|
Λεπτομέρειες:
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
|
Προσανατολισμός: | Επικεφαλής | Διάμετρος: | 300 mm±0,5 mm |
---|---|---|---|
Δάχος: | 1000 μμ±50 μμ | Υλικό: | κρύσταλλος ζαφειριού |
Χωρισμένα: | SSP ή dsp | TTV: | <15um> |
Υποκλίνεσαι.: | <50um> | ||
Επισημαίνω: | Ζαφείρινη πλάκα 12',Καθαρή ζαφείρινη πλάκα |
12" Δίσκος Ζαφειριού Διάμετρος 250mm (±0.5mm) Πάχος 1000µm Επίπεδο C
Αυτό το Δίσκος ζαφειριού 12 ιντσών (250mm) προσφέρει κορυφαία ακρίβεια (±0.5mm διάμετρος, 1.000µm πάχος) και εξαιρετικά υψηλή καθαρότητα (99.99%), βελτιστοποιημένο για προηγμένες εφαρμογές ημιαγωγών και οπτοηλεκτρονικής. Το προσανατολισμός επιπέδου C (0001) εξασφαλίζει εξαιρετική ποιότητα επιταξιακής ανάπτυξης για συσκευές GaN, ενώ η μεγάλη διάμετρός του μεγιστοποιεί την αποδοτικότητα της παραγωγής για κατασκευή μεγάλου όγκου. Με ανώτερη θερμική σταθερότητα (>2.000°C σημείο τήξης), οπτική διαφάνεια (85%+ από UV έως mid-IR) και μηχανική ανθεκτικότητα (σκληρότητα 9 Mohs), αυτός ο δίσκος είναι ιδανικός για ηλεκτρονικά ισχύος, LED, συστήματα λέιζερ και τεχνολογίες αιχμής κβαντικής τεχνολογίας.
Βασικά Χαρακτηριστικά του Δίσκου Ζαφειριού
Ακρίβεια Μεγάλου Σχήματος του Δίσκου Ζαφειριού:
Διάμετρος: 250mm ±0.5mm, συμβατό με γραμμές κατασκευής ημιαγωγών 12".
Πάχος: 1.000µm ±15µm, σχεδιασμένο για μηχανική αντοχή και ομοιομορφία διεργασίας.
του Δίσκου Ζαφειριού Εξαιρετικά Υψηλή Καθαρότητα (4N):
99.99% καθαρό Al₂O₃, εξαλείφοντας τις ακαθαρσίες που υποβαθμίζουν την οπτική/ηλεκτρική απόδοση.
του Δίσκου Ζαφειριού Εξαιρετικές Ιδιότητες Υλικού:
Θερμική Σταθερότητα: Σημείο τήξης ~2.050°C, κατάλληλο για ακραία περιβάλλοντα.
Οπτική Διαύγεια: >85% μετάδοση από 350nm έως 4.500nm (UV έως mid-IR).
Σκληρότητα: 9 Mohs, ανθεκτικό στις γρατσουνιές και τη χημική διάβρωση.
του Δίσκου Ζαφειριού Επιλογές Ποιότητας Επιφάνειας:
Επιφανειακή στίλβωση έτοιμη για επιταξία: Ra <0.3nm (μετρημένο με AFM), ιδανικό για εναπόθεση λεπτής μεμβράνης.
Διπλής όψης στίλβωση διαθέσιμη για εφαρμογές οπτικής ακριβείας.
Εφαρμογές του Δίσκου Ζαφειριού
Δίσκος Ζαφειριού σε Προηγμένη Οπτοηλεκτρονική:
LED/Δίοδοι λέιζερ GaN: Μπλε/UV LED, VCSELs για LiDAR και 3D ανίχνευση.
Οθόνες Micro-LED: Ομοιόμορφα υποστρώματα για οθόνες AR/VR επόμενης γενιάς.
Δίσκος Ζαφειριού σε Συσκευές Ισχύος & RF:
Ενισχυτές Ισχύος 5G/6G: Χαμηλή διηλεκτρική απώλεια σε υψηλές συχνότητες.
HEMTs και MOSFETs: Τρανζίστορ υψηλής τάσης για ηλεκτρικά οχήματα.
Δίσκος Ζαφειριού σε Βιομηχανία & Άμυνα:
IR Windows/Θόλοι πυραύλων: Διαφάνεια σε σκληρά περιβάλλοντα (π.χ., αεροδιαστημική).
Αισθητήρες Ζαφειριού: Ανθεκτικά στη διάβρωση καλύμματα για βιομηχανική παρακολούθηση.
Δίσκος Ζαφειριού σε Αναδυόμενες Τεχνολογίες:
Wearable Tech: Εξαιρετικά ανθεκτικό γυαλί κάλυψης για έξυπνα ρολόγια.
Προδιαγραφές
Παράμετρος |
Τιμή |
---|---|
Διάμετρος | 250mm ±0.5mm |
Πάχος | 1.000µm ±15µm |
Προσανατολισμός | Επίπεδο C (0001) ±0.2° |
Καθαρότητα | >99.99% (4N) |
Τραχύτητα επιφάνειας (Ra) | <0.3nm (έτοιμο για επιταξία) |
TTV | <15µm |
Bow | <50um |
Εξοπλισμός Εργοστασίου
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Wang
Τηλ.:: +8615801942596