Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΓκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό

Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό

Κίνα Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό προμηθευτής
Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό προμηθευτής Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό προμηθευτής Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό προμηθευτής Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό προμηθευτής Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό προμηθευτής

Μεγάλες Εικόνας :  Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: Κίνα
Μάρκα: zmsh
Αριθμό μοντέλου: Προσαρμοσμένος διαμορφωμένος

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 10pcs
Τιμή: by case
Συσκευασία λεπτομέρειες: στις κασέτες των ενιαίων εμπορευματοκιβωτίων γκοφρετών
Χρόνος παράδοσης: Εντός 15days
Δυνατότητα προσφοράς: 1000pcs
Contact Now
Λεπτομερής Περιγραφή Προϊόντος
Υλικό: ενιαίο κρύσταλλο SIC βιομηχανία: γκοφρέτα ημιαγωγών,
Εφαρμογές: συσκευή, EPI-έτοιμη γκοφρέτα, 5G, ηλεκτρονική δύναμης, ανιχνευτής, Χρώμα: πράσινος, μπλε, άσπρος
Προσαρμοσμένη: ΕΝΤΆΞΕΙ Τύπος: 4H-Ν, 6H-Ν

10x10mm 5x5mm προσάρμοσε τα τετραγωνικά υποστρώματα SIC, γκοφρέτες 1inch SIC, τσιπ κρυστάλλου SIC, υποστρώματα ημιαγωγών SIC, γκοφρέτα 6h-ν SIC, γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου υψηλής αγνότητας
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
προσφέρουμε τα υλικά ημιαγωγών, ειδικά για την γκοφρέτα SIC, το υποκράτος SIC του polytype 4H και 6H στους διαφορετικούς ποιοτικούς βαθμούς για τους κατασκευαστές ερευνητών και βιομηχανίας. Έχουμε μια καλή σχέση με το εργοστάσιο αύξησης κρυστάλλου SIC και, είμαστε κύριοι επίσης έχουμε την τεχνολογία επεξεργασίας γκοφρετών SIC, καθιερώσαμε μια γραμμή παραγωγής στο υπόστρωμα κατασκευαστών SIC και την γκοφρέτα SIC. Σαν επαγγελματική επιχείρηση που επενδύεται από τους κύριους κατασκευαστές από τους τομείς της προηγμένης και υλικής έρευνας υψηλής τεχνολογίας και εργαστήριο ημιαγωγών κρατικών ιδρυμάτων και της Κίνας, αφιερωνόμαστε για να βελτιώσουμε συνεχώς την ποιότητα της γκοφρέτας SIC, αυτήν την περίοδο υποκράτη και να αναπτύξουμε τα μεγάλα υποστρώματα μεγέθους.
 
Τομείς εφαρμογής
1 δίοδοι Schottky ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής συχνότητας και υψηλής δύναμης, JFET, BJT, καρφίτσα,
δίοδοι, IGBT, MOSFET
2 οπτικοηλεκτρονικές συσκευές: κυρίως χρησιμοποιημένος στις υλικές (GaN/SIC) οδηγήσεις υποστρωμάτων των μπλε οδηγήσεων GaN/SIC
 
Advantagement                               
• Χαμηλός κακός συνδυασμός δικτυωτού πλέγματος• Υψηλή θερμική αγωγιμότητα
 
• Χαμηλής ισχύος κατανάλωση
 
• Άριστα παροδικά χαρακτηριστικά
 
• Υψηλό χάσμα ζωνών 
 
 
κοινό μέγεθος 2inch για τα υποστρώματα SIC

2inch προδιαγραφή υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου διαμέτρων (SIC) 
ΒαθμόςΜηδέν βαθμός MPDΒαθμός παραγωγήςΕρευνητικός βαθμόςΠλαστός βαθμός 
 
Διάμετρος50.8 mm±0.2mm 
 
Πάχος330 μm±25μm ή 430±25um ή 1000um±25um 
 
Προσανατολισμός γκοφρετώνΑπό τον άξονα: 4.0° προς <1120> ±0.5° για το 4h-n/4h-Si στον άξονα: <0001>±0.5° για το 6h-n/6h-si/4h-n/4h-Si 
 
Πυκνότητα Micropipe≤0 τ.εκ.≤5 τ.εκ.≤15 τ.εκ.≤100 τ.εκ. 
 
Ειδική αντίσταση4h-ν0.015~0.028 Ω•εκατ. 
 
6h-ν0.02~0.1 Ω•εκατ. 
 
4/6h-Si≥1E5 Ω·εκατ. 
 
Αρχικό επίπεδο{10-10} ±5.0° 
 
Αρχικό επίπεδο μήκος18.5 mm±2.0 χιλ. 
 
Δευτεροβάθμιο επίπεδο μήκος10.0mm±2.0 χιλ. 
 
Δευτεροβάθμιος επίπεδος προσανατολισμόςΠρόσωπο πυριτίου - επάνω: 90° CW. από πρωταρχικό επίπεδο ±5.0° 
 
Αποκλεισμός ακρών1 χιλ. 
 
TTV/Bow το /Warp≤10μm/≤10μm/≤15μm 
 
ΤραχύτηταΠολωνικό Ra≤1 NM 
 
CMP Ra≤0.5 NM 
 
Ρωγμές από το φως υψηλής έντασηςΚανένας1 επιτρεμμένος, ≤2 χιλ.Συσσωρευτικό μήκος ≤ 10mm, ενιαίο length≤2mm 
 
 
Πιάτα δεκαεξαδικού από το φως υψηλής έντασηςΣυσσωρευτική περιοχή ≤1%Συσσωρευτική περιοχή ≤1%Συσσωρευτική περιοχή ≤3% 
 
Περιοχές Polytype από το φως υψηλής έντασηςΚανέναςΣυσσωρευτική περιοχή ≤2%Συσσωρευτική περιοχή ≤5% 
 
 
Γρατσουνιές από το φως υψηλής έντασης3 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer5 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer5 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer 
 
 
τσιπ ακρώνΚανένας3 επιτρεμμένος, ≤0.5 χιλ. κάθε ένα5 επιτρεμμένος, ≤1 χιλ. κάθε ένα 
 
 

μέγεθος εικόνων: 10x10x0.5mmt,
ανοχή: ±0.03mm
βάθος Χ αντιστοιχιών πλάτος: 0.4mmx0.5mm
ΤΥΠΟΣ: 4H-ημι
επιφάνεια: γυαλισμένος (SSP ή dsp)
RA: 0.5nm

Προσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμόΠροσαρμοσμένη σκληρότητα 9,4 υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου μεγέθους μέρη SIC για τον εξοπλισμό
 

FAQ

1. Q: Ποια είναι η συσκευασία σας; Είναι ασφαλείς;
Α: παρέχουμε το αυτόματο κιβώτιο ταινιών προσρόφησης ως συσκευασία.
2.Q: Ποιος είναι ο όρος πληρωμής σας;
Α: Ο όρος πληρωμής μας είναι T/T 50% εκ των προτέρων, 50% πριν από την παράδοση.
3.Q: Πώς μπορώ να πάρω μερικά δείγματα;
Α: Το Becauce προσάρμοσε τα προϊόντα μορφής, ελπίζουμε ότι μπορείτε να διατάξετε το ελάχιστο μέρος ως δείγμα.
4.Q: Πόσο μακροπρόθεσμοι μπορούμε να πάρουμε τα δείγματα;
Α: Στέλνουμε τα δείγματα σε 10 - 25 ημέρες αφότου επιβεβαιώνετε.
5.Q: Πώς το εργοστάσιό σας κάνει σχετικά με τον ποιοτικό έλεγχο;
Α: Η ποιότητα είναι πρώτα το ρητό μας, οι εργαζόμενοι συνδέουν πάντα το μεγάλο ενδιαφέρον με τον ποιοτικό έλεγχο από
η πολύ αρχή στο τέλος -τέλος.

 

Στοιχεία επικοινωνίας
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Wang

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα