 

​​Τεχνικές λεπτομέρειες​​

 

​​Πλαίσιο υψηλής ακαμψίας

​​

Ολοκληρωμένη δομή χύτευσης-σφυρηλάτησης, 50% υψηλότερη ικανότητα κατά της παραμόρφωσης. Το σύστημα υδραυλικής υποστήριξης τεσσάρων σημείων εξασφαλίζει δόνηση <0,01 mm σε υψηλές ταχύτητες.

 

​​Διεθνή εξαρτήματα​​

 

Τα βασικά μέρη (π.χ., κιβώτια ταχυτήτων, ρουλεμάν) χρησιμοποιούν Γερμανία SEW, Ιαπωνία THK, Ελβετία SKF, επιτυγχάνοντας <0,005 mm ακρίβεια μετάδοσης. Siemens PLC + Schneider inverter για ρύθμιση ταχύτητας χωρίς βαθμίδες 0–180 RPM.

 

​​Έξυπνη διεπαφή​​

 

Η βιομηχανική οθόνη αφής 10 ιντσών υποστηρίζει προκαθορισμένες συνταγές (χονδροειδής στίλβωση, λεπτή στίλβωση, επισκευή δίσκου), παρακολούθηση σε πραγματικό χρόνο (πίεση/θερμοκρασία/ταχύτητα) και αυτόματους συναγερμούς τερματισμού (ποσοστό ελαττωμάτων <0,05%).

 

​​Ευέλικτη διαμόρφωση​​

 

Μεγέθη δίσκων στίλβωσης από φ300 mm έως φ1900 mm, που φιλοξενούν τεμάχια 3–1850 mm. επιλογές ισχύος από έναν κινητήρα (7,5 kW) έως πολλαπλούς κινητήρες (30 kW συνολικά), υποστηρίζοντας αναρρόφηση κενού και μηχανική σύσφιξη.

 

 

 


 

Εφαρμογές εξοπλισμού μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας​

Εξοπλισμός υψηλής ακρίβειας μονομερούς γυαλισμού για υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire 3

 

1. Βιομηχανία ημιαγωγών​​:

  • ​​Αραίωση γκοφρετών​​: Αραίωση γκοφρετών καρβιδίου του πυριτίου με ανοχή πάχους ±0,5 μm για γκοφρέτες 8 ιντσών.
  • ​​Στίλβωση αρσενιδίου του γαλλίου/μπλε ζαφειριού​​: Τραχύτητα επιφάνειας Ra <0,4 nm για LED και συσκευές λέιζερ.

 

2. ​​Οπτικά & Συσκευές ακριβείας​​:

  • ​​Οπτικοί φακοί γυαλιού/χαλαζία​​: Φινίρισμα σαν καθρέφτης (λ/20 για λ=632,8 nm) για φακούς κάμερας και αντικειμενικούς φακούς μικροσκοπίου.
  • ​​Κεραμικοί δακτύλιοι στεγανοποίησης​​: Επιπεδότητα <0,035 mm για αντλίες υδραυλικής υψηλής πίεσης και βαλβίδες πυρηνικής ενέργειας.

​​

3. Ηλεκτρονικά & Νέα ενέργεια​​:

  • ​​Κεραμικά υποστρώματα/μονάδες IGBT​​: Συνέπεια πάχους <3 μm για βελτίωση της θερμικής απαγωγής.
  • ​​Ηλεκτρόδια μπαταρίας λιθίου​​: Τραχύτητα Ra <10 nm για μείωση της εσωτερικής αντίστασης και της παραγωγής θερμότητας.

​​

4. Αεροδιαστημική & Άμυνα​​:

  • ​​Ρουλεμάν από χάλυβα βολφραμίου/στεγανοποιήσεις τιτανίου​​: Παραλληλότητα <2 μm για περιβάλλοντα ακραίας θερμοκρασίας/πίεσης.
  • ​​Γυαλί παραθύρου υπέρυθρων​​: Ιδιότητες χαμηλής σκέδασης για τηλεσκόπια και συστήματα καθοδήγησης πυραύλων.

 

 

Εξοπλισμός υψηλής ακρίβειας μονομερούς γυαλισμού για υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire 4

 

 


 

Εξοπλισμός μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας Συχνές ερωτήσεις

 

 

​​1. Ε: Ποια είναι τα βασικά πλεονεκτήματα του εξοπλισμού μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας;​​

     ​​Α: Επιτυγχάνει υπομικρονική ακρίβεια με υψηλή απόδοση, ιδανικό για γκοφρέτες πυριτίου, SiC και ζαφείρι στην κατασκευή ημιαγωγών.​​

 

 

2. Ε: Ποια υλικά ημιαγωγών μπορεί να επεξεργαστεί αυτό το μηχάνημα μονόπλευρης στίλβωσης;​​

     ​​Α: Σχεδιασμένο ειδικά για γκοφρέτες πυριτίου, καρβίδιο του πυριτίου (SiC) και υποστρώματα ζαφειριού.​

 

 


Ετικέτα: #Εξοπλισμός μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας, #Προσαρμοσμένο, #Υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire​​

  

 

 
Συγγενικά προϊόντα