| Ονομασία μάρκας: | ZMSH |
| Αριθμός μοντέλου: | Sic Tray |
| MOQ: | 25 |
| Τιμή: | Fluctuates with market |
| Χρόνος παράδοσης: | 4-9 εβδομάδες |
| Όροι πληρωμής: | T/T |
Επισκόπηση του προϊόντος
Το SiC Tray (Silicon Carbide Tray) είναι ένα κατασκευασμένο από πολυκρυσταλλική κατασκευαστική κεραμική του καρβιδίου του πυριτίου υψηλής απόδοσης υλικό υψηλής θερμοκρασίας.που παράγεται με προηγμένες διαδικασίες συγκόλλησης, συμπεριλαμβανομένης της σύνδεσης με αντίδραση (RBSiC), ανακρυσταλλωμένες (RSiC) και δεμένες με νιτρικό πυριτίδιο (N-SiC).
Ως βελτιωμένη εναλλακτική λύση για τα παραδοσιακά δίσκια κεραμικής αλουμινίου και τα έλιωτα δίσκια χαλαζίου, διαθέτει εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, εξαιρετική θερμική σταθερότητα,ομοιόμορφη θερμική αγωγιμότητα και μακρά διάρκεια ζωήςΧρησιμοποιείται ευρέως ως φορέας και πλακέτα σέτερ σε διαδικασίες συγκόλλησης υψηλής θερμοκρασίας, αναψύκνωσης και θερμικής επεξεργασίας σε ημιαγωγούς, ηλεκτρονικές κεραμικές,νέες βιομηχανίες ενέργειας και βιομηχανικές βιομηχανίες καυστήρωνΔιατίθενται προσαρμοσμένα σχήματα, δομές και βαθμίδες ακρίβειας για να ανταποκρίνονται στις ειδικές απαιτήσεις της διαδικασίας.
Βασικά τεχνικά χαρακτηριστικά
Προσαρμόσιμη δομή και ακρίβεια
Υποστηρίζει στρογγυλά, τετραγωνικά, ορθογώνια και ειδικά σχηματισμένα προφίλ.Η επεξεργασία ακριβείας είναι διαθέσιμη για την κάλυψη των απαιτήσεων υψηλής επίπεδητητας για τις διεργασίες ημιαγωγών.
Τυπικές προδιαγραφές
| Παράμετρος | Περιοχή προδιαγραφών |
|---|---|
| Κατηγορία υλικού | Αντιδραστικό συνδεδεμένο SiC (RBSiC); Ανακρυσταλλωμένο SiC (RSiC); Συνδεδεμένο με νιτρικό του πυριτίου SiC (N-SiC) |
| Σχήμα | Στρογγυλό, τετράγωνο, ορθογώνιο, ειδικό σχήμα |
| Διάμετρος (Στρογγυλό) | Ø50 mm Ø500 mm (μεγαλύτερα μεγέθη προσαρμόσιμα) |
| Μέγεθος (Διαμετρικό/Δικανάγωνο) | 50×50 mm ️ 400×400 mm (μεγαλύτερα μεγέθη προσαρμόσιμα) |
| Δάχος | 3 χιλιοστά |
| Ανεκτικότητα στην επίπεδη ύλη | ±0,05 mm ±0,2 mm (με βαθμό ακρίβειας) |
| Τελεία επιφάνειας | Ματ από καύση, λεπτό έδαφος, γυαλισμένο με ακρίβεια |
| Μέγιστη συνεχής θερμοκρασία εργασίας | 1400°C (RBSiC); 1650°C (RSiC); 1550°C (N-SiC) |
| Δυνατότητα κάμψης (Θερμοκρασία δωματίου) | 250-450 MPa (ανά κατηγορία υλικού) |
| Προαιρετικές δομές | Πλάκα πλάκας· Σηκωμένη από την άκρη· Πάνω επιφάνεια με αυλακώσεις· Τρύπες/Αυλακώσεις τοποθέτησης· Στάδιο που μπορεί να συσσωρεύεται |
![]()
Τυπικές εφαρμογές
1.Κατασκευή ημιαγωγών
Χρησιμοποιείται ως φορέας πλακιδίων για πλακίδια πυριτίου, πλακίδια σαφείρου και υπόστρωμα SiC σε διαδικασίες υψηλής θερμοκρασίας, συμπεριλαμβανομένης της αναψίξεως, οξείδωσης,διάχυση και χημική εναπόθεση ατμών χαμηλής πίεσης (LPCVD), εξασφαλίζοντας σταθερή τοποθέτηση των πλακών και ομοιόμορφη θέρμανση.
2.Ηλεκτρονική κεραμική βιομηχανία
Φορέας συντριβής για MLCC (πολυστρωτοί κεραμικοί πυκνωτές), κεραμικά υπόστρωμα, πιεζοηλεκτρική κεραμική, μαγνητικά υλικά φερριτίου και διηλεκτρικά εξαρτήματα,βελτίωση της συνέπειας συγκόλλησης και μείωση της παραμόρφωσης των προϊόντων.
3.Νέα Ενέργεια & Μπαταρία Λιθίου
Θερμική επεξεργασία και συσσωρευτικό δίσκο για υλικά καθοδικών/ανόδων μπαταριών λιθίου, στερεών ηλεκτρολυτών και υλικών φωτοβολταϊκών κυψελών, με εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση αλκαλίας για την κατηγορία N-SiC.
4.Βιομηχανικοί φούρνοι υψηλής θερμοκρασίας![]()
Χρησιμοποιείται στην συγκόλληση χάλυβα σε σκόνη, στη θερμική επεξεργασία μετάλλων, στα πειράματα υλικών υψηλής θερμοκρασίας και στα εξαρτήματα επένδυσης φούρνου.αντικατάσταση των παραδοσιακών δίσκων αλουμινίου και πολυλίτη για την σημαντική παράταση της ζωής.
5.Φωτοηλεκτρική βιομηχανία
Φορέας για μονοκρυσταλλικές πλάκες πυριτίου και φέτες ηλιακών κυψελών κατά τη διάρκεια διαδικασιών διάχυσης υψηλής θερμοκρασίας, αναψύκνωσης και επικάλυψης, υποστηρίζοντας την παραγωγή μεγάλων όγκων παρτίδων.
Έλεγχος ποιότητας
Εφαρμόζεται ένα πλήρες σύστημα διαχείρισης της ποιότητας της διαδικασίας από τον έλεγχο των πρώτων υλών έως την παράδοση του τελικού προϊόντος, με αυστηρά πρότυπα ελέγχου για κάθε παρτίδα προϊόντων.
1.Έλεγχος πρώτων υλών:
Χρησιμοποιείται σκόνη καρβιδίου του πυριτίου υψηλής καθαρότητας, με εισερχόμενη επιθεώρηση του μεγέθους των σωματιδίων, της καθαρότητας και της σύνθεσης για να εξασφαλιστεί η συνέπεια του υλικού.
2.Επιθεώρηση διαστάσεων:
Πλήρης επιθεώρηση των εξωτερικών διαστάσεων, του πάχους και της επίπεδης επιφάνειας με όργανα μέτρησης υψηλής ακρίβειας για τη διασφάλιση της συμμόρφωσης με τις απαιτήσεις ανοχής.
3.Διαλογή εμφάνισης και ελαττωμάτων:
100% οπτική επιθεώρηση για ρωγμές, θραύσματα άκρων, πόρους και ελαττώματα επιφάνειας για να εξασφαλιστεί η ανέπαφη εμφάνιση και η δομική ακεραιότητα.
4.Δοκιμή απόδοσης υλικού:
Τακτικές δοκιμές δειγματοληψίας της πυκνότητας, της αντοχής στην κάμψη και των επιδόσεων σε υψηλές θερμοκρασίες για την επαλήθευση της ποιότητας και της αξιοπιστίας του υλικού.![]()
5.Πληροφορίες ποιότητας:
Κάθε αποστολή παρέχεται με πιστοποιητικό ανάλυσης (COA) που καλύπτει τους βασικούς δείκτες διαστάσεων και επιδόσεων και οι εκθέσεις δοκιμών τρίτων είναι διαθέσιμες κατόπιν αιτήματος.
Γενικές ερωτήσεις
Ερώτηση 1:Πώς μπορώ να επιλέξω το σωστό βαθμό SiC για την αίτησή μου;
Α1:①Επιλέξτε το RBSiC για την ευαίσθητη στο κόστος συμβατική συγκόλληση, σε σενάρια μηχανικής φθοράς και θερμοκρασίες ≤1400°C
2Επιλέξτε RSiC για φούρνους υψηλής θερμοκρασίας άνω των 1500°C, αυστηρούς θερμικούς κύκλους και απαιτήσεις μακράς ζωής
3Επιλέξτε το N-SiC για υλικά μπαταριών λιθίου, κεραμική συγκόλληση με αλκαλική ατμόσφαιρα και υψηλές απαιτήσεις αντοχής
Ε2: Ποια ανοχή επίπεδης επιφάνειας και επιφάνειας μπορείτε να επιτύχετε;
Α2:①Τυποποιημένη ποιότητα καύσης: επίπεδα ±0,1 mm ±0,2 mm, ματ επιφάνεια
2Τοιχεία επεξεργασίας ακριβείας: επίπεδα ±0,05 mm, λεπτή επιφάνεια εδάφους
3Αυστηρής ακρίβειας κατηγορία ημιαγωγών: Σφιχτότερη επίπεδη επιφάνεια και γυαλισμένη επιφάνεια διαθέσιμα κατόπιν αιτήματος
Ε3: Ποια είναι η μέγιστη συνεχής θερμοκρασία λειτουργίας των δίσκων SiC;
Α3:Εξαρτάται από την ποιότητα του υλικού:
1RBSiC: 1400°C μακροχρόνια συνεχή χρήση
2RSiC: Μέχρι 1650°C μακροχρόνια, ιδανικό για φούρνους υπερ-υψηλής θερμοκρασίας
3N-SiC: Μέχρι 1550°C με εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση αλκαλίας Η βραχυπρόθεσμη κορυφαία θερμοκρασία μπορεί να είναι ελαφρώς υψηλότερη, αλλά η παρατεταμένη υπερθέρμανση μειώνει τη διάρκεια ζωής.
Ε4: Μπορούν τα δίσκια SiC να στοιβαχτούν στο φούρνο; Θα παραμορφωθούν υπό φορτίο;
Α4:Ναι, υπάρχουν διαθέσιμα σχήματα που μπορούν να συσσωρευτούν.διατηρούν τη σταθερότητα των διαστάσεων υπό στοιβαγμένο φορτίο σε υψηλή θερμοκρασία χωρίς χαλάρωση ή παραμόρφωση.
Ε: Δέχεστε παραγγελίες δειγμάτων; Ποια είναι η MOQ;
Α5:Ναι, οι παραγγελίες δειγμάτων είναι διαθέσιμες για τα δίσκια τυποποιημένου μεγέθους για την επαλήθευση της απόδοσης. Για τα τυποποιημένα προϊόντα, υποστηρίζεται χαμηλή MOQ. Για τα προσαρμοσμένα μεγέθη και τις ειδικές δομές, η MOQ εξαρτάται από την πολυπλοκότητα,Παρακαλώ επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεων μας για λεπτομέρειες.
Ε6: Ποιος είναι ο τυπικός χρόνος παράδοσης για τα δίσκια SiC;
Α6:Τα τυποποιημένα είδη αποθέματος μπορούν να αποσταλούν μέσα σε 3 7 εργάσιμες ημέρες. Τα τυποποιημένα τυποποιημένα μεγέθη χρειάζονται 10 20 εργάσιμες ημέρες.υπό την επιφύλαξη της ποσότητας της παραγγελίας και της πολυπλοκότητας της δομής.
Συγγενικά προϊόντα
![]()