logo
Καλή τιμή  σε απευθείας σύνδεση

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso.
Γκοφρέτα σαπφείρου
Created with Pixso. 4-ιντσών C-Plane SSP Ζαφειριένιο Wafer για GaN / III-Νιτρίδιο Επιταξία

4-ιντσών C-Plane SSP Ζαφειριένιο Wafer για GaN / III-Νιτρίδιο Επιταξία

Ονομασία μάρκας: ZMSH
MOQ: 10 τεμ
τιμή: Pricing is subject to market fluctuations
Χρόνος παράδοσης: 2-4 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Διάμετρος:
100 mm/4 ίντσες
Πάχος:
650±15 μικρά
Προσανατολισμός:
C-επίπεδο (0001) ± 0,3°
Τόξο:
<15>
Τραχύτητα μπροστινής επιφάνειας:
<0,2 nm
Αντοχή στη θερμότητα:
>1500°C
Συσκευασία λεπτομέρειες:
Προσαρμόσιμο
Δυνατότητα προσφοράς:
1000 τμχ/μήνα
Επισημαίνω:

4-дюймовая сапфировая подложка SSP C-плоскости

,

Сапфировая подложка SSP для эпитаксии GaN

,

Сапфировая подложка для эпитаксии III-нитридов

Περιγραφή προϊόντων

Περιγραφή προϊόντος

Δίσκος από ζαφείρι SSP C-Plane 4 ιντσών για επιταξία GaN / III-Νιτριδίων

 


Επισκόπηση

 

ΠαράγουμεΚαθαρότητα 5N (99,999%)μονοκρυσταλλικό Al₂O₃ για προηγμένες εφαρμογές ημιαγωγών, οπτοηλεκτρονικών και οπτικών.

Αυτά τα υποστρώματα είναι γυαλισμένα μονής όψης για εξαιρετική λεία επιφάνεια (Ra ≤ 0,2 nm). Αυτά τα υποστρώματα προσφέρουν εξαιρετική θερμική σταθερότητα (>1500 °C), υψηλή οπτική διαπερατότητα (~86–89% στα 550 nm) και αυστηρή ομοιομορφία πάχους (TTV ≤20 µm). Είναι ιδανικά για επιταξιακή ανάπτυξη LED, συσκευές ημιαγωγών GaN και III-νιτριδίων, καθώς και για εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας ή οπτικές εφαρμογές.

4-ιντσών C-Plane SSP Ζαφειριένιο Wafer για GaN / III-Νιτρίδιο Επιταξία 1        4-ιντσών C-Plane SSP Ζαφειριένιο Wafer για GaN / III-Νιτρίδιο Επιταξία 2

 

 

Βασικά Χαρακτηριστικά

 

  • Υψηλής καθαρότητας [Καθαρότητα 5N (99,999%)] μονοκρυσταλλικό ζαφείρι (Al₂O₃)4-ιντσών C-Plane SSP Ζαφειριένιο Wafer για GaN / III-Νιτρίδιο Επιταξία 3

  • Προσανατολισμός C-plane (0001) με αυστηρή ανοχή ±0,3°

  • Επιφάνεια γυαλισμένη μονής όψης (SSP), μπροστινό Ra < 0,2 nm

  • Εξαιρετική επιπεδότητα και χαμηλή καμπύλωση (<15 µm)

  • Υψηλή θερμική και χημική σταθερότητα για σκληρά περιβάλλοντα

  • Διαθέσιμες προσαρμόσιμες γωνίες, διάμετρος και πάχος

 

Προδιαγραφές

Παράμετρος Προδιαγραφή
Διάμετρος 100 mm ± 0,3 mm (4 ίντσες)
Προσανατολισμός C-plane (0001), ±0,3°
Πάχος 650 µm ± 15 µm
Καμπύλωση <15 µm
Μπροστινή Επιφάνεια Γυαλισμένη Μονής Όψης (Ra < 0,2 nm)
Τραχύτητα Πίσω Όψης 
1,0 ± 0,2µm
TTV (Συνολική Διακύμανση Πάχους) ≤ 20 µm
LTV (Τοπική Διακύμανση Πάχους) ≤ 20 µm
Παραμόρφωση ≤ 20 µm
Υλικό >99,999% Al₂O₃ υψηλής καθαρότητας

 

 

Μηχανικές & Θερμικές Ιδιότητες

 

  • Σκληρότητα Mohs: 9 (δεύτερη μόνο μετά το διαμάντι)
  • Θερμική αγωγιμότητα: 25 W/m·K
  • Σημείο τήξης: 2045°C
  • Η χαμηλή θερμική διαστολή εξασφαλίζει διαστατική σταθερότητα4-ιντσών C-Plane SSP Ζαφειριένιο Wafer για GaN / III-Νιτρίδιο Επιταξία 4
 

Εφαρμογές

 

  • Υπόστρωμα για επιταξιακή ανάπτυξη GaN, AlN και III-V ή II-VI

  • Παραγωγή μπλε, πράσινων, λευκών και UV LED

  • Υποστρώματα διόδων λέιζερ (LD)4-ιντσών C-Plane SSP Ζαφειριένιο Wafer για GaN / III-Νιτρίδιο Επιταξία 5

  • Οπτικά εξαρτήματα και παράθυρα υπερύθρων (IR)

  • Οπτικά και μικροηλεκτρονικά υψηλής ακρίβειας

  • Κρύσταλλα ρολογιών/καλύμματα smartphone

 

Γιατί να επιλέξετε C-Plane Sapphire;

Το υπόστρωμα ζαφειριού είναι ιδανικό για οπτικές και ηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής απόδοσης. Το ζαφείρι προσφέρει εξαιρετική σκληρότητα (Mohs 9), υψηλή θερμική σταθερότητα έως ~1500 °C και εξαιρετική χημική αντοχή, μια τέλεια επιλογή για απαιτητικά περιβάλλοντα όπως κατά τις διαδικασίες κρυσταλλικής ανάπτυξης MOCVD και MBE. Η δομή του c-plane είναι επίσης λογικά συμβατή με τη δομή κρυστάλλου των III-νιτριδίων, διευκολύνοντας την επιταξιακή ευθυγράμμιση και την ομοιόμορφη κρυσταλλική ανάπτυξη. 

Συσκευασία & Αποστολή

25 δίσκοι σε ένα κουτί κασέτας με σακούλα κενού ή προσαρμοσμένη μέθοδο κατόπιν αιτήματος

Συχνές Ερωτήσεις

Ε: Ποιο είναι το εύρος οπτικής διαπερατότητας;
Α: Διαφανές από ~200 nm (UV) έως ~5000 nm (μεσαίο IR).

Ε: Είναι ο δίσκος αγώγιμος;
Α: Όχι — το ζαφείρι είναι ένας μονωτής, ιδανικός για την αποφυγή ρευμάτων διαρροής στα ηλεκτρονικά.

Ε: Μπορεί ο δίσκος να προσαρμοστεί;

Α: Ναι, δεχόμαστε προσαρμοσμένες διαμέτρους, πάχη και προσανατολισμό άξονα σύμφωνα με τις προδιαγραφές του πελάτη.

 

Σχετικά Προϊόντα

4-ιντσών C-Plane SSP Ζαφειριένιο Wafer για GaN / III-Νιτρίδιο Επιταξία 6

Οπτικό Παράθυρο Ζαφειριού Al2O3 Παράθυρο Dia 45mm Πάχος 10mm Υψηλής Απόδοσης Προσαρμοσμένο