Σύνοψη του φούρνου οξείδωσης LPCVD
6 ιντσών 8 ιντσών 12 ιντσών φούρνος οξείδωσης LPCVD για ομοιόμορφη κατάθεση λεπτών ταινιών
Τα συστήματα LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) χρησιμεύουν ως κρίσιμος εξοπλισμός κατάρριψης λεπτών ταινιών στην κατασκευή ημιαγωγών, που χρησιμοποιούνται κυρίως για την καλλιέργεια πολυπυριλίου, νιτρικού πυριτίου,και ταινίες οξειδίου του πυριτίουΤα βασικά πλεονεκτήματα της τεχνολογίας περιλαμβάνουν:
1) περιβάλλον χαμηλής πίεσης (0,1-10 Torr) που εξασφαλίζει εξαιρετική ομοιομορφία του φιλμ εντός ±1,5%·
2) Σημερινός σχεδιασμός αντιδραστήρα που επιτρέπει την επεξεργασία υψηλής απόδοσης 150-200 πλακιδίων ανά παρτίδα.
3) Θερμικά ενεργοποιημένη εναπόθεση σε θερμοκρασία 300-800 °C χωρίς βλάβη που προκαλείται από πλάσμα, καθιστώντας την ιδιαίτερα κατάλληλη για διαδικασίες ακριβείας όπως ο διαλεκτικός σχηματισμός πύλης.
Αυτή η τεχνολογία έχει υιοθετηθεί ευρέως στην προηγμένη κατασκευή κόμβων (5nm και μετά) τόσο για λογικά τσιπ όσο και για συσκευές μνήμης.
The LPCVD process operates under reduced pressure conditions where the extended mean free path of gas molecules (significantly greater than at atmospheric pressure) contributes to superior film uniformityΗ κατακόρυφη διάταξη πλάκας όχι μόνο μεγιστοποιεί τη χωρητικότητα των παρτίδων αλλά επίσης βελτιώνει την αποδοτικότητα της παραγωγής, καθιστώντας το σύστημα ιδανικό για την κατασκευή ημιαγωγών σε βιομηχανική κλίμακα.
Φούρνος οξείδωσης LPCVDΠροδιαγραφές
|
ΤΕχνολογία
|
Τμήμα δοκιμής LP-SiN |
Έλεγχος |
|
Αποσύνθεση νιτρικών
|
Άρθρο (ΕΕ) αριθ.
|
Σωματίδια μεταφοράς |
< 15EA (> 0,32μm) |
| Σωματίδια της διαδικασίας |
< 60EA (> 0,32μm),
< 80EA (> 0,226μm)
|
|
Δάχος ((A)
|
1500 NIT |
1500±50 |
|
Ομοιομορφία
|
σε πλάκες < 2,5%
Από κυψέλη σε κυψέλη < 2,5%
Δραστηριότητα < 2%
|
| |
Μέγεθος πλάκας
|
6/8/12 ιντσών πλάκα |
|
Περιοχή θερμοκρασίας διαδικασίας
|
500°C-900°C |
|
μήκος ζώνης σταθερής θερμοκρασίας
|
≥ 800 mm |
|
Ακριβότητα ελέγχου της θερμοκρασίας
|
±1°C |
Χαρακτηριστικά προϊόντος εξοπλισμού LPCVD:
*Αυτοματοποιημένη λειτουργία με υψηλής ακρίβειας επεξεργασία πλακών
*Υπερκαθαρός θάλαμος με ελάχιστη μόλυνση από σωματίδια
*Υψηλότερη ομοιομορφία πάχους φιλμ
*Ευφυής έλεγχος θερμοκρασίας με ρύθμιση σε πραγματικό χρόνο
*Υποστήριξη πλακών SiC για μειωμένη τριβή και παραγωγή σωματιδίων
*Αυτόματη ρύθμιση πίεσης για συνεπή απόδοση της διαδικασίας
*Προσαρμόσιμες διαμορφώσεις για διαφορετικές απαιτήσεις διαδικασίας
Αρχή αποθέσεως LPCVD:
1. Εισαγωγή αερίου: Τα αέρια αντιδραστήρα εισάγονται στον σωλήνα, διατηρώντας ένα περιβάλλον χαμηλής πίεσης εντός του σωλήνα που είναι απαραίτητο για την αντίδραση, συνήθως μεταξύ 0,25 και 1 Torr.
2- Μεταφορά αντιδραστηρίων στην επιφάνεια: Υπό συνθήκες χαμηλής πίεσης, τα αντιδραστήρια μπορούν να κινούνται ελεύθερα στην επιφάνεια της πλάκας.
3. Απορρόφηση αντιδραστηρίου στην επιφάνεια του υποστρώματος: Τα αντιδραστήρια προσκολλούνται στην επιφάνεια του υποστρώματος.
4Χημική αντίδραση στην επιφάνεια της πλάκας: Τα αντιδραστήρια υποβάλλονται σε θερμική αποσύνθεση ή αντίδραση στην επιφάνεια της πλάκας, σχηματίζοντας προϊόντα.
5Απομάκρυνση των αερίων εκτός προϊόντος: Τα αέρια εκτός των προϊόντων αντίδρασης απομακρύνονται από την επιφάνεια για να διατηρηθεί το περιβάλλον χαμηλής πίεσης και να αποφευχθεί η παρεμβολή στη διαδικασία εναπόθεσης.
6. Συγκέντρωση προϊόντων αντίδρασης για να σχηματίσουν φιλμ: Τα προϊόντα αντίδρασης συσσωρεύονται στην επιφάνεια για να σχηματίσουν ένα στερεό φιλμ.
Η εφαρμογή της διαδικασίας οξείδωσης
Οι διεργασίες οξείδωσης του πυριτίου είναι θεμελιώδεις σε ολόκληρη τη διαδικασία κατασκευής ημιαγωγών.
1Ασπίδα οξειδίου: λειτουργεί ως φραγμός για την πρόληψη της μόλυνσης της πλακέτας πυριτίου με το μπλοκάρισμα της φωτοαντίστασης,Και μπορεί επίσης να διασκορπίσει ιόντα πριν εισέλθουν στο μονοκρυσταλλικό πυρίτιο για να μειώσει τις επιδράσεις διοχέτευσης..
2Το στρώμα αυτό χρησιμοποιείται για τη μείωση της έντασης μεταξύ του πυριτίου και του νιτρικού πυριτίου.Η δύναμη έλξης έως 10^10 dyn/cm2 από τα στρώματα νιτρίτου του πυριτίου LPCVD θα μπορούσε να προκαλέσει ρωγμές ή ακόμη και ρήξη στις πλακίδες πυριτίου..
3. Το στρώμα οξειδίου πύλης: Λειτουργώντας ως το διηλεκτρικό στρώμα στις δομές MOS, επιτρέπει τις διαδρομές αγωγιμότητας ρεύματος και εκτελεί έλεγχο των επιπτώσεων πεδίου.
Ταξινομή των συστημάτων LPCVD: κάθετη ή οριζόντια διαμόρφωση
Ο εξοπλισμός LPCVD κατηγοριοποιείται σε κάθετους και οριζόντιους τύπους, με ονοματολογία που προέρχεται από τον προσανατολισμό του θαλάμου του φούρνου ή ισοδύναμα, την κατεύθυνση τοποθέτησης του υποστρώματος.Αυτές οι δύο κυρίαρχες διαμορφώσεις συστημάτων χημικής εναπόθεσης ατμών χαμηλής πίεσης (LPCVD) διαφοροποιούνται κυρίως από τη διάταξη του υποστρώματος και τη δυναμική ροής αερίου..
Σημεία 1 και 2
Σε κάθετη LPCVD, τα αέρια της διαδικασίας εισάγονται συνήθως από την κορυφή του θαλάμου αντίδρασης και ρέουν προς τα κάτω μέσω των υποστρωμάτων πριν εξαντληθούν από το κάτω μέρος.Αυτό το σχέδιο συμβάλλει στη διασφάλιση ομοιόμορφης ροής αερίου σε κάθε υπόστρωμα, επιτυγχάνοντας έτσι σταθερή κατάθεση λεπτών μεμβράνων.
Οριζόντια συστήματα LPCVD:
Τα οριζόντια συστήματα LPCVD έχουν σχεδιαστεί έτσι ώστε να επιτρέπουν τη ροή των προκατόχων από το ένα άκρο του υποστρώματος στο άλλο, δημιουργώντας συνεχή ροή αερίου από την είσοδο στην έξοδο,που μπορεί να συμβάλει στο ομοιόμορφο σχηματισμό της ταινίαςΩστόσο, μπορεί επίσης να οδηγήσει σε παχύτερη εναπόθεση κοντά στην πλευρά εισόδου αερίου σε σύγκριση με το αντίθετο άκρο.
Ενεργειακή επίδρασηΦούρνος οξείδωσης LPCVD
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
