Σπίτι
>
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
>
Υπόστρωμα SIC
>
|
| Τόπος καταγωγής | ΚΙΝΑ |
| Μάρκα | SICC |
| Πιστοποίηση | CE |
| Αριθμό μοντέλου | 4h-ν |
4H-ημι SIC ενιαίο κρύσταλλο ερευνητικού βαθμού υποστρωμάτων 2inch Dia50.8mm
βαθμός παραγωγής υποστρωμάτων ν-τύπων SIC πάχους 4H 2inch dia50mm 330μm
2inch γκοφρέτες 6H καρβιδίου του πυριτίου ή ν-τύπος 4H ή ημιμονωτικά υποστρώματα SIC
4h-ν τύπος/ημι μονώνοντας γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου υποστρωμάτων 2inch 3inch 6inch SIC
αυτό που είναι SIC subatrate
Ένα υπόστρωμα SIC αναφέρεται σε μια γκοφρέτα φιαγμένη από καρβίδιο του πυριτίου (SIC), το οποίο είναι ένα ευρύς-bandgap-ευρέως υλικό ημιαγωγών που έχει τις άριστες ηλεκτρικές και θερμικές ιδιότητες. Τα υποστρώματα SIC χρησιμοποιούνται συνήθως ως πλατφόρμα για την αύξηση των κρυσταλλικών στρωμάτων του SIC ή άλλων υλικών, τα οποία μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να κατασκευάσουν τις διάφορες ηλεκτρονικές και οπτικοηλεκτρονικές συσκευές, όπως οι υψηλής ισχύος κρυσταλλολυχνίες, οι δίοδοι Schottky, οι UV φωτοανιχνευτές, και LEDs.
Τα υποστρώματα SIC προτιμώνται πέρα από άλλα υλικά ημιαγωγών, όπως το πυρίτιο, για τις υψηλής ισχύος και υψηλής θερμοκρασίας εφαρμογές ηλεκτρονικής λόγω των ανώτερων ιδιοτήτων τους, συμπεριλαμβανομένης της υψηλότερης τάσης διακοπής, της υψηλότερης θερμικής αγωγιμότητας, και της υψηλότερης μέγιστης λειτουργούσας θερμοκρασίας. Οι συσκευές SIC μπορούν να λειτουργήσουν στις πολύ υψηλότερες θερμοκρασίες από τις πυρίτιο-βασισμένες στην συσκευές, καθιστώντας τους κατάλληλους για τη χρήση στα ακραία περιβάλλοντα, όπως αυτοκίνητες, στις αεροδιαστημικές, και ενεργειακές εφαρμογές.
Εφαρμογές
IIIV απόθεση νιτριδίων
Οπτικοηλεκτρονικές συσκευές
Υψηλής ισχύος συσκευές
Υψηλής θερμοκρασίας συσκευές
Υψηλής συχνότητας συσκευές δύναμης
Ιδιοκτησία
| Ιδιοκτησία | 4H-SIC ενιαίο κρύσταλλο | 6H-SIC ενιαίο κρύσταλλο |
| Παράμετροι δικτυωτού πλέγματος (Å) |
a=3.076 c=10.053 |
a=3.073 c=15.117 |
| Συσσώρευση της ακολουθίας | ABCB | ABCACB |
| Πυκνότητα | 3.21 | 3.21 |
| Σκληρότητα Mohs | ~9.2 | ~9.2 |
| Συντελεστής θερμικής επέκτασης (CTE) (/K) | 4-5 X10-6 | 4-5 X10-6 |
| Δείκτης @750nm διάθλασης |
κανένας = 2,61 ΝΕ = 2,66 |
κανένας = 2,60 ΝΕ = 2,65 |
| Διηλεκτρική σταθερά | γ ~ 9,66 | γ ~ 9,66 |
| Νάρκωση του τύπου | Ν-τύπος ή ημιμονωτικός | Ν-τύπος ή ημιμονωτικός |
|
Θερμική αγωγιμότητα (w/cm-Κ @298K) (Ν-τύπος, 0,02 ωμ-εκατ.) |
a~4.2 c~3.7 |
|
|
Θερμική αγωγιμότητα (w/cm-Κ @298K) (Ημιμονωτικός τύπος) |
a~4.9 c~3.9
|
a~4.6 c~3.2
|
| Ταινία-Gap (eV) | 3.23 | 3.02 |
| Ηλεκτρικός τομέας βλάβης (V/cm) | 3-5 X 106 | 3-5 x106 |
| Ταχύτητα κλίσης κορεσμού (m/s) | 2.0 X 105 | 2.0 X 105 |
| Μεγέθη γκοφρετών και υποστρωμάτων | Γκοφρέτες: 2, 3, 4, 6 ίντσα μικρότερα υποστρώματα: 10x10, 20x20 χιλ., άλλα μεγέθη είναι διαθέσιμα και μπορούν να είναι επί παραγγελία κατόπιν αιτήματος | |
| Βαθμοί προϊόντων |
Ένας βαθμός μηδενικά πυκνότητα micropipe (MPD < 1="">εκατ.-2) Ψ κατηγορίας βαθμός παραγωγής (MPD<> 5 εκατ.-2) Ερευνητικός βαθμός βαθμού Γ (MPD<> 15 εκατ.-2) Πλαστός βαθμός βαθμού Δ (MPD<> 30 εκατ.-2) |
|
Προδιαγραφή
| Διάμετρος | 50.8 | 76.2 | 100 | 150 | χιλ. |
| Τύπος | 4H- 4h-Si Ν (άζωτο)/(ημιμονωτικό) | ||||
| Ειδική αντίσταση | 4H-Νι: 0,015 ~ 0,028 4h-Si: >1E5 | Ω.cm | |||
| Thickness* | (330 ~ 500) ± 25 | µm | |||
| Orientation* |
-άξονας: <0001> ± 0.5˚ Εκτός άξονα: 4˚± 0.5˚off προς (11-20) |
βαθμός | |||
| Αρχικό Flat* | (10-10) ± 5.0˚ | βαθμός | |||
| Δευτεροβάθμιο επίπεδο | Πρόσωπο πυριτίου: 90˚CW από αρχικό ± 5.0˚ | Κανένας | βαθμός | ||
| TTV* | ≤15 | µm | |||
| Bow* | ≤25 | ≤40 | µm | ||
| Warp* | ≤25 | ≤35 | ≤40 | ≤60 | µm |
| Πυκνότητα Micropipe | Μηδέν: ≤1/παραγωγή: ≤5/ομοίωμα: ≤15 | τ.εκ. | |||
| Τραχύτητα | Γυαλισμένος (Ra≤1) | NM | |||
| CMP (Ra≤0.5) | |||||
Βιομηχανική αλυσίδα
Η βιομηχανική αλυσίδα καρβιδίου SIC του πυριτίου διαιρείται σε υλική προετοιμασία υποστρωμάτων, κρυσταλλική αύξηση στρώματος, κατασκευή συσκευών και προς τα κάτω εφαρμογές. Monocrystals καρβιδίου του πυριτίου προετοιμάζονται συνήθως από τη φυσική μετάδοση ατμού (μέθοδος PVT), και έπειτα τα κρυσταλλικά φύλλα παράγονται από την απόθεση χημικού ατμού (CVD μέθοδος) στο υπόστρωμα, και οι σχετικές συσκευές γίνονται τελικά. Στη βιομηχανική αλυσίδα των συσκευών SIC, λόγω της δυσκολίας της τεχνολογίας κατασκευής υποστρωμάτων, η αξία της βιομηχανικής αλυσίδας συγκεντρώνεται κυρίως στην προς τα πάνω σύνδεση υποστρωμάτων.
Η επιχείρηση ZMSH παρέχει παρέχει τις γκοφρέτες 100mm και 150mm SIC. Με τη σκληρότητά του (το SIC είναι το δεύτερο σκληρότερο υλικό στον κόσμο) και τη σταθερότητα κάτω από το ρεύμα θερμότητας και υψηλής τάσης, αυτό το υλικό ευρέως χρησιμοποιείται σε διάφορες βιομηχανίες.
FAQ
Q: Ποιος είναι ο τρόπος της ναυτιλίας και του κόστους και πληρώνει τον όρο;
Α: (1) δεχόμαστε 50% T/T εκ των προτέρων και αριστερό 50% πριν από την παράδοση από DHL, τη Fedex, το EMS κ.λπ.
(2) εάν έχετε το σαφή απολογισμό σας, είναι μεγάλος. Εάν όχι, θα μπορούσαμε να σας βοηθήσουμε να τους στείλετε.
Το φορτίο είναι σύμφωνα με την πραγματική τακτοποίηση.
Q: Ποιο είναι MOQ σας;
Α: (1) για τον κατάλογο, το MOQ είναι 3pcs.
(2) για τα προσαρμοσμένα προϊόντα, το MOQ είναι 10pcs επάνω.
Q: Μπορώ να προσαρμόσω τα προϊόντα βασισμένα στην ανάγκη μου;
Α: Ναι, μπορούμε να προσαρμόσουμε το υλικό, τις προδιαγραφές και τη μορφή, μέγεθος βασισμένο στις ανάγκες σας.
Q: Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
Α: (1) για τα τυποποιημένα προϊόντα
Για τον κατάλογο: η παράδοση είναι 5 εργάσιμες ημέρες μετά από σας θέση η διαταγή.
Για τα προσαρμοσμένα προϊόντα: η παράδοση είναι 2 ή 3 εβδομάδες μετά από σας θέση η διαταγή.
(2) για τα ειδικός-διαμορφωμένα προϊόντα, η παράδοση είναι 4 workweeks μετά από σας θέση η διαταγή.
Μας ελάτε σε επαφή με ανά πάσα στιγμή
