Λεπτομέρειες προϊόντων
Τόπος καταγωγής: Κίνα
Μάρκα: ZMSH
Πιστοποίηση: rohs
Αριθμό μοντέλου: Πλάκα στήριξης SiC/πλακέτα στήριξης
Όροι πληρωμής και αποστολής
Τιμή: by case
Χρόνος παράδοσης: 2-4weeks
Όροι πληρωμής: Τ/Τ
Τύπος υλικού: |
CVD-SiC |
Διάμετρος: |
100500mm |
Δάχος: |
10 έως 50 mm |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
1650°C |
Σφιχτότητα: |
30,10-3,21 g/cm3 |
Σκληρότητα (Mohs): |
9.2 |
Τύπος υλικού: |
CVD-SiC |
Διάμετρος: |
100500mm |
Δάχος: |
10 έως 50 mm |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
1650°C |
Σφιχτότητα: |
30,10-3,21 g/cm3 |
Σκληρότητα (Mohs): |
9.2 |
Οι πλάκες στήριξης / πλάκες στήριξης από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι κεραμικά στοιχεία υψηλής απόδοσης που χρησιμοποιούνται ευρέως σε προηγμένους τομείς παραγωγής, όπως ημιαγωγοί, LED και φωτοβολταϊκά.Γνωστοί για την εξαιρετική θερμική αντοχή τουςΗ ZMSH παρέχει εξατομικευμένες λύσεις SiC Backing Plate, συμπεριλαμβανομένου του σχεδιασμού, της κατασκευής, της δοκιμής και της κατασκευής.,και την υποστήριξη μετά την πώληση, εξασφαλίζοντας τη βελτιωμένη σταθερότητα της διαδικασίας και την αποτελεσματικότητα της παραγωγής.
Παράμετρος | Προδιαγραφές | Μονάδα | Σημειώσεις |
Τύπος υλικού | Επικαιροποιημένα συστήματα ηλεκτρονικού ελέγχου | - | Προαιρετικό |
Διάμετρος | 100-500 (προσαρμόσιμα) | χμ | Τάγμα |
Δάχος | 10 - 50 | χμ | Ρυθμίσιμο |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας | 1650 | °C | Μεσοπρόθεσμα |
Θερμική αγωγιμότητα | 120-200 | W/m·K | Σε θερμοκρασία 25°C |
Συντελεστής θερμικής διαστολής | 4.0 × 10−6 | /°C | NT1 χιλιόμετρο |
Σφιχτότητα | 3.10-3.21 | g/cm3 | Θεωρητικά |
Πορώδες | < 0,5% | - | Σφιχτό |
Επεξεργαστική επιφάνεια | <0,2 (φτιαγμένο) | μm | Τελεία καθρέφτη |
Πλατεία | ≤0.05 | χιλιοστά/100 χιλιοστά | Κατηγορία ακρίβειας |
Σκληρότητα (Mohs) | 9.2 | - | Δεύτερος μόνο στο διαμάντι |
Δυνατότητα κάμψης | 350 έως 450 | MPa | 3 βαθμοί |
Καθαρότητα | > 99,9995% | - | Κατηγορία ημιαγωγών |
- Δεν ξέρω.
1.Ανθεκτικότητα σε υψηλές θερμοκρασίες- Σταθερή λειτουργία άνω των 1600°C, κατάλληλη για ακραίες συνθήκες διαδικασίας.
2.Ανώτερη θερμική αγωγιμότητα∆ΕΥΤΕΡΕΙΣΜΟΣ ∆ΕΥΤΕΡΕΙΣΜΟΣ ∆ΕΥΤΕΡΕΙΣΜΟΣ
3.Χαμηλή θερμική επέκταση• Εξαιρετική σταθερότητα διαστάσεων σε υψηλές θερμοκρασίες, ελαχιστοποιώντας την καμπύλη.
4.Υψηλή σκληρότητα και αντοχή στην φθοράΔυνατότητα Μοχς 9.2, εξασφαλίζοντας μακροχρόνια αντοχή.
5.Χημική αδράνεια∆ Ανθεκτικό στα οξέα, τις αλκαλίες και τα διαβρωτικά περιβάλλοντα (π.χ. χαρακτική, CVD/PVD).
6.Υψηλή καθαρότηταΗ σύνθεση είναι απαλλαγμένη από μέταλλα και πληροί αυστηρά πρότυπα της βιομηχανίας ημιαγωγών.
- Δεν ξέρω.1. Συμβατότητα διαδικασιών
· Κατασκευή ημιαγωγών¢ Συμβατό με την CVD, MOCVD και την επιταξιακή ανάπτυξη, εξασφαλίζοντας ομοιόμορφη θέρμανση των κυψελών.
· Παραγωγή LEDΥποστηρίζει υποστρώματα ζαφείρι για συνεπή ανάπτυξη επιταξιακής στρώσης.
· Φωτοβολταϊκή ενέργειαΧρησιμοποιείται σε συντριβή υψηλής θερμοκρασίας και κατάθεση λεπτών ταινιών.
· Τεχνική επεξεργασία ακριβείαςΙδανικό για το laser cutting, το plasma etching και άλλες διαδικασίες υψηλής ακρίβειας.
2. Τύποι υλικού
· Αντιδραστικό SiC (RBSiC)Οικονομικά αποδοτική, ιδανική για γενική χρήση σε υψηλές θερμοκρασίες.
· Χημική Αποσύνθεση Ατμών SiC (CVD-SiC)- Υψηλή καθαρότητα για προηγμένες διεργασίες ημιαγωγών.
· Σι-Σι με θερμή πίεση (HPSiC)∆ Υψηλή πυκνότητα και αντοχή για εφαρμογές βαρέος φορτίου.
3Κεντρικές εφαρμογές
· Υποστήριξη πλάκας/υποστρώματος∆εσφαλίζει την ομοιόμορφη θερμική κατανομή κατά την επεξεργασία.
· Αντικατάσταση γραφίτη- Εξαλείφει τους κινδύνους οξείδωσης και μόλυνσης από σωματίδια.
· Εξοπλισμός χαρακτικήςΠαρέχει σταθερή υποστήριξη στο περιβάλλον πλάσματος.
1. Προσαρμοσμένο σχεδιασμό Οπτικοποιημένες διαστάσεις, γεωμετρία και επεξεργασίες επιφάνειας (π.χ. γυαλισμός, επικαλύψεις).
2. Τεχνικές κατασκευής ακριβείας για υψηλή συνέπεια και αξιοπιστία.
3- Απαραίτητες δοκιμές ∙ Υπερήχθη επιθεώρηση, θερμικός κύκλος και πρωτόκολλα διασφάλισης ποιότητας.
4- Γρήγορη ανταπόκριση - Τεχνική συμβουλευτική, πρωτότυποποίηση και υποστήριξη παραγωγής σε παρτίδες.
5. Παγκόσμια υποστήριξη Παγκόσμια κάλυψη (Ασία-Ειρηνικός, Ευρώπη, Αμερική) με 24/7 υπηρεσία μετά την πώληση.
1Ε: Ποια είναι η μέγιστη θερμοκρασία για τις πλάκες στήριξης SiC;
Α: Οι πλάκες στήριξης SiC αντέχουν συνεχώς έως και 1650 °C, καθιστώντας τις ιδανικές για ημιαγωγικές διαδικασίες CVD/MOCVD.
2Ε: Γιατί χρησιμοποιείτε το SiC αντί για το γραφίτη για την υποστήριξη των κυψελών;
Α: Το SiC προσφέρει μηδενική μόλυνση σωματιδίων, υψηλότερη ακαμψία και μεγαλύτερη διάρκεια ζωής από το γραφίτη στην επεξεργασία πλακών υψηλής καθαρότητας.
Ετικέτα: #SiC Υποστήριξη Πλάκα, #Στήριξη Πλάκα, #SiC Τράι, # MOCVD / CVD, #Υψηλής καθαρότητας Καρβιδίου Σιλικίου, # Υψηλής Αντοχής Θερμοκρασίας, #Custom, #Wafer Φορείς