Προσαρμοσμένος Σικ Κεραμικός Φορέας Τελικός Ενεργοποιητής για το χειρισμό των κυψελών

Προσαρμοσμένο φορέα Sic Ceramics End Effector για χειρισμό κυψελών

Ο τελικός εφεκτόρας χειρισμού πλακών, κατασκευασμένος με τεχνολογία επεξεργασίας υπερυποκρίνειας, επιτυγχάνει ακρίβεια διαστάσεων σε επίπεδο μικρομικρών (± 0,01 mm) και εξαιρετική θερμική σταθερότητα (CTE ≤ 4,5 × 10 - 6 / K).Η επιφάνεια του χαρακτηρίζεται από ένα προηγμένο νανοκρυσταλλικό προστατευτικό στρώμα SiC που αποθηκεύεται από CVD (καθαρότητα > 99.995%), παρέχοντας ανώτερη επιφάνεια (Ra<0,05μm) και αντοχή στην φθορά (ποσοστό φθοράς <0,1μm/1000 κύκλους), εξασφαλίζοντας παράλληλα την αβλαβή μεταφορά πλακιδίων σε υψηλές ταχύτητες (1.5m/s) με ελάχιστη παραγωγή σωματιδίων (<5 σωματίδια/ft3)Ο υψηλής καθαρότητας εφοδιασμένος με SiC επιθετικός μας δείχνει εξαιρετική σταθερότητα απόδοση σε ακραίες θερμοκρασίες (-200°C~1200°C),εξαιρετική θερμική ομοιομορφία (±1°C@150mm wafer) για συνέπεια πάχους επιταξιακής ανάπτυξης (±10,5%), και αξιοσημείωτη χημική αντοχή (pH1-13), διατηρώντας αξιόπιστη λειτουργία μέσα σε > 100.000 κύκλους.

Τεχνική προδιαγραφή:

Βασικά χαρακτηριστικά τηςΤελικός ενεργοποιητής για την επεξεργασία κυψελών

1Προστατευτικό στρώμα SiC σε νανοκλίμακα μέσω τεχνολογίας CVD

- Αποταμιεύεται με χρήση αντιδραστήρα CVD θερμού τοιχώματος (1200 °C) με μέγεθος κόκκους 20-50 nm

- Πληθυσμός επικάλυψης ≥ 3,18g/cm3, πορώστια < 0,1%

2Εξαιρετική σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες και θερμική ομοιομορφία

- Διατηρεί θερμική αγωγιμότητα ≥ 120W/m·K στους 1000°C

-Θερμική παραμόρφωση < 0,02 mm/100 mm (πιστοποιημένη με ASTM E228)

3Υπερτελή κρυσταλλική επικάλυψη SiC για ομαλότητα σε ατομικό επίπεδο

- Λάθος διαμαντιού γυαλισμένο σε Ra < 0,3 nm (επιβεβαιωμένο AFM)

- Συντελεστής τριβής επιφάνειας μ < 0,15 (έναντι πλακίδας πυριτίου)

4Υψηλότερη χημική αντοχή και αντοχή στο καθαρισμό

- Ταχύτητα χαρακτικής < 0,01 μm/κύκλο σε διαλύματα SC1/SC2

- Περνά δοκιμή καθαρισμού νερού με όζον 2000 κύκλων (80°C)

5. Ειδικό διαρθρωτικό σχεδιασμό που αποτρέπει τη ρωγμάτωση/αποστρωματισμό

- Σχεδιασμός στρώματος αποθήκευσης στρες (μεταβατική κλίση SiC/Si)

- Αντιστέκεται σε 1000 κύκλους θερμικών σοκ (-196°C~300°C) (συμμορφούμενο με το MIL-STD-883)

Βασικές εφαρμογέςΤελικός ενεργοποιητής για την επεξεργασία κυψελών

1Ηλεκτρονικές συσκευές:

· Μεταφορά κυψελών εντός των εργοστασίων (AMHS)

· Φορτίο/αφόρτωση εργαλείων λιθογραφίας

2Προηγμένη συσκευασία:

· Ακριβής ευθυγράμμιση για τη συσσώρευση Fan-out και 3D IC

· Επεξεργασία υπεραπλής πλάκας (< 100μm) για σύνθετους ημιαγωγούς GaN/SiC

3. Περιβάλλον κενού:

· Μεταφορά κυψελών σε θαλάμους PVD/CVD

Συμβατότητα διαδικασιών, υλικά και εφαρμογές

Εικόνες προϊόντωνΤελικός ενεργοποιητής για την επεξεργασία κυψελών

Η ZMSH είναι ένας κορυφαίος προμηθευτής λύσεων χειρισμού κυψελών υψηλής απόδοσης από καρβίδιο του πυριτίου (SiC), που ειδικεύεται σε πλακέτες μεταφορέα ακριβούς μηχανικής και τελικούς εφέτορες για την κατασκευή ημιαγωγών.Τα προηγμένα συστατικά SiC μας διαθέτουν εξαιρετικά καθαρές επικάλυψεις CVD με επιφανειακή τραχύτητα κάτω από 0Τα προϊόντα παρουσιάζουν εξαιρετική θερμική σταθερότητα, διατηρώντας διαμετρική ακρίβεια εντός ±0.03 mm σε ακραίες θερμοκρασίες από -200°C έως 1300°C, με συντελεστές θερμικής διαστολής τόσο χαμηλούς όσο 4.1×10−6/K.