Σπίτι
>
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
>
Υπόστρωμα SIC
>
|
| Τόπος καταγωγής | ΚΙΝΑ |
| Μάρκα | SICC |
| Πιστοποίηση | CE |
| Αριθμό μοντέλου | 4h-ν |
βαθμός παραγωγής υποστρωμάτων τύπων SIC πάχους 4h-ν 2inch dia50.8mm 330μm
2inch γκοφρέτες 6H καρβιδίου του πυριτίου ή ν-τύπος 4H ή ημιμονωτικά υποστρώματα SIC
4h-ν τύπος/ημι μονώνοντας γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου υποστρωμάτων 2inch 3inch 6inch SIC
αυτό που είναι SIC subatrate
Ένα υπόστρωμα SIC αναφέρεται σε μια γκοφρέτα φιαγμένη από καρβίδιο του πυριτίου (SIC), το οποίο είναι ένα ευρύς-bandgap-ευρέως υλικό ημιαγωγών που έχει τις άριστες ηλεκτρικές και θερμικές ιδιότητες. Τα υποστρώματα SIC χρησιμοποιούνται συνήθως ως πλατφόρμα για την αύξηση των κρυσταλλικών στρωμάτων του SIC ή άλλων υλικών, τα οποία μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να κατασκευάσουν τις διάφορες ηλεκτρονικές και οπτικοηλεκτρονικές συσκευές, όπως οι υψηλής ισχύος κρυσταλλολυχνίες, οι δίοδοι Schottky, οι UV φωτοανιχνευτές, και LEDs.
Τα υποστρώματα SIC προτιμώνται πέρα από άλλα υλικά ημιαγωγών, όπως το πυρίτιο, για τις υψηλής ισχύος και υψηλής θερμοκρασίας εφαρμογές ηλεκτρονικής λόγω των ανώτερων ιδιοτήτων τους, συμπεριλαμβανομένης της υψηλότερης τάσης διακοπής, της υψηλότερης θερμικής αγωγιμότητας, και της υψηλότερης μέγιστης λειτουργούσας θερμοκρασίας. Οι συσκευές SIC μπορούν να λειτουργήσουν στις πολύ υψηλότερες θερμοκρασίες από τις πυρίτιο-βασισμένες στην συσκευές, καθιστώντας τους κατάλληλους για τη χρήση στα ακραία περιβάλλοντα, όπως αυτοκίνητες, στις αεροδιαστημικές, και ενεργειακές εφαρμογές.
Εφαρμογές
IIIV απόθεση νιτριδίων
Οπτικοηλεκτρονικές συσκευές
Υψηλής ισχύος συσκευές
Υψηλής θερμοκρασίας συσκευές
Υψηλής συχνότητας συσκευές δύναμης
Προδιαγραφή
| Βαθμός | Βαθμός παραγωγής | Ερευνητικός βαθμός | Πλαστός βαθμός | |
| Διάμετρος | 50,8 χιλ. +/- 0,38 χιλ. | |||
| Πάχος |
Ν-τύπος 330 um +/- um 25 Ημιμονωτικό um 250 +/- um 25 |
|||
| Προσανατολισμός γκοφρετών |
Στον άξονα: <0001> +/- 0,5 βαθμοί για το 6h-ν το /4H-N το /4H-SI το /6H-SI Από τον άξονα: 4,0 βαθμοί προς <11-20> +/0,5 βαθμούς για το 4h-ν το /4H-SI |
|||
| Πυκνότητα Micropipe (MPD) | 5 εκατ.-2 | 15 εκατ.-2 | 30 εκατ.-2 | |
|
Ηλεκτρική ειδική αντίσταση (Ωμ-εκατ.) |
4h-ν | 0.015~0.028 | ||
| 6h-ν | 0.02~0.1 | |||
| 4/6h-Si | >1E5 | (90%) >1E5 | ||
| Νάρκωση της συγκέντρωσης |
Ν-τύπος: ~ 1E18/cm3 (Β-που ναρκώνεται Si-τύπος): ~ 5E18/cm3 |
|||
| Αρχικό επίπεδο | {10-10} +/- 5,0 βαθμοί | |||
| Αρχικό επίπεδο μήκος | 15,9 χιλ. +/- 1,7 χιλ. | |||
| Δευτεροβάθμιο επίπεδο μήκος | 8,0 χιλ. +/- 1,7 χιλ. | |||
| Δευτεροβάθμιος επίπεδος προσανατολισμός | Πρόσωπο πυριτίου - επάνω: 90 βαθμοί CW από το πρωταρχικό επίπεδο +/- 5,0 βαθμοί | |||
| Αποκλεισμός ακρών | 1 χιλ. | |||
| TTV/τόξο/στρέβλωση | 15 um/25um/25um | |||
| Τραχύτητα επιφάνειας | Οπτικό πολωνικό RA 1 NM στο πρόσωπο Γ | |||
| RA CMP 0,5 NM στο πρόσωπο Si | ||||
| Ρωγμές που επιθεωρούνται από το φως υψηλής έντασης | Κανένας | Κανένας | 1 επιτρεμμένος, 1 χιλ. | |
| Πιάτα δεκαεξαδικού που επιθεωρούνται από την υψηλή ένταση light* | Συσσωρευτική περιοχή 1% | Συσσωρευτική περιοχή 1% | Συσσωρευτική περιοχή 3% | |
| Περιοχές Polytype που επιθεωρούνται από την υψηλή ένταση light* | Κανένας | Συσσωρευτική περιοχή 2% | Συσσωρευτική περιοχή 5% | |
| Γρατσουνιές που επιθεωρούνται από την υψηλή ένταση ελαφρύ ** |
3 γρατσουνιές στη διάμετρο 1wafer συσσωρευτικό μήκος |
5 γρατσουνιές σε 1 διάμετρο γκοφρετών συσσωρευτικό μήκος |
8 γρατσουνιές σε 1 διάμετρο γκοφρετών συσσωρευτικό μήκος |
|
| Σμίλευση ακρών | Κανένας | 3 επιτρεμμένος, 0,5 χιλ. κάθε | 5 επιτρεμμένος, 1 χιλ. κάθε | |
| Μόλυνση επιφάνειας όπως επιθεωρείται από το φως υψηλής έντασης | Κανένας | |||
Βιομηχανική αλυσίδα
Η βιομηχανική αλυσίδα καρβιδίου SIC του πυριτίου διαιρείται σε υλική προετοιμασία υποστρωμάτων, κρυσταλλική αύξηση στρώματος, κατασκευή συσκευών και προς τα κάτω εφαρμογές. Monocrystals καρβιδίου του πυριτίου προετοιμάζονται συνήθως από τη φυσική μετάδοση ατμού (μέθοδος PVT), και έπειτα τα κρυσταλλικά φύλλα παράγονται από την απόθεση χημικού ατμού (CVD μέθοδος) στο υπόστρωμα, και οι σχετικές συσκευές γίνονται τελικά. Στη βιομηχανική αλυσίδα των συσκευών SIC, λόγω της δυσκολίας της τεχνολογίας κατασκευής υποστρωμάτων, η αξία της βιομηχανικής αλυσίδας συγκεντρώνεται κυρίως στην προς τα πάνω σύνδεση υποστρωμάτων.
Η επιχείρηση ZMSH παρέχει παρέχει τις γκοφρέτες 100mm και 150mm SIC. Με τη σκληρότητά του (το SIC είναι το δεύτερο σκληρότερο υλικό στον κόσμο) και τη σταθερότητα κάτω από το ρεύμα θερμότητας και υψηλής τάσης, αυτό το υλικό ευρέως χρησιμοποιείται σε διάφορες βιομηχανίες.
Τιμή
Η επιχείρηση ZMSH προσφέρει την καλύτερη τιμή στην αγορά για υψηλό - ποιοτικές SIC γκοφρέτες και υποστρώματα κρυστάλλου SIC μέχρι (6) τη διάμετρο ίντσας έξι. Η ταιριάζοντας με πολιτική τιμών μας σας εγγυάται την καλύτερη αξία των προϊόντων κρυστάλλου SIC με τις συγκρίσιμες προδιαγραφές. ΕΠΑΦΗ ΗΠΑ για να πάρει σήμερα το απόσπασμά σας.
Προσαρμογή
Τα προσαρμοσμένα προϊόντα κρυστάλλου SIC μπορούν να γίνουν για να καλύψουν τις ιδιαίτερες απαιτήσεις και τις προδιαγραφές του πελάτη.
Οι epi-γκοφρέτες μπορούν επίσης να είναι επί παραγγελία κατόπιν αιτήματος.
FAQ
Q: Ποιος είναι ο τρόπος της ναυτιλίας και του κόστους και πληρώνει τον όρο;
Α: (1) δεχόμαστε 50% T/T εκ των προτέρων και αριστερό 50% πριν από την παράδοση από DHL, τη Fedex, το EMS κ.λπ.
(2) εάν έχετε το σαφή απολογισμό σας, είναι μεγάλος. Εάν όχι, θα μπορούσαμε να σας βοηθήσουμε να τους στείλετε.
Το φορτίο είναι σύμφωνα με την πραγματική τακτοποίηση.
Q: Ποιο είναι MOQ σας;
Α: (1) για τον κατάλογο, το MOQ είναι 3pcs.
(2) για τα προσαρμοσμένα προϊόντα, το MOQ είναι 10pcs επάνω.
Q: Μπορώ να προσαρμόσω τα προϊόντα βασισμένα στην ανάγκη μου;
Α: Ναι, μπορούμε να προσαρμόσουμε το υλικό, τις προδιαγραφές και τη μορφή, μέγεθος βασισμένο στις ανάγκες σας.
Q: Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
Α: (1) για τα τυποποιημένα προϊόντα
Για τον κατάλογο: η παράδοση είναι 5 εργάσιμες ημέρες μετά από σας θέση η διαταγή.
Για τα προσαρμοσμένα προϊόντα: η παράδοση είναι 2 ή 3 εβδομάδες μετά από σας θέση η διαταγή.
(2) για τα ειδικός-διαμορφωμένα προϊόντα, η παράδοση είναι 4 workweeks μετά από σας θέση η διαταγή.
Μας ελάτε σε επαφή με ανά πάσα στιγμή
