Να στείλετε μήνυμα

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ταχυδρομείο: eric_wang@zmsh-materials.com Τηλ.: 86-1580-1942596

>

ΠΡΟΪΟΝΤΑ >

silicon substrate Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

ΟΛΑ ΤΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ

ΚΑΥΤΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Βίντεο

Αγορά ultrathin πάχος 0.1mm διπλή γυαλισμένη πλευρά γκοφρέτα σαπφείρου 0.2mm 2inch Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

ultrathin πάχος 0.1mm διπλή γυαλισμένη πλευρά γκοφρέτα σαπφείρου 0.2mm 2inch

Αγορά 4inch 6Inch 4h-ν 500mm πρωταρχικός πλαστός βαθμός υποστρωμάτων καρβιδίου SIC του πυριτίου γκοφρετών 350um SIC Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4inch 6Inch 4h-ν 500mm πρωταρχικός πλαστός βαθμός υποστρωμάτων καρβιδίου SIC του πυριτίου γκοφρετών 350um SIC

Αγορά προσαρμοσμένο γκοφρέτα μέγεθος 2-4inch HVPE GaN ελεύθερο - μόνιμο υλικό ενιαίου κρυστάλλου GaN Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

προσαρμοσμένο γκοφρέτα μέγεθος 2-4inch HVPE GaN ελεύθερο - μόνιμο υλικό ενιαίου κρυστάλλου GaN

Βίντεο

Αγορά Al2O3 9,0 σκληρότητα νάρκωσε το γυαλισμένο συνθετικό ρουμπίνι Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Al2O3 9,0 σκληρότητα νάρκωσε το γυαλισμένο συνθετικό ρουμπίνι

Βίντεο

Αγορά Οπτικό συνθετικό ρουμπίνι κρυστάλλου σαπφείρου για το γυαλί ρολογιών Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Οπτικό συνθετικό ρουμπίνι κρυστάλλου σαπφείρου για το γυαλί ρολογιών

Αγορά Γκοφρέτες Heatsink διαμαντιών GaN μεθόδου MPCVD για τη θερμική διοικητική περιοχή Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Γκοφρέτες Heatsink διαμαντιών GaN μεθόδου MPCVD για τη θερμική διοικητική περιοχή

Αγορά Ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών EPI των οδηγήσεων μικροϋπολογιστών gaN--GaN 2 ίντσα Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών EPI των οδηγήσεων μικροϋπολογιστών gaN--GaN 2 ίντσα

Αγορά 2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ίντσας DSP

silicon substrate (149) Σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ποιότητα Προσαρμοσμένη κρυσταλλική γκοφρέτα 4inch Dia 100mm υποστρωμάτων σαπφείρου πυριτίου gaN--GaN SIC εργοστάσιο

Προσαρμοσμένη κρυσταλλική γκοφρέτα 4inch Dia 100mm υποστρωμάτων σαπφείρου πυριτίου gaN--GaN SIC

Ποιότητα Ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα 4inch GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου HVPE εργοστάσιο

Ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα 4inch GaN γκοφρετών νιτριδίων γαλλίου HVPE

Ποιότητα AlN στις κρυσταλλικές ταινίες AlN γκοφρετών προτύπων διαμαντιών στο υπόστρωμα διαμαντιών εργοστάσιο

AlN στις κρυσταλλικές ταινίες AlN γκοφρετών προτύπων διαμαντιών στο υπόστρωμα διαμαντιών

Ποιότητα πλαστός ερευνητικός πρωταρχικός βαθμός γκοφρετών γκοφρετών SIC καρβιδίου του πυριτίου 2inch 4inch 6inch 8Inch εργοστάσιο

πλαστός ερευνητικός πρωταρχικός βαθμός γκοφρετών γκοφρετών SIC καρβιδίου του πυριτίου 2inch 4inch 6inch 8Inch

Ποιότητα Si3Nx γκοφρέτα επιστρώματος με την ειδική αντίσταση 1 - 10ohm καμία ατέλεια εργοστάσιο

Si3Nx γκοφρέτα επιστρώματος με την ειδική αντίσταση 1 - 10ohm καμία ατέλεια

Ποιότητα Διαφανές 10x15mm υπόστρωμα του Γκάο οξειδίων γαλλίου 001 προσανατολισμού για την εφαρμογή LEDs εργοστάσιο

Διαφανές 10x15mm υπόστρωμα του Γκάο οξειδίων γαλλίου 001 προσανατολισμού για την εφαρμογή LEDs

Ποιότητα Η επιφάνεια SSP/DSP γκοφρετών πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος τελειώνει την ειδική αντίσταση μορίων 1~10ohm <30/Cm2 εργοστάσιο

Η επιφάνεια SSP/DSP γκοφρετών πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος τελειώνει την ειδική αντίσταση μορίων 1~10ohm <30/Cm2

Ποιότητα Γκοφρέτες υποστρωμάτων διαμαντιών Polytype μεθόδου MPCVD για GaN κρυσταλλικό εργοστάσιο

Γκοφρέτες υποστρωμάτων διαμαντιών Polytype μεθόδου MPCVD για GaN κρυσταλλικό

Ποιότητα λεπτή ταινία Χ-περικοπών LN 400nm LiNbO3 4inch 6inch στο υπόστρωμα πυριτίου εργοστάσιο

λεπτή ταινία Χ-περικοπών LN 400nm LiNbO3 4inch 6inch στο υπόστρωμα πυριτίου

Ποιότητα πλαστή παραγωγής ερευνητικού βαθμού του πυριτίου 4h-ημι un-doped διαφανής SIC καρβιδίου γκοφρέτα υψηλής αγνότητας εργοστάσιο

πλαστή παραγωγής ερευνητικού βαθμού του πυριτίου 4h-ημι un-doped διαφανής SIC καρβιδίου γκοφρέτα υψηλής αγνότητας

Ποιότητα 4h-ν ημιμονωτικές SIC γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου υποστρωμάτων 2inch 3inch 4inch τύπων εργοστάσιο

4h-ν ημιμονωτικές SIC γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου υποστρωμάτων 2inch 3inch 4inch τύπων

Ποιότητα 4h-ν πλαστό υπόστρωμα βαθμού SIC υποστρωμάτων νιτριδίων πυριτίου 4 ίντσας SIC για τις συσκευές υψηλής δύναμης εργοστάσιο

4h-ν πλαστό υπόστρωμα βαθμού SIC υποστρωμάτων νιτριδίων πυριτίου 4 ίντσας SIC για τις συσκευές υψηλής δύναμης

Ποιότητα βαθμός παραγωγής γκοφρετών υποστρωμάτων τύπων 4h-ν SIC 8inch 6inch για τις συσκευές ραδιοσυχνότητας εργοστάσιο

βαθμός παραγωγής γκοφρετών υποστρωμάτων τύπων 4h-ν SIC 8inch 6inch για τις συσκευές ραδιοσυχνότητας

Ποιότητα προσαρμοσμένες 4h-ν γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου υποστρωμάτων 4inch 6inch τύπων ημιμονωτικές SIC εργοστάσιο

προσαρμοσμένες 4h-ν γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου υποστρωμάτων 4inch 6inch τύπων ημιμονωτικές SIC

Ποιότητα 330um βαθμός Dia50.8mm 2inch παραγωγής υποστρωμάτων τύπων SIC πάχους 4h-ν εργοστάσιο

330um βαθμός Dia50.8mm 2inch παραγωγής υποστρωμάτων τύπων SIC πάχους 4h-ν

1 2 3 4 5 6 7 8