2 "Σάφυρο Wafer, εκτός άξονα C προς το επίπεδο A 2°, 430 μm πάχος, DSP/SSP

2" Δίσκος Ζαφειριού Εκτός  C-Axis προς A-plane2°,Al₂O₃,430µm Πάχος, DSP/SSP

Αυτό το δίσκος ζαφειριού 2 ιντσών διαθέτει εξαιρετικά ακριβή Εκτός C-Axis προς A-Plane 2° και 99.999% (5N) καθαρότητα, βελτιστοποιημένο για υψηλής απόδοσης επιταξιακή ανάπτυξη και εξειδικευμένες οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές. Με πάχος 430µm και επιλογές για διπλής όψης στίλβωση (DSP) ή μονής όψης στίλβωση (SSP), ο δίσκος προσφέρει εξαιρετική ποιότητα επιφάνειας (Ra <0.3nm) και κρυσταλλογραφική συνέπεια, καθιστώντας τον ιδανικό για συσκευές βασισμένες σε GaN, συστήματα λέιζερ και υποστρώματα ποιότητας έρευνας. Ο ελεγχόμενος προσανατολισμός εκτός άξονα μειώνει τα ελαττώματα συσσώρευσης βημάτων κατά την επιταξία, ενώ η εξαιρετικά υψηλή καθαρότητα εξασφαλίζει ελάχιστη υποβάθμιση της απόδοσης που προκαλείται από ακαθαρσίες σε ευαίσθητες εφαρμογές όπως η κβαντική οπτική και τα φίλτρα RF.

Βασικά Χαρακτηριστικά του Δίσκου Ζαφειριού 2''

Προσανατολισμός Ακριβείας Εκτός Κοπής:

Εκτός C-plane προς A-axis 2° , σχεδιασμένο για να ενισχύει την ομοιομορφία του επιταξιακού στρώματος και να μειώνει τα ελαττώματα στην ανάπτυξη GaN.

Εξαιρετικά Υψηλή Καθαρότητα:

99.999% (5N) Al₂O₃, με ίχνη ακαθαρσιών (Fe, Ti, Si) <5ppm, κρίσιμη για συσκευές υψηλής συχνότητας και χαμηλών απωλειών.

Ποιότητα Επιφάνειας Υπομικρομέτρων:

Επιλογές DSP/SSP:

DSP: Ra <0.3nm (και στις δύο πλευρές), ιδανικό για οπτικές και εφαρμογές λέιζερ.

SSP: Ra <0.5nm (μπροστινή πλευρά), οικονομικά αποδοτικό για επιταξία.

TTV <5µm για ομοιόμορφη εναπόθεση λεπτών φιλμ.

Εξαιρετικό Υλικό:

Θερμική Σταθερότητα: Σημείο τήξης ~2.050°C, κατάλληλο για διεργασίες MOCVD/MBE.

Οπτική Διαφάνεια: >90% μετάδοση (400nm–4.000nm).

Μηχανική Ανθεκτικότητα: Σκληρότητα 9 Mohs, ανθεκτικό σε χημική χάραξη.

Συνέπεια Ποιότητας Έρευνας:

Πυκνότητα Δυστοκίας <300 cm⁻², εξασφαλίζοντας υψηλή απόδοση για Ε&Α και πιλοτική παραγωγή.

Εφαρμογές

Επιταξία GaN:

LED/Δίοδοι Laser: Εκπομποί μπλε/UV με μειωμένες δυστοκίες νημάτων.

HEMTs: Τρανζίστορ υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων για 5G και ραντάρ.

Οπτικά Εξαρτήματα:

Παράθυρα Laser: Χαμηλή απώλεια σκέδασης για λέιζερ CO₂ και UV.

Οδηγοί Κυμάτων: Δίσκοι DSP για ενσωματωμένη φωτονική.

Συσκευές Ακουστικών Κυμάτων:

Φίλτρα SAW/BAW: Ο προσανατολισμός εκτός κοπής βελτιώνει τη σταθερότητα συχνότητας.

Κβαντικές Τεχνολογίες:

Πηγές Μονοφωτονίων: Υποστρώματα υψηλής καθαρότητας για κρυστάλλους SPDC.

Βιομηχανικοί Αισθητήρες:

Αισθητήρες Πίεσης/Θερμοκρασίας: Χημικά αδρανή καλύμματα για σκληρά περιβάλλοντα.

Προδιαγραφές

Ερωτήσεις και Απαντήσεις

Ε1: Γιατί να επιλέξετε μια εκτός κοπής 2° αντί για το τυπικό C-plane;
Α1: Η εκτός κοπής 2° καταστέλλει τη συσσώρευση βημάτων κατά την επιταξία GaN, βελτιώνοντας την ομοιομορφία του στρώματος και μειώνοντας τα ελαττώματα σε LED και δίοδους λέιζερ υψηλής φωτεινότητας.

Ε2: Πώς η καθαρότητα 5N επηρεάζει την απόδοση της συσκευής RF;
Α2: Η καθαρότητα 99.999% ελαχιστοποιεί τις διηλεκτρικές απώλειες σε υψηλές συχνότητες, κρίσιμη για φίλτρα 5G και ενισχυτές χαμηλού θορύβου.

Ε3: Μπορούν οι δίσκοι DSP να χρησιμοποιηθούν για άμεση συγκόλληση;
Α3: Ναι. Η τραχύτητα DSP’s <0.3nm επιτρέπει τη συγκόλληση ατομικού επιπέδου για ετερογενή ενσωμάτωση (π.χ., ζαφείρι σε πυρίτιο).

Ε4: Ποιο είναι το πλεονέκτημα του πάχους 430µm;
Α4: Εξισορροπεί τη μηχανική αντοχή (για το χειρισμό) με τη θερμική αγωγιμότητα, βέλτιστη για ταχεία θερμική επεξεργασία.