Δίσκοι SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm μεμβράνη sic ΣΕ πυρίτιο
Οι δίσκοι SICOI (Silicon Carbide on Insulator) αντιπροσωπεύουν ένα υλικό υποστρώματος ημιαγωγών υψηλής απόδοσης που συνδυάζει τις εξαιρετικές φυσικές ιδιότητες του καρβιδίου του πυριτίου (SiC) με τα πλεονεκτήματα ηλεκτρικής μόνωσης ενός μονωτικού στρώματος (όπως SiO₂ ή Si₃N₄). Η δομή SICOI αποτελείται τυπικά από ένα μονοκρυσταλλικό στρώμα SiC, ένα μονωτικό στρώμα και ένα υποστηρικτικό υπόστρωμα (π.χ., Si ή SiC). Αυτή η διαμόρφωση βρίσκει εκτεταμένες εφαρμογές σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας, καθώς και σε πεδία αισθητήρων RF (Radio Frequency) και MEMS.
Σε σύγκριση με τους συμβατικούς δίσκους SiC, οι δίσκοι SICOI μειώνουν σημαντικά την παρασιτική χωρητικότητα και το ρεύμα διαρροής μέσω της ενσωμάτωσης ενός μονωτικού στρώματος, ενισχύοντας έτσι τη συχνότητα λειτουργίας της συσκευής και την ενεργειακή απόδοση. Αυτή η τεχνολογία είναι ιδιαίτερα κατάλληλη για εφαρμογές που απαιτούν υψηλή αντίσταση τάσης, χαμηλές απώλειες και ανώτερη θερμική απόδοση, όπως ηλεκτρικά οχήματα, επικοινωνίες 5G και αεροδιαστημικά ηλεκτρονικά.
Βασικά Χαρακτηριστικά Δίσκων SICOI
|
Κατηγορία Χαρακτηριστικού
|
Ειδικές Παράμετροι/Απόδοση
|
Τεχνικά Πλεονεκτήματα
|
|
Δομή Υλικού
|
Μονοκρυσταλλικό στρώμα SiC (4H/6H-SiC) + μονωτικό στρώμα (SiO₂/Si₃N₄) + υποστηρικτικό υπόστρωμα (Si/SiC)
|
Επιτρέπει την ηλεκτρική μόνωση και μειώνει τα παρασιτικά φαινόμενα
|
|
Ηλεκτρική Απόδοση
|
Υψηλή αντοχή πεδίου διάσπασης (>3 MV/cm), χαμηλές διηλεκτρικές απώλειες
|
Ιδανικό για συσκευές υψηλής συχνότητας και υψηλής τάσης
|
|
Θερμική Απόδοση
|
Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (4.9 W/cm·K), αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία (>500°C)
|
Εξαιρετική ικανότητα απαγωγής θερμότητας, κατάλληλο για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας
|
|
Μηχανική Απόδοση
|
Υψηλή σκληρότητα (σκληρότητα Mohs 9.5), χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής
|
Αντιστέκεται στη μηχανική καταπόνηση και ενισχύει την αξιοπιστία της συσκευής
|
|
Ποιότητα Επιφάνειας
|
Ατομικά επίπεδη επιφάνεια (Ra <0.2 nm)
|
Βελτιστοποιεί την ποιότητα επιταξιακής ανάπτυξης και ελαχιστοποιεί τα ελαττώματα
|
|
Απόδοση Μόνωσης
|
Υψηλή αντίσταση μόνωσης (>10¹⁴ Ω·cm), χαμηλό ρεύμα διαρροής
|
Κατάλληλο για συσκευές RF και ισχύος που απαιτούν υψηλή μόνωση
|
|
Μέγεθος και Προσαρμογή
|
Υποστηρίζει δίσκους 4/6/8 ιντσών με προσαρμόσιμη πάχος (στρώμα SiC: 1-100 μm, μονωτικό στρώμα: 0.1-10 μm)
|
Ανταποκρίνεται σε διάφορες απαιτήσεις εφαρμογής
|
Κύριες Εφαρμογές Δίσκων SICOI
|
Πεδίο Εφαρμογής
|
Ειδικά Σενάρια
|
Βασικά Πλεονεκτήματα
|
|
Ηλεκτρονικά Υψηλής Ισχύος
|
Μετατροπείς EV, σταθμοί ταχείας φόρτισης, βιομηχανικές μονάδες ισχύος
|
Η υψηλή αντίσταση τάσης και οι χαμηλές απώλειες βελτιώνουν την ενεργειακή απόδοση
|
|
Συσκευές RF
|
Ενισχυτές ισχύος (PAs) σταθμών βάσης 5G, μπροστινά άκρα RF χιλιοστομετρικών κυμάτων
|
Η χαμηλή παρασιτική χωρητικότητα επιτρέπει τη λειτουργία υψηλής συχνότητας με ελάχιστες απώλειες
|
|
Αισθητήρες MEMS
|
Αισθητήρες πίεσης υψηλής θερμοκρασίας, συσκευές αδρανειακής πλοήγησης
|
Αντέχει σε υψηλές θερμοκρασίες και ακτινοβολία, κατάλληλο για σκληρά περιβάλλοντα
|
|
Αεροδιαστημική
|
Συστήματα ισχύος αεροσκαφών, εξοπλισμός δορυφορικών επικοινωνιών
|
Υψηλή αξιοπιστία και αντοχή σε ακραίες θερμοκρασίες
|
|
Έξυπνο Δίκτυο
|
Μετάδοση συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης (HVDC), διακόπτες στερεάς κατάστασης
|
Οι ιδιότητες υψηλής μόνωσης μειώνουν την απώλεια ενέργειας
|
|
Οπτοηλεκτρονική
|
UV LEDs, υποστρώματα δίοδων λέιζερ
|
Η υψηλή αντιστοίχιση πλέγματος βελτιώνει την απόδοση της συσκευής
|
Η διαδικασία προετοιμασίας του 4H-SiCOI
Η διαδικασία κατασκευής του 4H-SiCOI και των μικροαντηχητών με επισημασμένα χαρακτηριστικά.
- α Διαδικασία κατασκευής της πλατφόρμας υλικού 4H-SiCOI.
- β Φωτογραφία υποστρώματος 4H-SiCOI κλίμακας 4 ιντσών που κατασκευάστηκε με τη μέθοδο συγκόλλησης και λέπτυνσης, η περιοχή αστοχίας είναι επισημασμένη.
- γ Συνολική μεταβολή πάχους του υποστρώματος 4H-SiCOI.
- δ Εικόνα ενός τσιπ 4H-SiCOI.
- ε Διάγραμμα ροής κατασκευής ενός μικροαντηχητή SiC.
- στ Ένα μικροσκόπιο σάρωσης ηλεκτρονίων (SEM) του κατασκευασμένου μικροαντηχητή.
- ζ Εικόνα SEM με μεγέθυνση του πλευρικού τοιχώματος του αντηχητή. Εισαγωγή, η σάρωση μικρογραφίας ατομικής δύναμης (AFM) της επάνω επιφάνειας του αντηχητή (Κλίμακα = 1 μm).
- η Εικόνα SEM από την πλευρά του κατασκευασμένου αντηχητή με άνω επιφάνεια σε σχήμα παραβολής.
Δίσκοι SICOI Ερωτήσεις και Απαντήσεις
1. Ε: Τι είναι ο δίσκος SICOI;
Α: Ο δίσκος SICOI (Silicon Carbide on Insulator) είναι ένα προηγμένο υπόστρωμα ημιαγωγών που συνδυάζει τις ιδιότητες υψηλής απόδοσης του SiC με ένα μονωτικό στρώμα για ενισχυμένη ηλεκτρική μόνωση σε συσκευές ισχύος και RF.
2. Ε: Ποια είναι τα πλεονεκτήματα των δίσκων SICOI;
Α: Οι δίσκοι SICOI προσφέρουν χαμηλότερη παρασιτική χωρητικότητα, υψηλότερη τάση διάσπασης και καλύτερη θερμική διαχείριση σε σύγκριση με τους τυπικούς δίσκους SiC, ιδανικοί για εφαρμογές 5G και EV.
Ετικέτα: #4inch 6inch 8inch, #Customized, #4H-SiCOI Wafers, #Composite SiC on Insulator Substrates, #SiC, #SiO2, #Si,#SICOI wafer 4H-SiC on insulato, #100 to 150 mm, #sic film ON silicon, #Cαποτελείται από μερικά μικρά SiC πάνω από μερικά μικρά SiO2, πάνω από Si.
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
