Ονομασία μάρκας: | ZMSH |
Αριθμός μοντέλου: | High-Precision Single-Side Polishing Equipment |
MOQ: | 3 |
τιμή: | by case |
Χρόνος παράδοσης: | 3-6 months |
Όροι πληρωμής: | T/T |
Εξοπλισμός Μονόπλευρης Στίλβωσης Υψηλής Ακρίβειας για Υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire
Ο εξοπλισμός μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας είναι ένα εξειδικευμένο εργαλείο μηχανικής κατεργασίας ακριβείας σχεδιασμένο για σκληρά και εύθραυστα υλικά (π.χ., ημιαγωγικά πυριτικά γκοφρέτες, καρβίδιο του πυριτίου, αρσενίδιο του γαλλίου, ζαφείρι, χαλαζίας, κεραμικά). Μέσω μονόδρομης περιστροφικής λείανσης και χημικής συνέργειας, επιτυγχάνει εξαιρετικά υψηλό φινίρισμα επιφάνειας με επιπεδότητα ≤0,01 mm και τραχύτητα επιφάνειας Ra ≤0,4 nm. Αυτός ο εξοπλισμός χρησιμοποιείται ευρέως στην αραίωση γκοφρετών ημιαγωγών, στη στίλβωση οπτικών φακών, στην επεξεργασία κεραμικών εξαρτημάτων στεγανοποίησης και υποστηρίζει τόσο την επεξεργασία μεμονωμένων τεμαχίων όσο και την επεξεργασία παρτίδων, ενισχύοντας σημαντικά την απόδοση και τη συνέπεια.
Κατηγορίες | Στοιχείο | ||||
Δίσκος στίλβωσης | Διάμετρος | 820 (mm) | 914 (mm) | 1282 (mm) | 1504 (mm) |
Κεραμικές πλάκες | Διάμετρος | 305 (mm) | 360 (mm) | 485 (mm) | 576 (mm) |
Βέλτιστο μέγεθος μηχανικής κατεργασίας | 50-100 (mm) | 50-150 (mm) | 150-200 (mm) | 200 (mm) | |
Ισχύς | Δίσκος στίλβωσης | 11 | 11 | 18.5 | 30 |
Εργαλείο στίλβωσης | / | 0.75×4 | 2.2×4 | 2.2 | |
Ρυθμός περιστροφής | Δίσκος στίλβωσης | 80 | 65 | 65 | 50 |
Εργαλείο στίλβωσης | / | 65 | 65 | 50 | |
Δυνατότητα | 50mm | 72 | / | / | / |
100mm | 20 | 28 | 56 | / | |
150mm | / | 12 | 24 | / | |
200mm | / | 4 | 12 | 20 | |
Τάση ισχύος | 3×16+2*10 (㎜²) | ||||
Πηγή πεπιεσμένου αέρα | 0.5-0.6MPa | ||||
Μέγεθος | / | 1920×1125×1680 (mm) | 1360×1330×2798 (mm) | 2234×1780×2759 (mm) | 1900×1900×2700 (mm) |
Βάρος | / | 2000kg | 3500kg | 7500kg | 11826kg |
1. Μηχανική λείανση:
2. Έλεγχος πίεσης:
3. Ψύξη & Λίπανση:
4. Έλεγχος κίνησης:
Κατηγορία χαρακτηριστικού
|
Τεχνικές λεπτομέρειες
|
Πλαίσιο υψηλής ακαμψίας |
Ολοκληρωμένη δομή χύτευσης-σφυρηλάτησης, 50% υψηλότερη ικανότητα κατά της παραμόρφωσης. Το σύστημα υδραυλικής υποστήριξης τεσσάρων σημείων εξασφαλίζει δόνηση <0,01 mm σε υψηλές ταχύτητες.
|
Διεθνή εξαρτήματα
|
Τα βασικά μέρη (π.χ., κιβώτια ταχυτήτων, ρουλεμάν) χρησιμοποιούν Γερμανία SEW, Ιαπωνία THK, Ελβετία SKF, επιτυγχάνοντας <0,005 mm ακρίβεια μετάδοσης. Siemens PLC + Schneider inverter για ρύθμιση ταχύτητας χωρίς βαθμίδες 0–180 RPM.
|
Έξυπνη διεπαφή
|
Η βιομηχανική οθόνη αφής 10 ιντσών υποστηρίζει προκαθορισμένες συνταγές (χονδροειδής στίλβωση, λεπτή στίλβωση, επισκευή δίσκου), παρακολούθηση σε πραγματικό χρόνο (πίεση/θερμοκρασία/ταχύτητα) και αυτόματους συναγερμούς τερματισμού (ποσοστό ελαττωμάτων <0,05%).
|
Ευέλικτη διαμόρφωση
|
Μεγέθη δίσκων στίλβωσης από φ300 mm έως φ1900 mm, που φιλοξενούν τεμάχια 3–1850 mm. επιλογές ισχύος από έναν κινητήρα (7,5 kW) έως πολλαπλούς κινητήρες (30 kW συνολικά), υποστηρίζοντας αναρρόφηση κενού και μηχανική σύσφιξη.
|
1. Βιομηχανία ημιαγωγών:
2. Οπτικά & Συσκευές ακριβείας:
3. Ηλεκτρονικά & Νέα ενέργεια:
4. Αεροδιαστημική & Άμυνα:
1. Ε: Ποια είναι τα βασικά πλεονεκτήματα του εξοπλισμού μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας;
Α: Επιτυγχάνει υπομικρονική ακρίβεια με υψηλή απόδοση, ιδανικό για γκοφρέτες πυριτίου, SiC και ζαφείρι στην κατασκευή ημιαγωγών.
2. Ε: Ποια υλικά ημιαγωγών μπορεί να επεξεργαστεί αυτό το μηχάνημα μονόπλευρης στίλβωσης;
Α: Σχεδιασμένο ειδικά για γκοφρέτες πυριτίου, καρβίδιο του πυριτίου (SiC) και υποστρώματα ζαφειριού.
Ετικέτα: #Εξοπλισμός μονόπλευρης στίλβωσης υψηλής ακρίβειας, #Προσαρμοσμένο, #Υλικά Si Wafers/SiC/Sapphire