logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso.
Υπόστρωμα SIC
Created with Pixso. Sic Wafer HPSI:High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Sic Wafer HPSI:High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Ονομασία μάρκας: ZMSH
Αριθμός μοντέλου: SiC Wafer HPSI
MOQ: 25
Τιμή: Fluctuates with market
Χρόνος παράδοσης: 2-4 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Σαγκάη, Κίνα
Πολυεκπόνιος:
Mainstream 4H-SiC
Διάμετρος:
Διατίθεται 4/6/8 ιντσών
Πάχος:
Τα τυπικά μεγέθη είναι 350μm, 500μm και 650μm
Αντίσταση:
≥1×10¹⁰ Ω・cm (ηλεκτρικές προδιαγραφές πυρήνα HPSI)
Επεξεργασία Επιφανειών:
Γυάλισμα καθρέφτη CMP μονής/διπλής όψης
Πυκνότητα Micropipe:
Βαθμός μαζικής παραγωγής ≤1 ea/cm²
Περιγραφή προϊόντων
Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high