2 ίντσες Sic υποστρώμα 6H-N τύπου πάχος 350um 650um Sic Wafer

Το μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα του καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τύπου 6H n είναι ένα απαραίτητο υλικό ημιαγωγών που χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας.Είναι γνωστή για την εξαγωνική κρυστάλλινη δομή της.Το 6H-N SiC προσφέρει ευρύ εύρος ζώνης και υψηλή θερμική αγωγιμότητα, καθιστώντας το ιδανικό για απαιτητικά περιβάλλοντα.

Το υψηλό ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης και η κινητικότητα των ηλεκτρονίων αυτού του υλικού επιτρέπουν την ανάπτυξη αποτελεσματικών ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος, όπως τα MOSFET και τα IGBT,που μπορούν να λειτουργούν σε υψηλότερες τάσεις και θερμοκρασίες από εκείνες που κατασκευάζονται από παραδοσιακό πυρίτιοΗ εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα του εξασφαλίζει αποτελεσματική διάχυση θερμότητας, κρίσιμη για τη διατήρηση της απόδοσης και της αξιοπιστίας σε εφαρμογές υψηλής ισχύος.

Στις εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων (RF), οι ιδιότητες του 6H-N SiC υποστηρίζουν τη δημιουργία συσκευών ικανών να λειτουργούν σε υψηλότερες συχνότητες με βελτιωμένη απόδοση.Η χημική του σταθερότητα και η αντοχή της στην ακτινοβολία την καθιστούν επίσης κατάλληλη για χρήση σε σκληρά περιβάλλοντα, συμπεριλαμβανομένων των αεροδιαστημικών και αμυντικών τομέων.

Επιπλέον, τα υποστρώματα 6H-N SiC αποτελούν αναπόσπαστο μέρος των οπτοηλεκτρονικών συσκευών, όπως οι υπεριώδεις φωτοανιχνευτές, όπου το ευρύ εύρος ζώνης τους επιτρέπει την αποτελεσματική ανίχνευση του υπεριώδους φωτός.Ο συνδυασμός αυτών των ιδιοτήτων καθιστά το 6H n-type SiC ένα ευέλικτο και απαραίτητο υλικό για την πρόοδο των σύγχρονων ηλεκτρονικών και οπτοηλεκτρονικών τεχνολογιών.

Πλακέτα SiCΧαρακτηριστικά:

• Ονομασία του προϊόντος:SiCΥποστράτευσηέφαγε
• Εξάγωνη δομή: Μοναδικές ηλεκτρονικές ιδιότητες.
• Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων: ~ 600 cm2/V·s.
• Χημική σταθερότητα: Ανθεκτικό στη διάβρωση.
• Αντίσταση στην ακτινοβολία: Κατάλληλο για σκληρά περιβάλλοντα.
• Χαμηλή εγγενής συγκέντρωση φορέαΑποτελεσματική σε υψηλές θερμοκρασίες.
• ΔυνατότηταΔυνατές μηχανικές ιδιότητες.
• Οπτοηλεκτρονική ικανότητα: Αποτελεσματική ανίχνευση υπεριώδους φωτός.

Πλακέτα SiCΤεχνικές παραμέτρους:

Πλακέτα SiCΕφαρμογές:

Τα υποστρώματα SiC (Καρβιδίου Σιλικόνης) χρησιμοποιούνται σε διάφορες εφαρμογές υψηλών επιδόσεων λόγω των μοναδικών ιδιοτήτων τους, όπως η υψηλή θερμική αγωγιμότητα, η υψηλή ένταση ηλεκτρικού πεδίου και το ευρύ εύρος ζώνης.Εδώ είναι μερικές εφαρμογές:

• Ηλεκτρονική ενέργεια:

  • Υψηλής τάσης MOSFET
  • IGBT (διπολικό τρανζίστορ με απομονωμένη πύλη)
  • Δίοδοι Schottky
  • Μετατροπείς ισχύος

• Συσκευές υψηλής συχνότητας:

  • Ενεργειακές συσκευές για την παραγωγή ηλεκτρικών συλλεκτών
  • Τρανζίστορες μικροκυμάτων
  • Συσκευές χιλιοστών κυμάτων

• Ηλεκτρονικά προϊόντα υψηλής θερμοκρασίας:

  • Αισθητήρες και κυκλώματα για σκληρά περιβάλλοντα
  • Ηλεκτρονικά αεροδιαστημικά
  • Ηλεκτρονικά είδη αυτοκινήτων (π.χ. μονάδες ελέγχου κινητήρα)

• Οπτοηλεκτρονικά:

  • Φωτοανιχνευτές υπεριώδους ακτινοβολίας (UV)
  • Διοειδή εκπομπής φωτός (LED)
  • Λάιζερ διόδους

• Συστήματα ανανεώσιμης ενέργειας:

  • Ηλιακοί μετατροπείς
  • Μετατροπείς ανεμογεννήτριων
  • Μηχανές κινητήρα ηλεκτρικών οχημάτων

• Βιομηχανία και Άμυνα:

  • Συστήματα ραντάρ
  • Επικοινωνίες μέσω δορυφόρου
  • Εργαλεία για πυρηνικούς αντιδραστήρες

Πλακέτα SiCΠροσαρμογή:

Μπορούμε να προσαρμόσουμε το μέγεθος του υποστρώματος SiC για να ανταποκριθούμε στις συγκεκριμένες απαιτήσεις σας.

Η τιμή καθορίζεται από την περίπτωση, και οι λεπτομέρειες συσκευασίας μπορούν να προσαρμοστούν στις προτιμήσεις σας.

Ο χρόνος παράδοσης είναι εντός 2-4 εβδομάδων. Δεχόμαστε την πληρωμή μέσω T/T.

Πλακέτα SiCΥποστήριξη και υπηρεσίες:

Το προϊόν μας SiC Substrate συνοδεύεται από ολοκληρωμένη τεχνική υποστήριξη και υπηρεσίες για τη διασφάλιση βέλτιστης απόδοσης και ικανοποίησης των πελατών.

Η ομάδα εμπειρογνωμόνων μας είναι διαθέσιμη για να βοηθήσει στην επιλογή του προϊόντος, την εγκατάσταση και την αντιμετώπιση προβλημάτων.

Προσφέρουμε κατάρτιση και εκπαίδευση σχετικά με τη χρήση και τη συντήρηση των προϊόντων μας για να βοηθήσουμε τους πελάτες μας να μεγιστοποιήσουν την επένδυσή τους.

Επιπλέον, παρέχουμε συνεχείς ενημερώσεις και βελτιώσεις προϊόντων για να διασφαλίσουμε ότι οι πελάτες μας έχουν πάντα πρόσβαση στην τελευταία τεχνολογία.

Πλακέτα SiCΓενικά ερωτήματα:

Ε: Μπορούν τα υποστρώματα SiC 6H-N 2 ιντσών να χρησιμοποιηθούν για όλους τους τύπους συσκευών ημιαγωγών;

Α: Ενώ τα υποστρώματα SiC 6H-N 2 ιντσών είναι ευπροσάρμοστα, είναι ιδιαίτερα κατάλληλα για συσκευές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.

Μπορεί να μην είναι ιδανικές για όλους τους τύπους ημιαγωγών συσκευών, ειδικά εκείνες που δεν απαιτούν τις μοναδικές ιδιότητες του SiC.

Ε: Ποιες είναι οι τυπικές διαστάσεις και προδιαγραφές για ένα υπόστρωμα SiC 6H-N 2 ιντσών;

Α: Οι τυπικές διαστάσεις περιλαμβάνουν διάμετρο 2 ίντσες (50,8 mm), πάχος περίπου 300-500 μικρομέτρων και ειδικές απαιτήσεις ποιότητας επιφάνειας και επίπεδης επιφάνειας.

Οι ακριβείς προδιαγραφές μπορούν να διαφέρουν ανάλογα με τον κατασκευαστή και την προβλεπόμενη εφαρμογή.

Ε: Πώς χειρίζεστε και αποθηκεύετε υποστρώματα SiC 6H-N 2 ιντσών;

Α: Λόγω της εύθραυσής τους, τα υπόστρωμα SiC πρέπει να χειρίζονται με προσοχή, χρησιμοποιώντας γάντια καθαρού δωματίου και κατάλληλα εργαλεία χειρισμού.

Θα πρέπει να αποθηκεύονται σε ελεγχόμενο περιβάλλον για να αποφεύγεται η μόλυνση και η βλάβη.