2 "Σαφείρινη πλάκα, 0,2° εκτός άξονα C προς επίπεδο A, 430 μm πάχος, DSP/SSP

2 "Σαφίρινη πλάκα C-επίπεδο έως Α 0,2°±0,1° Off, 99,999% AlΔύο₃, 430μm Μέγεθος, DSP/SSP

Αυτό...Δύο ίντσες ζαφείρινη πλάκαχαρακτηριστικά εξαιρετικά ακριβήΣτον άξονα C προς τον άξονα A εκτός διαχωρισμού (0,2°±0,1°)και99καθαρότητα 0,999% (5N), βελτιστοποιημένη για την επιταξιακή ανάπτυξη υψηλών επιδόσεων και εξειδικευμένες εφαρμογές οπτικοηλεκτρονικής.430 μm πάχοςκαι επιλογές γιαΔύο πλευρικές γυαλιστικές (DSP) ή μονοπλευρές γυαλιστικές (SSP), η πλάκα προσφέρει εξαιρετική ποιότητα επιφάνειας (Ra <0,3nm) και κρυσταλλογραφική σταθερότητα, καθιστώντας την ιδανική για συσκευές με βάση το GaN, συστήματα λέιζερ και υποστρώματα έρευνας.Ο ελεγχόμενος προσανατολισμός του εκτός άξονα μειώνει τα ελαττώματα βήματος κατά τη διάρκεια της επιταγής, ενώ η εξαιρετικά υψηλή καθαρότητα εξασφαλίζει ελάχιστη υποβάθμιση της απόδοσης λόγω ακαθαρσίας σε ευαίσθητες εφαρμογές όπως η κβαντική οπτική και τα φίλτρα ραδιοσυχνοτήτων.

Βασικά χαρακτηριστικά

Ακριβής προσανατολισμός εκτός κοπής:

Σχήμα C προς άξονα Α 0,2°±0,1° εκτός διαχωρισμού, σχεδιασμένα για να ενισχύσουν την ομοιομορφία της επιταξιακής στρώσης και να μειώσουν τα ελαττώματα στην ανάπτυξη του GaN.

Υπερ-υψηλή καθαρότητα:

990,999% (5N) ΑλΔύο₃, με ιχνοστοιχίες ακαθαρσιών (Fe, Ti, Si) < 5ppm, κρίσιμες για συσκευές υψηλής συχνότητας και χαμηλής απώλειας.

Ποιότητα επιφάνειας σε υπομικρόνια:

Επιλογές DSP/SSP:

DSP: Ra < 0,3nm (από τις δύο πλευρές), ιδανικό για οπτικές και λέιζερ εφαρμογές.

SSP: Ra < 0,5 nm (πρώτη πλευρά), οικονομικά αποδοτικό για την επιταξία.

TTV < 5 μmγια την ομοιόμορφη κατάθεση λεπτών ταινιών.

Υλική Αριστεία:

Θερμική σταθερότητα: Σημείο τήξης ~ 2,050°C, κατάλληλο για διαδικασίες MOCVD/MBE.

Οπτική διαφάνεια: > 90% μετάδοση (400nm ∙ 4000nm).

Μηχανική αντοχή: 9 Δυσκολία Mohs, ανθεκτική σε χημικές χαρακτικές.

Συνοχή με βάση το επίπεδο έρευνας:

Πληροφορίες σχετικά με τα μέτρα που λαμβάνονται για την αντιμετώπιση των κινδύνων- - -², εξασφαλίζοντας υψηλή απόδοση για την Ε&Α και την πιλοτική παραγωγή.

Εφαρμογές

Επιταξία GaN:

Φωτοβολείς LED/Διοίδες λέιζερ: Ακτινοβολείς μπλε/UV με μειωμένες εκτοπίσεις πεταμάτων.

ΕΜΤ: Τρανζίστορες υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων για 5G και ραντάρ.

Οπτικά στοιχεία:

Λάιζερ Windows: Χαμηλή απώλεια διάσπασης για λέιζερ CO2 και UV.

Οδηγούς κυμάτων: πλάκες DSP για ολοκληρωμένη φωτονική.

Συσκευές ακουστικών κυμάτων:

Φίλτρα SAW/BAWΟ προσανατολισμός εκτός διαχωρισμού βελτιώνει τη σταθερότητα της συχνότητας.

Κβαντικές τεχνολογίες:

Πηγές μονοφωτονίων: Υποστρώματα υψηλής καθαρότητας για κρυστάλλους SPDC.

Βιομηχανικοί αισθητήρες:

Αισθητήρες πίεσης/θερμοκρασίας: Χημικά αδρανή κάλυψη για σκληρά περιβάλλοντα.

Προδιαγραφές

Ερωτήσεις και απαντήσεις

Ε1: Γιατί να επιλέξετε μια διακοπή 0,2° αντί για το τυπικό επίπεδο C;
Α1:Η0.2° εκτός διαχωρισμού καταστολής της σταδιακής ομαδοποίησηςκατά τη διάρκεια της επιταξίας του GaN, βελτιώνοντας την ομοιομορφία των στρωμάτων και μειώνοντας τα ελαττώματα των LED υψηλής φωτεινότητας και των διόδων λέιζερ.

Ε2: Πώς η καθαρότητα 5N επηρεάζει την απόδοση της συσκευής RF;
Α2: 99.999% καθαρότητα ελαχιστοποιεί τις διηλεκτρικές απώλειεςσε υψηλές συχνότητες, κρίσιμες για φίλτρα 5G και ενισχυτές χαμηλού θορύβου.

Ε3: Μπορούν τα πλακάκια DSP να χρησιμοποιηθούν για άμεση σύνδεση;
Α3:Ναι, DSPs.< 0,3 nm τραχύτηταεπιτρέπει τη σύνδεση σε ατομικό επίπεδο για ετερογενή ολοκλήρωση (π.χ. σαφείρι-πάνω σε πυρίτιο).

Ε4: Ποιο είναι το πλεονέκτημα του πάχους 430μm;
Α4:Τα υπόλοιπαμηχανική αντοχή(για χειρισμό) μεθερμική αγωγιμότητα, βέλτιστη για ταχεία θερμική επεξεργασία.