logo
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Σπίτι > ΠΡΟΪΟΝΤΑ > Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου > DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων

DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων

Λεπτομέρειες προϊόντων

Place of Origin: China

Μάρκα: ZMSH

Όροι πληρωμής και αποστολής

Delivery Time: 2-4weeks

Payment Terms: T/T

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

2 ιντσών υποστρώμα InP epiwafer

,

4 ιντσών υποστρώμα InP epiwafer

,

6 ιντσών InP υποστρώμα epiwafer

Doping control:
Better than ± 10%
PLWavelength uniformity:
Std, Dev better than inm @inner 42mm
P-InP doping (cm³):
Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm3):
Si doped: 5e17 to 3e18
InGaAs doping (cm·*):
5e14 to 4e19
Η εμπρόσθια ισχύς:
>8
Doping control:
Better than ± 10%
PLWavelength uniformity:
Std, Dev better than inm @inner 42mm
P-InP doping (cm³):
Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm3):
Si doped: 5e17 to 3e18
InGaAs doping (cm·*):
5e14 to 4e19
Η εμπρόσθια ισχύς:
>8
DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων

DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων

Δελτίο ευρείας ενημέρωσης του υποστρώματος N-InP του DFB wafer

DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων 0

Ένα σφαιρίδιο διανεμημένης ανατροφοδότησης (DFB) σε υπόστρωμα φωσφοριδίου ινδίου (N-InP) n-τύπου είναι ένα κρίσιμο υλικό που χρησιμοποιείται στην παραγωγή διόδων λέιζερ DFB υψηλής απόδοσης.Αυτά τα λέιζερ είναι απαραίτητα για εφαρμογές που απαιτούν μονότροποΤα λέιζερ DFB λειτουργούν συνήθως στις περιοχές μήκους κύματος 1,3 μm και 1,55 μm,που είναι βέλτιστες για επικοινωνία με οπτικές ίνες λόγω της χαμηλής απώλειας μετάδοσης στις οπτικές ίνες.

ΗΥπόστρωμα InP τύπου nπαρέχει εξαιρετική αντιστοιχία πλέγματος για επιταξιακά στρώματα, όπως το InGaAsP, τα οποία χρησιμοποιούνται για να σχηματίσουν την ενεργό περιοχή, τα στρώματα επένδυσης και την ολοκληρωμένη δομή πλέγματος του λέιζερ DFB.Αυτό το πλέγμα επιτρέπει ακριβή ανατροφοδότηση και έλεγχο μήκους κύματος, καθιστώντας το ιδανικό για επικοινωνία μεγάλων αποστάσεων και συστήματα πολλαπλασιασμού με διαίρεση μήκους κύματος (WDM).

Οι βασικές εφαρμογές των εpi-wafers DFB σε υποστρώματα N-InP περιλαμβάνουν οπτικούς δέκτες υψηλής ταχύτητας, διασυνδέσεις κέντρων δεδομένων, ανίχνευση αερίων περιβάλλοντος,και ιατρική απεικόνιση μέσω οπτικής τομογραφίας συνοχής (OCT)Τα χαρακτηριστικά των επιδόσεων του πλακιδίου, όπως η διαμόρφωση υψηλής ταχύτητας, η σταθερότητα μήκους κύματος και το στενό φάσμα πλάτους, το καθιστούν απαραίτητο για τις σύγχρονες τεχνολογίες επικοινωνίας και ανίχνευσης.


Ιδιότητες του υποστρώματος N-InP του ορόφου DFB epiwafer

Υλικό υποστρώματος: Φωσφορίδιο ινδίου N-τύπου (N-InP)

  • Αντίσταση πλέγματος: Το υπόστρωμα N-InP παρέχει εξαιρετική συμμόρφωση πλέγματος με επιταξιακά στρώματα, όπως InGaAsP ή InAlGaAs, μειώνοντας τα ελαττώματα και την καταπόνηση, η οποία είναι κρίσιμη για την αξιόπιστη,λειτουργία λέιζερ υψηλής απόδοσης.
  • Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων: Το InP έχει υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων, επιτρέποντας την αποτελεσματική μεταφορά φορέα, η οποία είναι απαραίτητη για τα υψηλής ταχύτητας λέιζερ DFB.
  • Άμεση διαφορά ζώνης: Το InP έχει άμεσο εύρος ζώνης 1,344 eV, επιτρέποντας αποτελεσματική εκπομπή φωτός στο υπέρυθρο φάσμα, ειδικά στα εύρη μήκους κύματος 1,3 μm και 1,55 μm.

Ενεργή περιοχή και επιτακτική στρώση

  • Ενεργό στρώμα InGaAsP/InAlGaAs: Η ενεργή περιοχή, που συνήθως αποτελείται από InGaAsP, είναι όπου συμβαίνει η ανασύνθεση ηλεκτρονίων-τρυπών, δημιουργώντας φωτόνια.3 μm ή 10,55 μm) για οπτική επικοινωνία.
  • Τάγματα επικάλυψης: Περιβάλλει την ενεργό περιοχή, παρέχοντας οπτικό περιορισμό, διασφαλίζοντας ότι το φως παραμένει εντός της ενεργού περιοχής για αποτελεσματικό λέιζερ.
  • Τάξη πλέγματος: Η δομή DFB περιλαμβάνει ενσωματωμένο πλέγμα που παρέχει ανατροφοδότηση για λειτουργία ενιαίας λειτουργίας και ακριβή έλεγχο μήκους κύματος.

Λειτουργικό μήκος κύματος

  • 10,3 μm και 1,55 μm: Αυτά τα μήκη κύματος είναι ιδανικά για την επικοινωνία με οπτικές ίνες λόγω των ελάχιστων απωλειών μετάδοσης στις οπτικές ίνες, καθιστώντας τον επικυκλωτή κρίσιμο για εφαρμογές τηλεπικοινωνιών.
  • Μονόδια και στενό πλάτος γραμμής

    • Τα λέιζερ DFB είναι σχεδιασμένα για λειτουργία με μόνο μία λειτουργία, παράγοντας φως με πολύ στενό φάσμα,η οποία είναι κρίσιμη για τη μεταφορά δεδομένων υψηλής ταχύτητας και τη μείωση του θορύβου στα οπτικά συστήματα επικοινωνίας.

Σταθερότητα μήκους κύματος

  • Ενσωματωμένο πλέγμα: Το πλέγμα στη δομή DFB εξασφαλίζει σταθερή έξοδο μήκους κύματος, καθιστώντας το λέιζερ εξαιρετικά αξιόπιστο για επικοινωνίες μεγάλων αποστάσεων και συστήματα WDM.
  • Σταθερότητα θερμοκρασίας: Τα εpiουφάσματα DFB σε υπόστρωμα N-InP προσφέρουν εξαιρετική σταθερότητα θερμοκρασίας, εξασφαλίζοντας συνεπή απόδοση σε ευρύ εύρος θερμοκρασιών.

Κατώτατο κατώτατο ρεύμα

  • Η βελτιστοποιημένη δομή του λέιζερ DFB σε υπόστρωμα N-InP οδηγεί σε χαμηλά κατώτατα ρεύματα, πράγμα που σημαίνει ότι απαιτείται λιγότερη ενέργεια για την έναρξη του λέιζερ, καθιστώντας αυτές τις πλάκες εξαιρετικά ενεργειακά αποδοτικές.

Ικανότητα διαμόρφωσης υψηλής ταχύτητας

  • Λόγω της υψηλής κινητικότητας των ηλεκτρονίων και της αποτελεσματικής ένεσης φορέα στο InP, τα λέιζερ DFB σε υποστρώματα N-InP είναι ικανά για υψηλής ταχύτητας διαμόρφωση,τους καθιστώντας ιδανικούς για χρήση σε οπτικούς δέκτες υψηλής ταχύτητας και διασυνδέσεις κέντρων δεδομένων.


Δοκιμή χαρτογράφησης PL του υποστρώματος N-InP του εpi-wafer της DFB waferZMSH DFB εισερχόμενο epiwafer.pdf)

DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων 1


Αποτελέσματα δοκιμής XRD & ECV του υποστρώματος N-InP του εpi-wafer της πλακέτας DFB

DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων 2


Εφαρμογή του υποστρώματος N-InP του DFB wafer epiwafer

Τα πλακάκια DFB (Distributed Feedback) σε υποστρώματα φωσφοριδίου ινδίου n-τύπου (N-InP) είναι κρίσιμα σε διάφορες εφαρμογές οπτικοηλεκτρονικών υψηλών επιδόσεων, ειδικά όπου η ενιαία λειτουργία,απαιτείται εκπομπή φωτός στενού πλάτους γραμμήςΠαρακάτω παρατίθενται οι κύριες εφαρμογές:

Οπτική επικοινωνία

  • Δίκτυα οπτικών ινών μεγάλων αποστάσεων: Τα λέιζερ DFB σε υποστρώματα N-InP χρησιμοποιούνται ευρέως σε συστήματα οπτικής επικοινωνίας μεγάλων αποστάσεων.Το 55 μm είναι το βέλτιστο για την ελαχιστοποίηση της απώλειας σήματος στις οπτικές ίνες, καθιστώντας τους ιδανικούς για μεταφορά δεδομένων υψηλής ταχύτητας.
  • Συστήματα WDM (Διαίρεση Βαθμού Κύκλου): Στα πυκνά συστήματα WDM, τα λέιζερ DFB χρησιμοποιούνται για τη δημιουργία ακριβών μήκων κύματος για διαφορετικά κανάλια.Το στενό πλάτος γραμμής και η σταθερότητα μήκους κύματος είναι απαραίτητα για τη μεγιστοποίηση του αριθμού των καναλιών στο οπτικό φάσμα.

Διασύνδεση κέντρου δεδομένων

  • Μεταφορά δεδομένων υψηλής ταχύτητας: Τα λέιζερ DFB χρησιμοποιούνται σε οπτικούς δέκτες που χρησιμοποιούνται για μεταφορά δεδομένων υψηλής ταχύτητας μικρής έως μεσαίας απόστασης εντός κέντρων δεδομένων.Η ικανότητά τους για διαμόρφωση υψηλής συχνότητας και η χαμηλή κατανάλωση ενέργειας είναι κρίσιμες για ενεργειακά αποδοτικές λειτουργίες.

Ανίχνευση αερίων περιβάλλοντος

  • Ανίχνευση αερίων: Τα λέιζερ DFB χρησιμοποιούνται σε αισθητήρες αερίων περιβάλλοντος για την ανίχνευση συγκεκριμένων αερίων, όπως CO2 και CH4.μπορούν να γίνουν πολύ ευαίσθητες μετρήσεις για βιομηχανικές και περιβαλλοντικές εφαρμογές παρακολούθησης.
  • Φασματοσκόπηση απορρόφησης λέιζερ: Τα λέιζερ DFB παρέχουν στενό πλάτος γραμμής και σταθερή έξοδο, καθιστώντας τα ιδανικά για ακριβείς εφαρμογές ανίχνευσης αερίων και φασματοσκόπησης.

Ιατρική διάγνωση (Οπτική Τομογραφία Συνοχής - OCT)

  • Οφθαλμολογία και δερματολογία: Τα λέιζερ DFB χρησιμοποιούνται σε συστήματα οπτικής τομογραφίας συνοχής (OCT), τα οποία χρησιμοποιούνται ευρέως για απεικόνιση υψηλής ανάλυσης βιολογικών ιστών.Το στενό φασματικό πλάτος και το σταθερό αποτέλεσμα μήκους κύματος βοηθούν στη δημιουργία καθαρών και λεπτομερών εικόνων, απαραίτητη για μη επεμβατική διάγνωση στην οφθαλμολογία και την δερματολογία.

Συστήματα LIDAR (ανίχνευση και εύρος φωτός)

  • Αυτοκίνητα οχήματα και 3D χαρτογράφηση: τα λέιζερ DFB χρησιμοποιούνται σε συστήματα LIDAR για τη μέτρηση αποστάσεων και χαρτογράφηση περιβάλλοντων.Το στενό πλάτος γραμμής και η σταθερή απόδοσή τους επιτρέπουν ακριβείς μετρήσεις απόστασης και ανίχνευση αντικειμένων στην αυτόνομη οδήγηση, drones, και 3D συστήματα χαρτογράφησης.

Δορυφορική και διαστημική επικοινωνία

  • Επικοινωνία υψηλής συχνότητας: Τα λέιζερ DFB χρησιμοποιούνται σε δορυφορικά συστήματα επικοινωνίας για τη μετάδοση υψηλής συχνότητας σημάτων δεδομένων μεγάλης απόστασης.Η σταθερότητα του μήκους κύματος και η χαμηλή κατανάλωση ενέργειας είναι ζωτικής σημασίας για την αξιόπιστη διαστημική επικοινωνία, όπου η θερμοκρασία και οι περιβαλλοντικές συνθήκες μπορεί να διαφέρουν.

Φωτονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα (PIC)

  • Ενσωματωμένα οπτικοηλεκτρονικά: Τα εpiιβάφρα DFB χρησιμοποιούνται σε φωτονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα (PIC), τα οποία συνδυάζουν πολλαπλά οπτικά συστατικά, όπως λέιζερ, διαμορφωτές και ανιχνευτές, σε ένα μόνο τσιπ.Αυτά τα κυκλώματα είναι απαραίτητα για εφαρμογές υψηλής ταχύτητας επικοινωνίας δεδομένων και επεξεργασίας σήματος.

Στρατιωτική και Αεροδιαστημική

  • Ασφαλής επικοινωνία και στόχευση: Τα λέιζερ DFB χρησιμοποιούνται σε στρατιωτικές εφαρμογές για ασφαλή επικοινωνία υψηλής συχνότητας.Το στενό πλάτος γραμμής και η σταθερότητα μήκους κύματος είναι κρίσιμα για την ελαχιστοποίηση των παρεμβολών σήματος σε περίπλοκα περιβάλλοντα επικοινωνίας.
  • Στόχος ακρίβειας: Στην αεροδιαστημική και την άμυνα, τα λέιζερ DFB χρησιμοποιούνται σε συστήματα στόχευσης και καθοδήγησης που απαιτούν ακριβή έλεγχο μήκους κύματος και σταθερότητα.

Φασματοσκόπηση ακριβείας

  • Επιστημονική έρευνα: Τα λέιζερ DFB χρησιμοποιούνται σε φασματοσκοπία ακριβείας για λεπτομερή ανάλυση υλικών και χημικών συνθέσεων.Το στενό πλάτος γραμμής και το ρυθμιζόμενο μήκος κύματος τους καθιστούν ιδανικά για ακριβείς μετρήσεις στην επιστημονική έρευνα και τις βιομηχανικές εφαρμογές.


Πραγματικές φωτογραφίες του υποστρώματος N-InP του DFB

DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων 3DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων 4

DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων 5DFB wafer N-InP υποστρώμα epiwafer ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 ίντσες για αισθητήρα αερίων 6


Κλειστές λέξεις:DFB wafe,r N-InP υποστρώμα epiwafer,ενεργό στρώμα InGaAlAs/InGaAsP

Παρόμοια προϊόντα