InP FP epiwafer InP υπόστρωμα n/p τύπου 2 3 4 ίντσες με πάχος 350-650um για οπτικά δίκτυα

InP FP epiwafer InP υπόστρωμα n/p τύπου 2 3 4 ίντσες με πάχος 350-650um για οπτικά δίκτυα

Επισκόπηση του InP epiwafer

Το Indium Phosphide (InP) Epiwafer είναι ένα βασικό υλικό που χρησιμοποιείται σε προηγμένες οπτοηλεκτρονικές συσκευές, ιδιαίτερα στις διόδους λέιζερ Fabry-Perot (FP).Τα InP Epiwafers αποτελούνται από στρώματα που αναπτύσσονται επιταξιακά σε υποστρώμα InP., που έχει σχεδιαστεί για εφαρμογές υψηλών επιδόσεων στις τηλεπικοινωνίες, στα κέντρα δεδομένων και στις τεχνολογίες αισθητήρων.

Τα λέιζερ FP που βασίζονται σε InP είναι ζωτικής σημασίας για την επικοινωνία με οπτικές ίνες, υποστηρίζοντας τη μετάδοση δεδομένων μικρής έως μεσαίας εμβέλειας σε συστήματα όπως τα παθητικά οπτικά δίκτυα (PON) και η πολλαπλασιαστική διαίρεση κυμάτων (WDM).Τα μήκη κύματος των εκπομπών τους, συνήθως περίπου 1,3 μm και 1,55 μm, ευθυγραμμίζονται με τα παράθυρα χαμηλής απώλειας των οπτικών ινών, καθιστώντας τα ιδανικά για μεγάλη απόσταση, μετάδοση υψηλής ταχύτητας.

Τα πλακάκια αυτά βρίσκουν επίσης εφαρμογές στις υψηλής ταχύτητας διασυνδέσεις δεδομένων στα κέντρα δεδομένων, όπου η οικονομικά αποδοτική και σταθερή απόδοση των λέιζερ FP είναι απαραίτητη.Τα λέιζερ FP με βάση το InP χρησιμοποιούνται στην παρακολούθηση του περιβάλλοντος και την ανίχνευση βιομηχανικών αερίων, όπου μπορούν να ανιχνεύσουν αέρια όπως το CO2 και το CH4 λόγω της ακριβούς εκπομπής τους σε υπερύθριες ζώνες απορρόφησης.

Στο ιατρικό πεδίο, τα εpiιβάφρα InP συμβάλλουν στα συστήματα οπτικής τομογραφίας συνοχής (OCT), παρέχοντας μη επεμβατικές δυνατότητες απεικόνισης.Η ενσωμάτωσή τους σε φωτονικά κυκλώματα και η πιθανή χρήση τους στις αεροδιαστημικές και αμυντικές τεχνολογίες, όπως το LIDAR και η δορυφορική επικοινωνία, τονίζουν την ευελιξία τους.

Συνολικά, τα επιιγουάφερ InP είναι κρίσιμα για την ενεργοποίηση ενός ευρέος φάσματος οπτικών και ηλεκτρονικών συσκευών λόγω των εξαιρετικών ηλεκτρικών και οπτικών τους ιδιοτήτων, ιδιαίτερα στο εύρος 1,3 μm έως 1.Περιοχή μήκους κύματος 55 μm.

Δομή του InP epiwafer

Αποτελέσματα δοκιμής PL Mapping του inP epiwafer

Φωτογραφίες του InP epiwafer

Επισκόπηση των χαρακτηριστικών και βασικών δεδομένων του InP epiwafer

Τα Epiwafers με φωσφορικό ίνδιο (InP) διακρίνονται από τις εξαιρετικές ηλεκτρικές και οπτικές ιδιότητές τους, καθιστώντας τα απαραίτητα για οπτοηλεκτρονικές συσκευές υψηλών επιδόσεων.Παρακάτω παρουσιάζεται μια επισκόπηση των βασικών ιδιοτήτων που καθορίζουν τα InP Epiwafers:

1Κρυστάλλινη δομή και σταθερά πλέγματος

• Κρυσταλλική δομή: Το InP έχει κρυσταλλική δομή ψευδαργύρου-συνδυασμού.
• Σταθερότητα πλέγματος: 5.869 Å. Η σχεδόν τέλεια αντιστοιχία πλέγματος με υλικά όπως InGaAs και InGaAsP επιτρέπει την ανάπτυξη υψηλής ποιότητας επιταξιακών στρωμάτων,ελαχιστοποίηση ελαττωμάτων όπως εκτοπίσεις και καταπόνηση.

2Διάλειμμα ζώνης και μήκος κύματος εκπομπής

• Bandgap: Το InP έχει άμεσο bandgap 1,344 eV στα 300 K, που αντιστοιχεί σε μήκος κύματος εκπομπής περίπου 0,92 μm.
• Πεδίο εκπομπής Epiwafer: Τα επιταξιακά στρώματα που αναπτύσσονται στο InP επιτρέπουν συνήθως τη λειτουργία της συσκευής στο εύρος μήκους κύματος 1,3 μm έως 1,55 μm, ιδανικό για οπτικά συστήματα επικοινωνίας.

3Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων

• Το InP παρουσιάζει υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (5400 cm2/V·s), γεγονός που οδηγεί σε γρήγορη μεταφορά ηλεκτρονίων,που το καθιστά κατάλληλο για εφαρμογές υψηλής συχνότητας και υψηλής ταχύτητας, όπως τηλεπικοινωνίες και ολοκληρωμένα φωτονικά κυκλώματα.

4Θερμική αγωγιμότητα

• Θερμική αγωγιμότητα: Το InP έχει θερμική αγωγιμότητα περίπου 0,68 W/cm·K σε θερμοκρασία δωματίου.είναι επαρκής για τη διάχυση της θερμότητας σε πολλές οπτοηλεκτρονικές συσκευές, ειδικά με κατάλληλη θερμική διαχείριση.

5Οπτική διαφάνεια

• Το InP είναι διαφανές σε μήκη κύματος πάνω από το εύρος ζώνης του, επιτρέποντας αποτελεσματική εκπομπή και μετάδοση φωτονίων στην υπέρυθρη περιοχή, ιδιαίτερα στα κρίσιμα μήκη κύματος τηλεπικοινωνιών (1.3 μm και 1.55 μm).

6Ντόπινγκ και αγωγιμότητα

• ν-τύπου και p-τύπου ντόπινγκ: Το InP μπορεί να ντόπιζεται με δότες (π.χ. θείο) ή αποδεκτές (π.χ. ψευδάργυρο), προσφέροντας ευελιξία στη δημιουργία περιοχών n-τύπου και p-τύπου που είναι απαραίτητες για διάφορες συσκευές ημιαγωγών.
• Υψηλή αγωγιμότητα: Τα βαριά δομημένα στρώματα επαφής που αναπτύσσονται σε υποστρώματα InP εξασφαλίζουν επαφές ohmic χαμηλής αντίστασης, βελτιώνοντας την αποτελεσματικότητα της εγχύσης ρεύματος σε συσκευές όπως τα λέιζερ FP.

7. Χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων

• Τα InP Epiwafers παρουσιάζουν χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων, κρίσιμη για συσκευές υψηλών επιδόσεων.

Συνοπτικά, οι ιδιότητες των Epiwafers InP, όπως η υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων, η χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων, η αντιστοίχιση πλέγματος και η αποτελεσματική λειτουργία σε κρίσιμα μήκη κύματος τηλεπικοινωνιών,τους κάνει απαραίτητους στη σύγχρονη οπτοηλεκτρονική., ιδίως στις εφαρμογές επικοινωνίας υψηλής ταχύτητας και ανίχνευσης.

Εφαρμογή του επιπιεστικού σφαιριστή InP

Τα Epiwafers με φωσφορικό ίνδιο (InP) είναι κρίσιμα σε διάφορους τομείς προηγμένης τεχνολογίας λόγω των εξαιρετικών οπτοηλεκτρονικών τους ιδιοτήτων.

1.Επικοινωνία με οπτική ίνα

• Διοδείες λέιζερ (λέιζερ FP/DFB): Τα Epiwafers inP χρησιμοποιούνται για την κατασκευή λέιζερ Fabry-Perot (FP) και Distributed Feedback (DFB), τα οποία λειτουργούν σε μήκη κύματος 1,3 μm και 1,55 μm.Αυτά τα μήκη κύματος ευθυγραμμίζονται με τα παράθυρα μετάδοσης χαμηλής απώλειας των οπτικών ινών, καθιστώντας τους ιδανικούς για μακρινή επικοινωνία δεδομένων.
• ΦωτοανιχνευτέςΤα Epiwafers χρησιμοποιούνται επίσης για την κατασκευή φωτοανιχνευτών για την παραλαβή οπτικών σημάτων σε συστήματα οπτικών ινών.

2.Διασύνδεση κέντρου δεδομένων

• Τα λέιζερ και οι ανιχνευτές που βασίζονται σε InP χρησιμοποιούνται σε οπτικές ενότητες που επιτρέπουν διασυνδέσεις υψηλής ταχύτητας και χαμηλής καθυστέρησης στα κέντρα δεδομένων, βελτιώνοντας τη συνολική απόδοση του δικτύου.

3.Οπτική ανίχνευση και ανίχνευση αερίων

• Αισθητήρες αερίων: Τα Epiwafers inP χρησιμοποιούνται για την κατασκευή λέιζερ που λειτουργούν στην περιοχή του υπέρυθρου, κατάλληλα για εφαρμογές ανίχνευσης αερίων (π.χ. CO2, CH4) στη βιομηχανική, περιβαλλοντική και παρακολούθηση της ασφάλειας.
• Οπτική Τομογραφία Συνοχής (OCT): Οι φωτεινές πηγές που βασίζονται σε InP είναι ζωτικής σημασίας για τις τεχνολογίες ιατρικής απεικόνισης όπως η OCT, οι οποίες χρησιμοποιούνται για μη επεμβατική διάγνωση στην υγειονομική περίθαλψη.

4.Φωτονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα (PIC)

• Τα InP Epiwafers είναι βασικά υλικά για φωτονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα, τα οποία συνδυάζουν πολλαπλές φωτονικές λειτουργίες (π.χ. λέιζερ, διαμορφωτές,και ανιχνευτές) σε ένα μόνο τσιπ για εφαρμογές επικοινωνίας υψηλής ταχύτητας, επεξεργασία σήματος, και κβαντική πληροφορική.

5.ΛΙΔΑΡ (Αναγνώριση και εύρος φωτός)

• Τα λέιζερ που βασίζονται στο InP χρησιμοποιούνται σε συστήματα LIDAR για αυτόνομα οχήματα, αεροπορική χαρτογράφηση και διάφορες αμυντικές εφαρμογές.αξιόπιστες φωτεινές πηγές που παράγονται από εpi-wafers InP για μετρήσεις απόστασης και ταχύτητας.

6.Δορυφορική και διαστημική επικοινωνία

• Τα λέιζερ InP και οι φωτοανιχνευτές διαδραματίζουν καθοριστικό ρόλο στις δορυφορικές επικοινωνίες και τις αεροδιαστημικές εφαρμογές, επιτρέποντας την ασφαλή, υψηλής ταχύτητας μετάδοση δεδομένων σε μεγάλες αποστάσεις.

7.Άμυνα και Αεροδιαστημική

• Τα InP Epiwafers χρησιμοποιούνται σε προηγμένα αμυντικά συστήματα, όπως ραντάρ υψηλής ταχύτητας, καθοδήγηση πυραύλων και ασφαλή συστήματα επικοινωνίας, όπου η αξιόπιστη και υψηλής συχνότητας απόδοση είναι κρίσιμη.

Αυτές οι εφαρμογές υπογραμμίζουν την ευελιξία και τη σημασία των InP Epiwafers στις σύγχρονες οπτοηλεκτρονικές και φωτονικές συσκευές.

Ερωτήσεις και απαντήσεις

Τι είναι τα InP epiwafers;

Επικάλυπτες από φωσφορικό ίνδιο (InP)είναι ημιαγωγικές πλάκες που αποτελούνται από υποστρώμα InP με ένα ή περισσότερα στρώματα από διάφορα υλικά (όπως InGaAs, InGaAsP ή AlInAs) που έχουν αναπτυχθεί επιταξιακά.Αυτά τα στρώματα αποθηκεύονται με ακρίβεια στο υπόστρωμα InP για να δημιουργήσουν ειδικές δομές συσκευών προσαρμοσμένες για εφαρμογές υψηλής απόδοσης οπτικοηλεκτρονικών.