Σπίτι
>
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
>
Υπόστρωμα SIC
>
|
| Τόπος καταγωγής | Κίνα |
| Μάρκα | zmsh |
| Αριθμό μοντέλου | Προσαρμοσμένος διαμορφωμένος |
10x10mm 5x5mm προσάρμοσε τα τετραγωνικά υποστρώματα SIC, γκοφρέτες 1inch SIC, τσιπ κρυστάλλου SIC, υποστρώματα ημιαγωγών SIC, γκοφρέτα 6h-ν SIC, γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου υψηλής αγνότητας
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
προσφέρουμε τα υλικά ημιαγωγών, ειδικά για την γκοφρέτα SIC, το υποκράτος SIC του polytype 4H και 6H στους διαφορετικούς ποιοτικούς βαθμούς για τους κατασκευαστές ερευνητών και βιομηχανίας. Έχουμε μια καλή σχέση με το εργοστάσιο αύξησης κρυστάλλου SIC και, είμαστε κύριοι επίσης έχουμε την τεχνολογία επεξεργασίας γκοφρετών SIC, καθιερώσαμε μια γραμμή παραγωγής στο υπόστρωμα κατασκευαστών SIC και την γκοφρέτα SIC. Σαν επαγγελματική επιχείρηση που επενδύεται από τους κύριους κατασκευαστές από τους τομείς της προηγμένης και υλικής έρευνας υψηλής τεχνολογίας και εργαστήριο ημιαγωγών κρατικών ιδρυμάτων και της Κίνας, αφιερωνόμαστε για να βελτιώσουμε συνεχώς την ποιότητα της γκοφρέτας SIC, αυτήν την περίοδο υποκράτη και να αναπτύξουμε τα μεγάλα υποστρώματα μεγέθους.
Τομείς εφαρμογής
1 δίοδοι Schottky ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής συχνότητας και υψηλής δύναμης, JFET, BJT, καρφίτσα,
δίοδοι, IGBT, MOSFET
2 οπτικοηλεκτρονικές συσκευές: κυρίως χρησιμοποιημένος στις υλικές (GaN/SIC) οδηγήσεις υποστρωμάτων των μπλε οδηγήσεων GaN/SIC
Advantagement
• Χαμηλός κακός συνδυασμός δικτυωτού πλέγματος• Υψηλός θερμικός αγωγιμότητα
• Χαμηλής ισχύος κατανάλωση
• Άριστα παροδικά χαρακτηριστικά
• Υψηλό χάσμα ζωνών
κοινό μέγεθος 2inch για τα υποστρώματα SIC
| 2inch προδιαγραφή υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου διαμέτρων (SIC) | ||||||||||
| Βαθμός | Μηδέν βαθμός MPD | Βαθμός παραγωγής | Ερευνητικός βαθμός | Πλαστός βαθμός | ||||||
| Διάμετρος | 50.8 mm±0.2mm | |||||||||
| Πάχος | 330 μm±25μm ή 430±25um ή 1000um±25um | |||||||||
| Προσανατολισμός γκοφρετών | Από τον άξονα: 4.0° προς <1120> ±0.5° για το 4h-n/4h-Si στον άξονα: <0001> ±0.5° για το 6h-n/6h-si/4h-n/4h-Si | |||||||||
| Πυκνότητα Micropipe | ≤0 τ.εκ. | ≤5 τ.εκ. | ≤15 τ.εκ. | ≤100 τ.εκ. | ||||||
| Ειδική αντίσταση | 4h-ν | 0.015~0.028 Ω•εκατ. | ||||||||
| 6h-ν | 0.02~0.1 Ω•εκατ. | |||||||||
| 4/6h-Si | ≥1E5 Ω·εκατ. | |||||||||
| Αρχικό επίπεδο | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Αρχικό επίπεδο μήκος | 18.5 mm±2.0 χιλ. | |||||||||
| Δευτεροβάθμιο επίπεδο μήκος | 10.0mm±2.0 χιλ. | |||||||||
| Δευτεροβάθμιος επίπεδος προσανατολισμός | Πρόσωπο πυριτίου - επάνω: 90° CW. από πρωταρχικό επίπεδο ±5.0° | |||||||||
| Αποκλεισμός ακρών | 1 χιλ. | |||||||||
| TTV/Bow το /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Τραχύτητα | Πολωνικό Ra≤1 NM | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 NM | ||||||||||
| Ρωγμές από το φως υψηλής έντασης | Κανένας | 1 επιτρεμμένος, ≤2 χιλ. | Συσσωρευτικό μήκος ≤ 10mm, ενιαίο length≤2mm | |||||||
| Πιάτα δεκαεξαδικού από το φως υψηλής έντασης | Συσσωρευτική περιοχή ≤1% | Συσσωρευτική περιοχή ≤1% | Συσσωρευτική περιοχή ≤3% | |||||||
| Περιοχές Polytype από το φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συσσωρευτική περιοχή ≤2% | Συσσωρευτική περιοχή ≤5% | |||||||
| Γρατσουνιές από το φως υψηλής έντασης | 3 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer | 5 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer | 5 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer | |||||||
| τσιπ ακρών | Κανένας | 3 επιτρεμμένος, ≤0.5 χιλ. κάθε ένα | 5 επιτρεμμένος, ≤1 χιλ. κάθε ένα | |||||||
μέγεθος εικόνων: 10x10x0.5mmt,
ανοχή: ±0.03mm
βάθος Χ αντιστοιχιών πλάτος: 0.4mmx0.5mm
ΤΥΠΟΣ: 4H-ημι
επιφάνεια: γυαλισμένος (SSP ή dsp)
RA: 0.5nm
1. Q: Ποια είναι η συσκευασία σας; Είναι ασφαλείς;
Α: παρέχουμε το αυτόματο κιβώτιο ταινιών προσρόφησης ως συσκευασία.
2.Q: Ποιος είναι ο όρος πληρωμής σας;
Α: Ο όρος πληρωμής μας είναι T/T 50% εκ των προτέρων, 50% πριν από την παράδοση.
3.Q: Πώς μπορώ να πάρω μερικά δείγματα;
Α: Το Becauce προσάρμοσε τα προϊόντα μορφής, ελπίζουμε ότι μπορείτε να διατάξετε το ελάχιστο μέρος ως δείγμα.
4.Q: Πόσο μακροπρόθεσμοι μπορούμε να πάρουμε τα δείγματα;
Α: Στέλνουμε τα δείγματα σε 10 - 25 ημέρες αφότου επιβεβαιώνετε.
5.Q: Πώς το εργοστάσιό σας κάνει σχετικά με τον ποιοτικό έλεγχο;
Α: Η ποιότητα είναι πρώτα το ρητό μας, οι εργαζόμενοι συνδέουν πάντα το μεγάλο ενδιαφέρον με τον ποιοτικό έλεγχο από
η πολύ αρχή στο τέλος -τέλος.
Μας ελάτε σε επαφή με ανά πάσα στιγμή
