λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Σπίτι ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου

Name: Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: SICOI Wafers
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Ονομασία μάρκας:	ZMSH
Αριθμός μοντέλου:	SICOI Wafers
MOQ:	25
Τιμή:	by case
Χρόνος παράδοσης:	2-4weeks
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες

Place of Origin:

CHINA

Πιστοποίηση:

rohs

Μέγεθος:

4inch/6inch/8inch

Τραχύτητα επιφάνειας:

RA <0,5nm

Ανθεκτικότητα σε θραύση:

3.5 MPa · M¹/²

CTE (4H-SIC):

4.2 × 10⁻⁶/k

Αντίσταση (SI):

> 1 × 10⁶ ω · cm

Εφαρμογές:

Ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος, συσκευές RF

Packaging Details:

package in 100-grade cleaning room

Επισημαίνω:

Δίσκος 4H-SiC σε μονωτή

Δίσκος SICOI 100-150mm

Επιφάνεια SiC ΕΠΙ υπόστρωμα πυριτίου

Περιγραφή προϊόντων

Επισκόπηση Δίσκων SICOI

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΣΕ πυρίτιο

Οι δίσκοι SICOI (Silicon Carbide on Insulator) αντιπροσωπεύουν ένα υλικό υποστρώματος ημιαγωγών υψηλής απόδοσης που συνδυάζει τις εξαιρετικές φυσικές ιδιότητες του καρβιδίου του πυριτίου (SiC) με τα πλεονεκτήματα ηλεκτρικής απομόνωσης ενός μονωτικού στρώματος (όπως SiO₂ ή Si₃N₄). Η δομή SICOI συνήθως αποτελείται από ένα μονοκρυσταλλικό στρώμα SiC, ένα μονωτικό στρώμα και ένα υποστηρικτικό υπόστρωμα (π.χ., Si ή SiC). Αυτή η διαμόρφωση βρίσκει εκτεταμένες εφαρμογές σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας, καθώς και στους τομείς των αισθητήρων RF (Ραδιοσυχνοτήτων) και MEMS.

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου

Σε σύγκριση με τους συμβατικούς δίσκους SiC, οι δίσκοι SICOI μειώνουν σημαντικά την παρασιτική χωρητικότητα και το ρεύμα διαρροής μέσω της ενσωμάτωσης ενός μονωτικού στρώματος, ενισχύοντας έτσι τη συχνότητα λειτουργίας της συσκευής και την ενεργειακή απόδοση. Αυτή η τεχνολογία είναι ιδιαίτερα κατάλληλη για εφαρμογές που απαιτούν αντοχή σε υψηλή τάση, χαμηλές απώλειες και ανώτερη θερμική απόδοση, όπως ηλεκτρικά οχήματα, επικοινωνίες 5G και αεροδιαστημική ηλεκτρονική.

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου

Βασικά Χαρακτηριστικά Δίσκων SICOI

Κατηγορία Χαρακτηριστικού

Συγκεκριμένες Παράμετροι/Απόδοση

Τεχνικά Πλεονεκτήματα

Υλική Δομή

Μονοκρυσταλλικό στρώμα SiC (4H/6H-SiC) + μονωτικό στρώμα (SiO₂/Si₃N₄) + υποστηρικτικό υπόστρωμα (Si/SiC)

Επιτρέπει ηλεκτρική απομόνωση και μειώνει τα παρασιτικά φαινόμενα

Ηλεκτρική Απόδοση

Υψηλή αντοχή σε διάσπαση (>3 MV/cm), χαμηλή διηλεκτρική απώλεια

Ιδανικό για συσκευές υψηλής συχνότητας και υψηλής τάσης

Θερμική Απόδοση

Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (4,9 W/cm·K), αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία (>500°C)

Εξαιρετική ικανότητα απαγωγής θερμότητας, κατάλληλο για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας

Μηχανική Απόδοση

Υψηλή σκληρότητα (σκληρότητα Mohs 9,5), χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής

Αντέχει σε μηχανικές καταπονήσεις και ενισχύει την αξιοπιστία της συσκευής

Ποιότητα Επιφάνειας

Ατομικά επίπεδη επιφάνεια (Ra <0,2 nm)

Βελτιστοποιεί την ποιότητα της επιταξιακής ανάπτυξης και ελαχιστοποιεί τα ελαττώματα

Απόδοση Μόνωσης

Υψηλή αντίσταση μόνωσης (>10¹⁴ Ω·cm), χαμηλό ρεύμα διαρροής

Κατάλληλο για συσκευές RF και ισχύος που απαιτούν υψηλή απομόνωση

Μέγεθος και Προσαρμογή

Υποστηρίζει δίσκους 4/6/8 ιντσών με προσαρμόσιμο πάχος (στρώμα SiC: 1-100 μm, μονωτικό στρώμα: 0,1-10 μm)

Καλύπτει ποικίλες απαιτήσεις εφαρμογής

Κύριες Εφαρμογές Δίσκων SICOI

Πεδίο Εφαρμογής	Συγκεκριμένα Σενάρια	Βασικά Πλεονεκτήματα
Ηλεκτρονικά Υψηλής Ισχύος	Αντιστροφείς EV, σταθμοί γρήγορης φόρτισης, μονάδες βιομηχανικής ισχύος	Η υψηλή αντοχή σε τάση και οι χαμηλές απώλειες βελτιώνουν την ενεργειακή απόδοση
Συσκευές RF	Ενισχυτές ισχύος σταθμών βάσης 5G (PAs), RF frontends χιλιοστομετρικού κύματος	Η χαμηλή παρασιτική χωρητικότητα επιτρέπει λειτουργία υψηλής συχνότητας με ελάχιστες απώλειες
Αισθητήρες MEMS	Αισθητήρες πίεσης υψηλής θερμοκρασίας, συσκευές αδρανειακής πλοήγησης	Αντέχει σε υψηλές θερμοκρασίες και ακτινοβολία, κατάλληλο για σκληρά περιβάλλοντα
Αεροδιαστημική	Συστήματα ισχύος αεροσκαφών, εξοπλισμός δορυφορικών επικοινωνιών	Υψηλή αξιοπιστία και αντοχή σε ακραίες θερμοκρασίες
Έξυπνο Δίκτυο	Μεταφορά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης (HVDC), διακόπτες στερεάς κατάστασης	Οι υψηλές ιδιότητες μόνωσης μειώνουν την απώλεια ενέργειας
Οπτοηλεκτρονική	UV LED, υποστρώματα διόδων λέιζερ	Η υψηλή αντιστοίχιση πλέγματος βελτιώνει την απόδοση της συσκευής

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου

Η διαδικασία προετοιμασίας 4H-SiCOI

Η διαδικασία κατασκευής 4H-SiCOI και οι μικροαντηχητές με επισημασμένα χαρακτηριστικά.

α Διαδικασία κατασκευής της αρχικής πλατφόρμας υλικού 4H-SiCOI.
β Φωτογραφία ενός δίσκου 4 ιντσών 4H-SiCOI σε κλίμακα δίσκου κατασκευασμένου με μέθοδο συγκόλλησης και αραίωσης, η περιοχή αστοχίας έχει σημειωθεί.
γ Συνολική διακύμανση πάχους του υποστρώματος 4H-SiCOI.
δ Εικόνα ενός τεμαχίου 4H-SiCOI.
ε Διάγραμμα ροής κατασκευής ενός μικροδίσκου αντηχητή SiC.
στ Ηλεκτρονικό μικροσκόπιο σάρωσης (SEM) του κατασκευασμένου μικροδίσκου αντηχητή.
ζ Μεγέθυνση εικόνας SEM του πλευρικού τοιχώματος του αντηχητή. Εισαγωγή, σάρωση μικροσκοπίου ατομικής δύναμης (AFM) της άνω επιφάνειας του αντηχητή (Μπάρα κλίμακας = 1 μm).
η Εικόνα SEM από πλάγια όψη του κατασκευασμένου αντηχητή με άνω επιφάνεια σε σχήμα παραβολής.

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου

Δίσκοι SICOI ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ & ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ

1. Ε: Τι είναι ο δίσκος SICOI;
Α: Ο δίσκος SICOI (Silicon Carbide on Insulator) είναι ένα προηγμένο υπόστρωμα ημιαγωγών που συνδυάζει τις ιδιότητες υψηλής απόδοσης του SiC με ένα μονωτικό στρώμα για βελτιωμένη ηλεκτρική απομόνωση σε συσκευές ισχύος και RF.

2. Ε: Ποια είναι τα πλεονεκτήματα των δίσκων SICOI;
Α: Οι δίσκοι SICOI προσφέρουν χαμηλότερη παρασιτική χωρητικότητα, υψηλότερη τάση διάσπασης και καλύτερη θερμική διαχείριση σε σύγκριση με τους τυπικούς δίσκους SiC, ιδανικοί για εφαρμογές 5G και EV.

Ετικέτα: #4inch 6inch 8inch, #Customized, #4H-SiCOI Wafers, #Composite SiC on Insulator Substrates, #SiC, #SiO2, #Si,#SICOI wafer 4H-SiC on insulato, #100 to 150 mm, #sic film ON silicon, #Cαποτελούνται από μερικά μικρόμετρα SiC πάνω από μερικά μικρόμετρα SiO2, πάνω από Si.

Ετικέττες:

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου

Δίσκος 4H-SiC σε μονωτή

Δίσκος SICOI 100-150mm

Επιφάνεια SiC ΕΠΙ υπόστρωμα πυριτίου

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΣΕ πυρίτιο

Βασικά Χαρακτηριστικά Δίσκων SICOI

Κύριες Εφαρμογές Δίσκων SICOI

Η διαδικασία προετοιμασίας 4H-SiCOI

Δίσκοι SICOI ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ & ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ​

γκοφρέτα SIC

υπόστρωμα SIC

υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

Αλουμινίου κεραμική:Οξείδιο του αλουμινίου λευκό ελεφαντόδοντο ακριβής μηχανική προσαρμογή υποστηρίζεται

Δίσκοι SICOI ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ & ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ