logo
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Σπίτι > ΠΡΟΪΟΝΤΑ > Υπόστρωμα SIC > Ανθεκτική σε υψηλές θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης για φορείς κυψελών

Ανθεκτική σε υψηλές θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης για φορείς κυψελών

Λεπτομέρειες προϊόντων

Τόπος καταγωγής: Κίνα

Μάρκα: ZMSH

Πιστοποίηση: rohs

Αριθμό μοντέλου: Πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης

Όροι πληρωμής και αποστολής

Τιμή: by case

Χρόνος παράδοσης: 2-4weeks

Όροι πληρωμής: Τ/Τ

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

Ανθεκτική σε υψηλές θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC

,

Πλάκα υποστήριξης SiC για φορείς πλακιδίων

,

Υψηλής αντοχής σε θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC

Τύπος υλικού:
CVD-SiC
Διάμετρος:
100500mm
Δάχος:
10 έως 50 mm
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
1650°C
Σφιχτότητα:
30,10-3,21 g/cm3
Σκληρότητα (Mohs):
9.2
Τύπος υλικού:
CVD-SiC
Διάμετρος:
100500mm
Δάχος:
10 έως 50 mm
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
1650°C
Σφιχτότητα:
30,10-3,21 g/cm3
Σκληρότητα (Mohs):
9.2
Ανθεκτική σε υψηλές θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης για φορείς κυψελών

 

Πλάκα στήριξης SiC / Πλάκα στήριξης

 

 

Ανθεκτική σε υψηλές θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης για φορείς κυψελών

 

 

Οι πλάκες στήριξης / πλάκες στήριξης από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι κεραμικά στοιχεία υψηλής απόδοσης που χρησιμοποιούνται ευρέως σε προηγμένους τομείς παραγωγής, όπως ημιαγωγοί, LED και φωτοβολταϊκά.Γνωστοί για την εξαιρετική θερμική αντοχή τουςΗ ZMSH παρέχει εξατομικευμένες λύσεις SiC Backing Plate, συμπεριλαμβανομένου του σχεδιασμού, της κατασκευής, της δοκιμής και της κατασκευής.,και την υποστήριξη μετά την πώληση, εξασφαλίζοντας τη βελτιωμένη σταθερότητα της διαδικασίας και την αποτελεσματικότητα της παραγωγής.

 

 


 

Τεχνική προδιαγραφή:

 

 

Παράμετρος Προδιαγραφές Μονάδα Σημειώσεις
Τύπος υλικού Επικαιροποιημένα συστήματα ηλεκτρονικού ελέγχου - Προαιρετικό
Διάμετρος 100-500 (προσαρμόσιμα) χμ Τάγμα
Δάχος 10 - 50 χμ Ρυθμίσιμο
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας 1650 °C Μεσοπρόθεσμα
Θερμική αγωγιμότητα 120-200 W/m·K Σε θερμοκρασία 25°C
Συντελεστής θερμικής διαστολής 4.0 × 10−6 /°C NT1 χιλιόμετρο
Σφιχτότητα 3.10-3.21 g/cm3 Θεωρητικά
Πορώδες < 0,5% - Σφιχτό
Επεξεργαστική επιφάνεια <0,2 (φτιαγμένο) μm Τελεία καθρέφτη
Πλατεία ≤0.05 χιλιοστά/100 χιλιοστά Κατηγορία ακρίβειας
Σκληρότητα (Mohs) 9.2 - Δεύτερος μόνο στο διαμάντι
Δυνατότητα κάμψης 350 έως 450 MPa 3 βαθμοί
Καθαρότητα > 99,9995% - Κατηγορία ημιαγωγών

 

 


 

Σημαντικά χαρακτηριστικά

- Δεν ξέρω.

Ανθεκτική σε υψηλές θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης για φορείς κυψελών 0

 

1.Ανθεκτικότητα σε υψηλές θερμοκρασίες- Σταθερή λειτουργία άνω των 1600°C, κατάλληλη για ακραίες συνθήκες διαδικασίας.

 

2.Ανώτερη θερμική αγωγιμότητα∆ΕΥΤΕΡΕΙΣΜΟΣ ∆ΕΥΤΕΡΕΙΣΜΟΣ ∆ΕΥΤΕΡΕΙΣΜΟΣ

 

3.Χαμηλή θερμική επέκταση• Εξαιρετική σταθερότητα διαστάσεων σε υψηλές θερμοκρασίες, ελαχιστοποιώντας την καμπύλη.

 

4.Υψηλή σκληρότητα και αντοχή στην φθοράΔυνατότητα Μοχς 9.2, εξασφαλίζοντας μακροχρόνια αντοχή.

 

5.Χημική αδράνεια∆ Ανθεκτικό στα οξέα, τις αλκαλίες και τα διαβρωτικά περιβάλλοντα (π.χ. χαρακτική, CVD/PVD).

 

6.Υψηλή καθαρότηταΗ σύνθεση είναι απαλλαγμένη από μέταλλα και πληροί αυστηρά πρότυπα της βιομηχανίας ημιαγωγών.

 

 


 

Βασικές εφαρμογέςΠλάκα στήριξης SiC / πλάκα στήριξης

Ανθεκτική σε υψηλές θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης για φορείς κυψελών 1

- Δεν ξέρω.1. Συμβατότητα διαδικασιών

 

· Κατασκευή ημιαγωγών¢ Συμβατό με την CVD, MOCVD και την επιταξιακή ανάπτυξη, εξασφαλίζοντας ομοιόμορφη θέρμανση των κυψελών.

· Παραγωγή LEDΥποστηρίζει υποστρώματα ζαφείρι για συνεπή ανάπτυξη επιταξιακής στρώσης.

· Φωτοβολταϊκή ενέργειαΧρησιμοποιείται σε συντριβή υψηλής θερμοκρασίας και κατάθεση λεπτών ταινιών.

· Τεχνική επεξεργασία ακριβείαςΙδανικό για το laser cutting, το plasma etching και άλλες διαδικασίες υψηλής ακρίβειας.

 

 

2. Τύποι υλικού

 

· Αντιδραστικό SiC (RBSiC)Οικονομικά αποδοτική, ιδανική για γενική χρήση σε υψηλές θερμοκρασίες.

· Χημική Αποσύνθεση Ατμών SiC (CVD-SiC)- Υψηλή καθαρότητα για προηγμένες διεργασίες ημιαγωγών.

· Σι-Σι με θερμή πίεση (HPSiC)∆ Υψηλή πυκνότητα και αντοχή για εφαρμογές βαρέος φορτίου.

 

 

3Κεντρικές εφαρμογές

 

· Υποστήριξη πλάκας/υποστρώματος∆εσφαλίζει την ομοιόμορφη θερμική κατανομή κατά την επεξεργασία.

· Αντικατάσταση γραφίτη- Εξαλείφει τους κινδύνους οξείδωσης και μόλυνσης από σωματίδια.

· Εξοπλισμός χαρακτικήςΠαρέχει σταθερή υποστήριξη στο περιβάλλον πλάσματος.

 

 


Ανθεκτική σε υψηλές θερμοκρασίες πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης για φορείς κυψελών 2

Υπηρεσίες ZMSH ∆ιαλύσεις ολοκληρωμένης πλάκας στήριξης SiC / πλάκας στήριξης


1. Προσαρμοσμένο σχεδιασμό Οπτικοποιημένες διαστάσεις, γεωμετρία και επεξεργασίες επιφάνειας (π.χ. γυαλισμός, επικαλύψεις).

 

2. Τεχνικές κατασκευής ακριβείας για υψηλή συνέπεια και αξιοπιστία.

 

3- Απαραίτητες δοκιμές ∙ Υπερήχθη επιθεώρηση, θερμικός κύκλος και πρωτόκολλα διασφάλισης ποιότητας.

 

4- Γρήγορη ανταπόκριση - Τεχνική συμβουλευτική, πρωτότυποποίηση και υποστήριξη παραγωγής σε παρτίδες.

 

5. Παγκόσμια υποστήριξη Παγκόσμια κάλυψη (Ασία-Ειρηνικός, Ευρώπη, Αμερική) με 24/7 υπηρεσία μετά την πώληση.

 

 


 

Ερωτήσεις και Απαντήσεις

 

1Ε: Ποια είναι η μέγιστη θερμοκρασία για τις πλάκες στήριξης SiC;
Α: Οι πλάκες στήριξης SiC αντέχουν συνεχώς έως και 1650 °C, καθιστώντας τις ιδανικές για ημιαγωγικές διαδικασίες CVD/MOCVD.

 

 

2Ε: Γιατί χρησιμοποιείτε το SiC αντί για το γραφίτη για την υποστήριξη των κυψελών;
Α: Το SiC προσφέρει μηδενική μόλυνση σωματιδίων, υψηλότερη ακαμψία και μεγαλύτερη διάρκεια ζωής από το γραφίτη στην επεξεργασία πλακών υψηλής καθαρότητας.

 

 


Ετικέτα: #SiC Υποστήριξη Πλάκα, #Στήριξη Πλάκα, #SiC Τράι, # MOCVD / CVD, #Υψηλής καθαρότητας Καρβιδίου Σιλικίου, # Υψηλής Αντοχής Θερμοκρασίας, #Custom, #Wafer Φορείς

 

 

 

Παρόμοια προϊόντα