λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Σπίτι ΠΡΟΪΟΝΤΑ

4-Inch C-Plane SSP Sapphire Wafer for GaN / III-Nitride Epitaxy

Ονομασία μάρκας:	ZMSH
MOQ:	10 τεμ
τιμή:	Pricing is subject to market fluctuations
Χρόνος παράδοσης:	2-4 εβδομάδες
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Κίνα

Τόπος καταγωγής:

Κίνα

Διάμετρος:

100 mm/4 ίντσες

Πάχος:

650±15 μικρά

Προσανατολισμός:

C-επίπεδο (0001) ± 0,3°

Τόξο:

<15>

Τραχύτητα μπροστινής επιφάνειας:

<0,2 nm

Αντοχή στη θερμότητα:

>1500°C

Συσκευασία λεπτομέρειες:

Προσαρμόσιμο

Δυνατότητα προσφοράς:

1000 τμχ/μήνα

Περιγραφή προϊόντων

Product Description

4-Inch C-Plane SSP Sapphire Wafer for GaN / III-Nitride Epitaxy

Overview

We produce 5N (99.999%) Purity monocrystalline Al₂O₃ for advanced semiconductor, optoelectronic, and optical applications.

These substrates are polished on a single side for excellent surface smoothness (Ra ≤ 0.2 nm). These substrates offer exceptional thermal stability (>1500 °C), high optical transmittance (~86–89% at 550 nm), and tight thickness uniformity (TTV ≤20 µm). They are ideal for LED epitaxial growth, GaN and III-nitride semiconductor devices, and high-temperature or optical applications.

4-Inch C-Plane SSP Sapphire Wafer for GaN / III-Nitride Epitaxy 1

Key Features

High-purity [5N (99.999%) Purity] single-crystal sapphire (Al₂O₃)
C-plane orientation (0001) with tight ±0.3° tolerance
Single side polished (SSP) surface, front Ra < 0.2 nm
Excellent flatness and low bow (<15 µm)
High thermal and chemical stability for harsh environments
Customizable axis, diameter, and thickness available

Specifications

Parameter	Specification
Diameter	100 mm ± 0.3 mm (4 inch)
Orientation	C-plane (0001), ±0.3°
Thickness	650 µm ± 15 µm
Bow	<15 µm
Front Surface	Single Side Polished (Ra < 0.2 nm)
Back side Roughness	1.0 ± 0.2µm
TTV (Total Thickness Variation)	≤ 20 µm
LTV (Local Thickness Variation)	≤ 20 µm
Warp	≤ 20 µm
Material	>99.999% high-purity Al₂O₃

Mechanical & Thermal Properties

Mohs hardness: 9 (second only to diamond)
Thermal conductivity: 25 W/m·K
Melting point: 2045°C
Low thermal expansion ensures dimensional stability

Applications

Substrate for GaN, AlN, and III-V or II-VI epitaxial growth
Blue, green, white and UV LED production
Laser diode (LD) substrates
Infrared (IR) optical components and windows
High-precision optics and microelectronics
Watch crystals&smartphone covers

Why Choose C-Plane Sapphire?

Sapphire substrate is ideal for high-performance optical and electronic applications. Sapphire offers exceptional hardness (Mohs 9), high thermal stability up to ~1500 °C, and excellent chemical resistance, a perfect choice for demanding environments such as during the MOCVD and MBE crystalline growth procedures. Its c-plane strucgture is also reasonably compatible with the crystal structure of III-nitrides, facilitating epitaxial alignment and uniform crystal growth.

Packaging & Shipping

25 wafers in one cassette box by vacuum bag or customized method upon request

FAQ

Q: What is the optical transmittance range?
A: Transparent from ~200 nm (UV) to ~5000 nm (mid-IR).

Q: Is the wafer conductive?
A: No — sapphire is an insulator, ideal for preventing leakage currents in electronics.

Q: Can the wafer be customized?

A: Yes, we accept custom diameters, thicknesses, and axis orientation according to client specifications.

Related Products

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

GaAs γκοφρέτα

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

4-Inch C-Plane SSP Sapphire Wafer for GaN / III-Nitride Epitaxy

Sapphire Optical Window Al2O3 Window Dia 45mm Thickness 10mm High Performance Customized

γυαλί σαπφείρου συνήθειας

υπόστρωμα σαπφείρου

οπτική σαπφείρου

Θερμικό σύνθετο διαμαντιού-αλουμινίου – Ελαφρύ, υψηλή θερμική αγωγιμότητα & χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής

Διαμαντένιο- χαλκό θερμικό σύνθετο ∙ Υψηλή αγωγιμότητα, ρυθμιζόμενη CTE και εξαιρετική σταθερότητα