Λεπτομέρειες προϊόντων
Place of Origin: China
Μάρκα: ZMSH
Όροι πληρωμής και αποστολής
Delivery Time: 2-4weeks
Payment Terms: T/T
PL Wavelength control: |
Better than 3nm |
PL Wavelength uniformity: |
Std, Dev better than inm @inner 42mm |
Thickness control: |
Betterthan ±3% |
Thickness uniformity: |
Better than ± 3% @inner 42mm |
Doping control: |
Better than ±10% |
Δομιζόμενη P-InP (cm-*): |
Zn ντοπιζόμενο: 5e17 έως 2e18 |
Peak Wavelength: |
1310nm |
Threshold Current: |
<8 |
Front Power: |
>9 |
PL Wavelength control: |
Better than 3nm |
PL Wavelength uniformity: |
Std, Dev better than inm @inner 42mm |
Thickness control: |
Betterthan ±3% |
Thickness uniformity: |
Better than ± 3% @inner 42mm |
Doping control: |
Better than ±10% |
Δομιζόμενη P-InP (cm-*): |
Zn ντοπιζόμενο: 5e17 έως 2e18 |
Peak Wavelength: |
1310nm |
Threshold Current: |
<8 |
Front Power: |
>9 |
DFB Epiwafer InP υπόστρωμα μέθοδος MOCVD 2 4 6 ιντσών Λειτουργικό μήκος κύματος: 1,3 μm, 1,55 μm
Διάλογος υποστρώματος DFB Epiwafer InP
Τα Epiwafers σε υποστρώματα φωσφοριδίου ινδίου (InP) είναι βασικά συστατικά που χρησιμοποιούνται στην κατασκευή διόδων λέιζερ DFB υψηλής απόδοσης.Αυτά τα λέιζερ είναι κρίσιμα για τις εφαρμογές οπτικής επικοινωνίας και ανίχνευσης λόγω της ικανότητάς τους να παράγουν μονοδιάστατα, φως στενού πλάτους γραμμής με σταθερή εκπομπή μήκους κύματος, συνήθως στην περιοχή των 1,3 μm και 1,55 μm.
Το υπόστρωμα InP παρέχει εξαιρετική αντιστοιχία πλέγματος για επιταξιακά στρώματα όπως το InGaAsP, τα οποία καλλιεργούνται για να σχηματίσουν την ενεργό περιοχή, τα στρώματα επικάλυψης,και δομές πλέγματος που καθορίζουν τη λειτουργικότητα του λέιζερ DFBΤο ενσωματωμένο πλέγμα μέσα στη δομή εξασφαλίζει ακριβή ανατροφοδότηση και έλεγχο μήκους κύματος.που το καθιστά κατάλληλο για επικοινωνίες με οπτική ίνα μεγάλων αποστάσεων και συστήματα WDM (Wavelength Division Multiplexing).
Οι βασικές εφαρμογές περιλαμβάνουν υψηλής ταχύτητας οπτικούς δέκτες, διασυνδέσεις κέντρων δεδομένων, ανίχνευση αερίων και τομογραφία οπτικής συνοχής (OCT).Ο συνδυασμός των υψηλών επιδόσεων του DFB epiwafer με βάση το InPΗ διαφάνεια του φασμού και η σταθερότητα του μήκους κύματος το καθιστούν απαραίτητο στα σύγχρονα δίκτυα τηλεπικοινωνιών και στις προηγμένες τεχνολογίες αισθητήρα.
Δομή υποστρώματος InP του DFB Epiwafer
Το δελτίο δεδομένων του υποστρώματος DFB Epiwafer InPZMSH DFB εισερχόμενο epiwafer.pdf)
Ιδιότητες υποστρώματος DFB Epiwafer InP
Υλικό υποστρώματος:
Διάλειμμα:
Αντίσταση πλέγματος:
Επιταξιακά στρώματα:
Λειτουργικό μήκος κύματος:
Μικρό πλάτος γραμμής και λειτουργία σε ενιαία λειτουργία:
Σταθερότητα θερμοκρασίας:
Κατώτατο κατώτατο ρεύμα:
Ικανότητα διαμόρφωσης υψηλής ταχύτητας:
Οι βασικές ιδιότητες των Epiwafers DFB σε υποστρώματα InP, όπως η εξαιρετική αντιστοιχία πλέγματος, η λειτουργία ενιαίας λειτουργίας, το στενό πλάτος γραμμής, η απόδοση υψηλής ταχύτητας και η σταθερότητα θερμοκρασίας,τους καθιστούν απαραίτητους για την οπτική επικοινωνία, ανίχνευσης και προηγμένων φωτονικών εφαρμογών.
Πραγματικές φωτογραφίες του υποστρώματος DFB Epiwafer InP
Εφαρμογή υποστρώματος DFB Epiwafer InP
Βασικοί κόσμοι: InP υποστρώμα DFB epiwafer