2' 4' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Ημιαγωγός υποστρώματα 350um 650um
ΠεριγραφήInP wafer:
Τα τσιπ InP (φωσφορίδιο ινδίου) είναι ένα συνήθως χρησιμοποιούμενο υλικό ημιαγωγών για την κατασκευή οπτοηλεκτρονικών συσκευών υψηλών επιδόσεων, όπως φωτοδιόδια, λέιζερ και φωτοηλεκτρικοί αισθητήρες.
- Κρυστάλλινη δομή: Τα τσιπ InP υιοθετούν μια κυβική κρυστάλλινη δομή με υψηλά διαταγμένη δομή πλέγματος.
- Ενεργειακό κενό: Τα τσιπ InP έχουν ένα μικρό κενό άμεσης ενέργειας περίπου 1,35 eV, το οποίο είναι ένα υλικό ημιαγωγών στην περιοχή του ορατού φωτός.
- Δείκτης διάθλασης: Ο δείκτης διάθλασης ενός πλακιδίου InP ποικίλλει με το μήκος κύματος του φωτός και είναι περίπου 3,17 στο ορατό εύρος.
- Θερμική αγωγιμότητα: Το InP έχει υψηλή θερμική αγωγιμότητα περίπου 0,74 W/ ((cm·K).
- Κινητικότητα ηλεκτρονίων: Τα τσιπ InP έχουν υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων περίπου 5000 cm^2/(V·s).
- Μέγεθος τσιπ: Τα τσιπ InP παρέχονται συνήθως σε στρογγυλή μορφή τσιπ και μπορούν να κυμαίνονται σε διάμετρο από λίγα χιλιοστά έως αρκετές ίντσες.
- Χαρακτηριστικά επιφάνειας: Η επιφάνεια του τσιπ InP συνήθως υποβάλλεται σε ειδική επεξεργασία για να βελτιωθεί η επίπεδη και καθαρή επιφάνεια.
ΧαρακτηριστικάΒάλα INP:
Το τσιπ InP (φωσφορίδιο ινδίου) χρησιμοποιείται ευρέως στον τομέα των οπτοηλεκτρονικών συσκευών ως υλικό υποστρώματος των συσκευών ημιαγωγών.
- Άμεσο ενεργειακό κενό: Τα τσιπ InP έχουν ένα μικρό κενό άμεσης ενέργειας (περίπου 1,35 eV), επιτρέποντάς τους να απορροφούν και να εκπέμπουν αποτελεσματικά φωτεινά σήματα στο ορατό εύρος.
- Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων: Τα τσιπ InP έχουν υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (περίπου 5000 cm^2/(V·s)), γεγονός που τα καθιστά να παρουσιάζουν εξαιρετικές ηλεκτρικές ιδιότητες σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ταχύτητας.
- Ισχυρή φωτοηλεκτρική επίδραση: Τα τσιπ InP έχουν ισχυρή φωτοηλεκτρική επίδραση, γεγονός που τα καθιστά εξαιρετικές σε συσκευές όπως φωτοανιχνευτές και φωτοδιόδια.
- Σταθερότητα και αξιοπιστία: Τα τσιπ InP έχουν καλή θερμική σταθερότητα και ηλεκτρικές ιδιότητες, επιτρέποντάς τους να λειτουργούν σε περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας και υψηλού ηλεκτρικού πεδίου.
- Τεχνικές εκτεταμένης προετοιμασίας: Οι πλακέτες InP μπορούν να καλλιεργηθούν με διάφορες τεχνικές προετοιμασίας, όπως η χημική εναπόθεση ατμών μετάλλων-οργανικών (MOCVD) και η μοριακή επιταξία δέσμης (MBE).
Τεχνικές παραμέτρουςInP wafer:
Άρθρο |
Παράμετρος |
ΟΜΕ |
Υλικό |
Επενδύσεις |
|
Τύπος αγωγού/Dopant |
Σ-Κ-Ν/Σ |
|
Αξία |
Ηλίθιε. |
|
Διάμετρος |
100.0+/-0.3 |
χμ |
Προσανατολισμός |
(100) +/- 0,5° |
|
Περιοχή δίδυμων λεπίδων |
Χρήσιμη επιφάνεια μονοκρυστάλλων με προσανατολισμό (100) > 80% |
|
Πρωτογενής επίπεδος προσανατολισμός |
ΕΔ ((0-1-1) |
χμ |
Πρωταρχικό επίπεδο μήκος |
32.5+/-1 |
|
Δευτερογενής επίπεδης προσανατολισμός |
ΕΔ ((0-11) |
|
Δευτερογενές επίπεδο μήκος |
18+/-1 |
|
ΕφαρμογέςInP wafer:
Το τσιπ InP (φωσφορίδιο ινδίου), ως υλικό υποστρώματος των συσκευών ημιαγωγών, έχει εξαιρετικές φωτοηλεκτρικές και ηλεκτρικές ιδιότητες.Παρακάτω παρατίθενται ορισμένοι από τους κύριους τομείς εφαρμογής των υλικών υποστρώματος chip InP:
- Οπτική επικοινωνία: Μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την κατασκευή μεταβιβαστών φωτός (όπως λέιζερ) και δέκτες φωτός (όπως φωτοδιόδια) σε συστήματα επικοινωνίας οπτικών ινών.
- Οπτική ανίχνευση και ανίχνευση: Οι φωτοανιχνευτές που βασίζονται σε τσιπ InP μπορούν να μετατρέψουν αποτελεσματικά τα οπτικά σήματα σε ηλεκτρικά σήματα για οπτική επικοινωνία, οπτική μέτρηση,φασματική ανάλυση και άλλες εφαρμογές.
- Τεχνολογία λέιζερ: Τα λέιζερ που βασίζονται σε INP χρησιμοποιούνται ευρέως στην οπτική επικοινωνία, την οπτική αποθήκευση, το liDAR, την ιατρική διάγνωση και την επεξεργασία υλικών.
- Οπτοηλεκτρονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα: Τα τσιπ InP μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή οπτοηλεκτρονικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (OEics),η οποία είναι η ενσωμάτωση οπτοηλεκτρονικών συσκευών και ηλεκτρονικών συσκευών στο ίδιο τσιπ.
- Ηλιακά κύτταρα: Τα τσιπ InP έχουν υψηλή αποτελεσματικότητα φωτοηλεκτρικής μετατροπής, έτσι ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή αποδοτικών ηλιακών κυψελών.
Γενικά ερωτήματα:
Ε1: Ποια είναι η επωνυμία τουInP wafer?
Α1: ΗΦωσφορίδιο ινδίουΕίναι από την ZMSH.
Ε2: Ποια είναι η διάμετρος τουΦωσφορίδιο ινδίου?
Α2: ΔιάμετροςΦωσφορίδιο ινδίουείναι 2', 3', 4'.
Ε3: Πού είναι τοΦωσφορίδιο ινδίουΑπό;
Α3: ΗΦωσφορίδιο ινδίουΕίναι από την Κίνα.
Ε4: Είναι ηΦωσφορίδιο ινδίουΠιστοποιημένο ROHS;
Α4: Ναι, τοΦωσφορίδιο ινδίουείναι πιστοποιημένο ROHS.
Ε5: ΠόσαΦωσφορίδιο ινδίουΜπορώ να αγοράσω τηγανίτες μια φορά;
Α5: Η ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας τηςΦωσφορίδιο ινδίουΕίναι 5 κομμάτια.
Άλλα προϊόντα:
Πλακέτες από πυρίτιο