λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Σπίτι ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου

Name: Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: SICOI Wafers
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Ονομασία μάρκας:	ZMSH
Αριθμός μοντέλου:	SICOI Wafers
MOQ:	25
τιμή:	by case
Χρόνος παράδοσης:	2-4weeks
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες

Place of Origin:

CHINA

Πιστοποίηση:

rohs

Size:

4inch/6inch/8inch

Surface Roughness:

Ra<0.5nm

Fracture Toughness:

3.5 MPa·m¹/²

CTE (4H-SiC):

4.2×10⁻⁶/K

Resistivity (SI):

>1×10⁶ Ω·cm

Applications:

High-Power Electronics,RF Devices

Packaging Details:

package in 100-grade cleaning room

Επισημαίνω:

Δίσκος 4H-SiC σε μονωτή

Δίσκος SICOI 100-150mm

Επιφάνεια SiC ΕΠΙ υπόστρωμα πυριτίου

Περιγραφή προϊόντων

Επισκόπηση Δίσκων SICOI

Δίσκοι SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm μεμβράνη sic ΣΕ πυρίτιο

Οι δίσκοι SICOI (Silicon Carbide on Insulator) αντιπροσωπεύουν ένα υλικό υποστρώματος ημιαγωγών υψηλής απόδοσης που συνδυάζει τις εξαιρετικές φυσικές ιδιότητες του καρβιδίου του πυριτίου (SiC) με τα πλεονεκτήματα ηλεκτρικής μόνωσης ενός μονωτικού στρώματος (όπως SiO₂ ή Si₃N₄). Η δομή SICOI αποτελείται τυπικά από ένα μονοκρυσταλλικό στρώμα SiC, ένα μονωτικό στρώμα και ένα υποστηρικτικό υπόστρωμα (π.χ., Si ή SiC). Αυτή η διαμόρφωση βρίσκει εκτεταμένες εφαρμογές σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας, καθώς και σε πεδία αισθητήρων RF (Radio Frequency) και MEMS.

Σε σύγκριση με τους συμβατικούς δίσκους SiC, οι δίσκοι SICOI μειώνουν σημαντικά την παρασιτική χωρητικότητα και το ρεύμα διαρροής μέσω της ενσωμάτωσης ενός μονωτικού στρώματος, ενισχύοντας έτσι τη συχνότητα λειτουργίας της συσκευής και την ενεργειακή απόδοση. Αυτή η τεχνολογία είναι ιδιαίτερα κατάλληλη για εφαρμογές που απαιτούν υψηλή αντίσταση τάσης, χαμηλές απώλειες και ανώτερη θερμική απόδοση, όπως ηλεκτρικά οχήματα, επικοινωνίες 5G και αεροδιαστημικά ηλεκτρονικά.

Βασικά Χαρακτηριστικά Δίσκων SICOI

Κατηγορία Χαρακτηριστικού

Ειδικές Παράμετροι/Απόδοση

Τεχνικά Πλεονεκτήματα

Δομή Υλικού

Μονοκρυσταλλικό στρώμα SiC (4H/6H-SiC) + μονωτικό στρώμα (SiO₂/Si₃N₄) + υποστηρικτικό υπόστρωμα (Si/SiC)

Επιτρέπει την ηλεκτρική μόνωση και μειώνει τα παρασιτικά φαινόμενα

Ηλεκτρική Απόδοση

Υψηλή αντοχή πεδίου διάσπασης (>3 MV/cm), χαμηλές διηλεκτρικές απώλειες

Ιδανικό για συσκευές υψηλής συχνότητας και υψηλής τάσης

Θερμική Απόδοση

Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (4.9 W/cm·K), αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία (>500°C)

Εξαιρετική ικανότητα απαγωγής θερμότητας, κατάλληλο για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας

Μηχανική Απόδοση

Υψηλή σκληρότητα (σκληρότητα Mohs 9.5), χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής

Αντιστέκεται στη μηχανική καταπόνηση και ενισχύει την αξιοπιστία της συσκευής

Ποιότητα Επιφάνειας

Ατομικά επίπεδη επιφάνεια (Ra <0.2 nm)

Βελτιστοποιεί την ποιότητα επιταξιακής ανάπτυξης και ελαχιστοποιεί τα ελαττώματα

Απόδοση Μόνωσης

Υψηλή αντίσταση μόνωσης (>10¹⁴ Ω·cm), χαμηλό ρεύμα διαρροής

Κατάλληλο για συσκευές RF και ισχύος που απαιτούν υψηλή μόνωση

Μέγεθος και Προσαρμογή

Υποστηρίζει δίσκους 4/6/8 ιντσών με προσαρμόσιμη πάχος (στρώμα SiC: 1-100 μm, μονωτικό στρώμα: 0.1-10 μm)

Ανταποκρίνεται σε διάφορες απαιτήσεις εφαρμογής

Κύριες Εφαρμογές Δίσκων SICOI

Πεδίο Εφαρμογής	Ειδικά Σενάρια	Βασικά Πλεονεκτήματα
Ηλεκτρονικά Υψηλής Ισχύος	Μετατροπείς EV, σταθμοί ταχείας φόρτισης, βιομηχανικές μονάδες ισχύος	Η υψηλή αντίσταση τάσης και οι χαμηλές απώλειες βελτιώνουν την ενεργειακή απόδοση
Συσκευές RF	Ενισχυτές ισχύος (PAs) σταθμών βάσης 5G, μπροστινά άκρα RF χιλιοστομετρικών κυμάτων	Η χαμηλή παρασιτική χωρητικότητα επιτρέπει τη λειτουργία υψηλής συχνότητας με ελάχιστες απώλειες
Αισθητήρες MEMS	Αισθητήρες πίεσης υψηλής θερμοκρασίας, συσκευές αδρανειακής πλοήγησης	Αντέχει σε υψηλές θερμοκρασίες και ακτινοβολία, κατάλληλο για σκληρά περιβάλλοντα
Αεροδιαστημική	Συστήματα ισχύος αεροσκαφών, εξοπλισμός δορυφορικών επικοινωνιών	Υψηλή αξιοπιστία και αντοχή σε ακραίες θερμοκρασίες
Έξυπνο Δίκτυο	Μετάδοση συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης (HVDC), διακόπτες στερεάς κατάστασης	Οι ιδιότητες υψηλής μόνωσης μειώνουν την απώλεια ενέργειας
Οπτοηλεκτρονική	UV LEDs, υποστρώματα δίοδων λέιζερ	Η υψηλή αντιστοίχιση πλέγματος βελτιώνει την απόδοση της συσκευής

Η διαδικασία προετοιμασίας του 4H-SiCOI

Η διαδικασία κατασκευής του 4H-SiCOI και των μικροαντηχητών με επισημασμένα χαρακτηριστικά.

α Διαδικασία κατασκευής της πλατφόρμας υλικού 4H-SiCOI.
β Φωτογραφία υποστρώματος 4H-SiCOI κλίμακας 4 ιντσών που κατασκευάστηκε με τη μέθοδο συγκόλλησης και λέπτυνσης, η περιοχή αστοχίας είναι επισημασμένη.
γ Συνολική μεταβολή πάχους του υποστρώματος 4H-SiCOI.
δ Εικόνα ενός τσιπ 4H-SiCOI.
ε Διάγραμμα ροής κατασκευής ενός μικροαντηχητή SiC.
στ Ένα μικροσκόπιο σάρωσης ηλεκτρονίων (SEM) του κατασκευασμένου μικροαντηχητή.
ζ Εικόνα SEM με μεγέθυνση του πλευρικού τοιχώματος του αντηχητή. Εισαγωγή, η σάρωση μικρογραφίας ατομικής δύναμης (AFM) της επάνω επιφάνειας του αντηχητή (Κλίμακα = 1 μm).
η Εικόνα SEM από την πλευρά του κατασκευασμένου αντηχητή με άνω επιφάνεια σε σχήμα παραβολής.

Δίσκος SICOI 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiC σε μονωτή 100 έως 150 mm φιλμ sic ΕΠΙ πυριτίου 2

Δίσκοι SICOI Ερωτήσεις και Απαντήσεις

1. Ε: Τι είναι ο δίσκος SICOI;
Α: Ο δίσκος SICOI (Silicon Carbide on Insulator) είναι ένα προηγμένο υπόστρωμα ημιαγωγών που συνδυάζει τις ιδιότητες υψηλής απόδοσης του SiC με ένα μονωτικό στρώμα για ενισχυμένη ηλεκτρική μόνωση σε συσκευές ισχύος και RF.

2. Ε: Ποια είναι τα πλεονεκτήματα των δίσκων SICOI;
Α: Οι δίσκοι SICOI προσφέρουν χαμηλότερη παρασιτική χωρητικότητα, υψηλότερη τάση διάσπασης και καλύτερη θερμική διαχείριση σε σύγκριση με τους τυπικούς δίσκους SiC, ιδανικοί για εφαρμογές 5G και EV.

Ετικέτα: #4inch 6inch 8inch, #Customized, #4H-SiCOI Wafers, #Composite SiC on Insulator Substrates, #SiC, #SiO2, #Si,#SICOI wafer 4H-SiC on insulato, #100 to 150 mm, #sic film ON silicon, #Cαποτελείται από μερικά μικρά SiC πάνω από μερικά μικρά SiO2, πάνω από Si.

Ετικέττες:

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

GaAs γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων