Πληροφορίες για πλακέτες HPSI SiC

    Οι πλακέτες καρβιδίου του πυριτίου HPSI (High Purity Semi-Insulating) είναι κρίσιμες θεμελιώδεις υποστρώσεις για συσκευές GaN RF υψηλής συχνότητας και προηγμένα ημιαγωγούς τρίτης γενιάς. Με την ταχεία επέκταση της επικοινωνίας 5G, των ραντάρ χιλιοστομετρικού κύματος και των αγορών αεροδιαστημικής ηλεκτρονικής, η παγκόσμια αγορά υποστρωμάτων SiC αναμένεται να ξεπεράσει τα 2 δισεκατομμύρια USD έως το 2030, παίζοντας αναντικατάστατο στρατηγικό ρόλο στην ασύρματη επικοινωνία επόμενης γενιάς και σε συστήματα ηλεκτρονικών ισχύος. υψηλής ισχύος.

    Ανάντη: Σκόνη καρβιδίου του πυριτίου υψηλής καθαρότητας (βαθμός άνω του 6N), φούρνοι ανάπτυξης κρυστάλλων με φυσική μεταφορά ατμών (PVT) και εξαρτήματα θερμικού πεδίου γραφίτη υψηλής καθαρότητας. Ο εξοπλισμός ανάπτυξης κρυστάλλων υψηλής τεχνολογίας και οι πρώτες ύλες εξαιρετικά υψηλής καθαρότητας εξακολουθούν να αντιμετωπίζουν μερική εξάρτηση από εισαγωγές στην αλυσίδα βιομηχανίας. Μεσαίο τμήμα: Ανάπτυξη μονοκρυστάλλου SiC → διαμόρφωση ράβδου → κοπή με πολλαπλά σύρματα → λείανση → χημική μηχανική στίλβωση (CMP) → επεξεργασία επιφάνειας έτοιμης για επιταξία. Αυτό το τμήμα χαρακτηρίζεται από εξαιρετικά υψηλά τεχνικά εμπόδια, με την απόδοση κρυστάλλου και τον έλεγχο ελαττωμάτων ως βασικούς δείκτες ανταγωνιστικότητας. Κατάντη: Συσκευές ισχύος GaN RF (που αντιπροσωπεύουν το μεγαλύτερο μερίδιο κατανάλωσης HPSI SiC), ενισχυτές ισχύος σταθμών βάσης 5G, τσιπ ραντάρ χιλιοστομετρικού κύματος, εξαρτήματα αεροδιαστημικής ηλεκτρονικής, συσκευές μικροκυμάτων υψηλής συχνότητας και πρωτότυπα συσκευών ισχύος υψηλής τάσης. Η ζήτηση κατάντη συνεχίζει να αυξάνεται, οδηγούμενη από την αναβάθμιση της τεχνολογίας επικοινωνιών και τις νέες ενεργειακές και αμυντικές βιομηχανίες.

    Οι πλακέτες 4H HPSI SiC είναι ημιαγώγιμες μονοκρυσταλλικές υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου υψηλής καθαρότητας με <0001> κρυσταλλική προσανατολισμό, που παράγονται κυρίως με τη μέθοδο ανάπτυξης κρυστάλλων Φυσικής Μεταφοράς Ατμών (PVT). Η ημιαγώγιμη ιδιότητα επιτυγχάνεται μέσω ελέγχου εξαιρετικά υψηλής καθαρότητας και τεχνολογίας ντόπινγκ βαναδίου, επιτυγχάνοντας εξαιρετικά υψηλή ειδική αντίσταση. Η επιφάνεια έτοιμη για επιταξία υφίσταται στίλβωση CMP ακριβείας για να επιτευχθεί λείανση ατομικού επιπέδου, πληρώντας τις αυστηρές απαιτήσεις επιταξίας MOCVD GaN.

Βασικά Χαρακτηριστικά

Υλικό SiC Ημιαγώγιμο Υψηλής Καθαρότητας

    Οι πλακέτες HPSI SiC μας κατασκευάζονται από μονοκρυσταλλικό καρβίδιο του πυριτίου υψηλής καθαρότητας βαθμού 6N (4H-SiC), ειδικά αναπτυγμένο για περιβάλλοντα κατασκευής ημιαγωγών RF υψηλής συχνότητας και υψηλής τεχνολογίας. Το υλικό διαθέτει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, εξαιρετικά υψηλή ηλεκτρική ειδική αντίσταση, εξαιρετική αντοχή στη χημική διάβρωση και ανώτερη μηχανική αντοχή, διατηρώντας σταθερή ηλεκτρική και φυσική απόδοση υπό συνθήκες επιταξίας υψηλής θερμοκρασίας, λειτουργίας υψηλής ισχύος και σκληρών συνθηκών επεξεργασίας πλάσματος.

Πολλαπλές Επιλογές Πολυτύπων & Προσανατολισμού για Διαφορετικές Συσκευές

    Τα υποστρώματα SiC διατίθενται σε κύριους πολυτύπους και κρυσταλλικούς προσανατολισμούς για να ταιριάζουν με διαφορετικές απαιτήσεις συσκευών ημιαγωγών. Το 4H-SiC είναι η κυρίαρχη επιλογή για συσκευές RF και ισχύος με ισορροπημένη κινητικότητα ηλεκτρονίων και σταθερότητα υλικού. Οι επιλογές 6H-SiC καλύπτουν ειδικά σενάρια οπτοηλεκτρονικών συσκευών και συσκευών υψηλής θερμοκρασίας. Διατίθενται προσαρμοσμένες προδιαγραφές εκτός γωνίας (π.χ., 4° εκτός άξονα) για τη βελτιστοποίηση της ποιότητας της επιταξιακής στρώσης και της απόδοσης της συσκευής.

Εξαιρετικά Ακριβής Στίλβωση CMP & Απόδοση Επιπεδότητας

    Διατίθεται σε βαθμούς SSP (Single Side Polished) και DSP (Double Side Polished) για να ταιριάζει με διαφορετικά σενάρια διαδικασίας. Οι επιφάνειες που έχουν στυλβωθεί με CMP έτοιμες για επιταξία επιτυγχάνουν εξαιρετικά χαμηλή τραχύτητα επιφάνειας Ra < 0.1 nm, με αυστηρά ελεγχόμενες τιμές TTV, BOW και WARP. Η ατομικού επιπέδου λεία, χωρίς ελαττώματα επιφάνεια πληροί τέλεια τα πρότυπα ανάπτυξης επιταξίας MOCVD GaN, διασφαλίζοντας ομοιόμορφη εναπόθεση επιταξιακής στρώσης και υψηλή συνέπεια της απόδοσης RF της συσκευής.

Εξαιρετικές Ηλεκτρικές & Θερμικές Ιδιότητες

    Τα υποστρώματα HPSI SiC παρέχουν εξαιρετικά υψηλή ειδική αντίσταση (≥ 1×10¹⁰ Ω·cm) και εξαιρετικά χαμηλή διηλεκτρική απώλεια, εξαλείφοντας αποτελεσματικά τη διασταύρωση σημάτων και τη διαρροή για συσκευές RF υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος. Με θερμική αγωγιμότητα 3–4 φορές υψηλότερη από το ζαφείρι, προσφέρουν εξαιρετική ικανότητα απαγωγής θερμότητας, βελτιώνοντας σημαντικά την πυκνότητα ισχύος της συσκευής και τη μακροπρόθεσμη αξιοπιστία υπό λειτουργία υψηλού φορτίου.

Προσαρμοσμένη Κατασκευή Υποστρωμάτων Ακριβείας

    Οι προδιαγραφές των υποστρωμάτων μπορούν να προσαρμοστούν πλήρως σύμφωνα με τις τεχνικές απαιτήσεις του πελάτη, συμπεριλαμβανομένων:

• Διάμετρος πλακέτας: 2 / 4 / 6 / 8 ίντσες
• Τυπικό & προσαρμοσμένο πάχος
• Πολύτυπος κρυστάλλου & ακριβής εκτός γωνίας
• Λειτουργίες στίλβωσης SSP / DSP
• Αντοχή τραχύτητας επιφάνειας & επιπεδότητας
• Κοπή άκρων & φινίρισμα άκρων
• Σχεδιασμός θέσης κύριας επίπεδης ακμής / εγκοπής
• Βαθμός καθαριότητας & διαδικασία ακριβείας καθαρισμού

Λειτουργική Επεξεργασία & Προσαρμοσμένες Υπηρεσίες Προστιθέμενης Αξίας

    Εκτός από τις τυπικές πλακέτες SiC χωρίς επίστρωση, παρέχουμε προσαρμοσμένη λειτουργική επεξεργασία πλήρους διαδικασίας για την υποστήριξη διαφοροποιημένων εφαρμογών πελατών. Οι διαθέσιμες υπηρεσίες περιλαμβάνουν:

• Ανάπτυξη επιταξιακής στρώσης (GaN / AlGaN σε SiC)
• Πλήρης / τοπική μεταλλοποίηση (επίστρωση Ti / Ni / Au / Cr)
• Επεξεργασία λεπτότητας υπερβολικά λεπτών πλακετών & ανακούφισης τάσεων
• Κοπή υψηλής ακρίβειας, διάτρηση και ειδική διαμόρφωση
• Προσαρμοσμένο φινίρισμα επιφάνειας (στίλβωση / λείανση / χάραξη)
• Αυστηρός ποιοτικός έλεγχος και πλήρης πιστοποίηση COA

Προσαρμοσμένες Λύσεις Υποστρωμάτων Αντικατάστασης & Βαθμού OEM

    Υποστηρίζουμε την προσαρμοσμένη ανάπτυξη και παραγωγή πλακετών SiC βάσει σχεδίων πελατών, δειγμάτων αναφοράς, παραμέτρων διαδικασίας εξοπλισμού, προδιαγραφών υπαρχόντων εξαρτημάτων και απαιτήσεων αντίστροφης μηχανικής. Όλα τα προϊόντα συμμορφώνονται με τα πρότυπα RoHS και REACH, παρέχοντας σταθερές λύσεις υποστρωμάτων υψηλής απόδοσης για αναβάθμιση διαδικασιών ημιαγωγών, αντιστοίχιση εξοπλισμού και έργα τοπικής αντικατάστασης.

Τυπικές Εφαρμογές

    Οι πλακέτες HPSI SiC είναι βασικές θεμελιώδεις υποστρώσεις που υιοθετούνται ευρέως στις βιομηχανίες επικοινωνιών RF και προηγμένων ημιαγωγών, εφαρμόσιμες για τις ακόλουθες συσκευές και διαδικασίες κατασκευής:

• Κατασκευή ενισχυτών ισχύος GaN και συσκευών HEMT
• Τσιπ μπροστινού άκρου RF σταθμών βάσης 5G / 6G
• Τσιπ ραντάρ χιλιοστομετρικού κύματος και ραντάρ αυτοκινήτων
• Εξαρτήματα δορυφορικών επικοινωνιών και αεροδιαστημικής ηλεκτρονικής
• Ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων και χιλιοστομετρικού κύματος (MMIC)
• Έρευνα και ανάπτυξη και πρωτοτυποποίηση συσκευών ηλεκτρονικών ισχύος υψηλής συχνότητας
• Συστήματα ηλεκτρονικών άμυνας και ραντάρ φάσης
• Συσκευασία ημιαγωγών ανθεκτικών σε υψηλές θερμοκρασίες
• Εξοπλισμός κενού ημιαγωγών και μονωτικά μέρη υψηλής θερμοκρασίας
• Συσκευασία συσκευών RF υψηλής ισχύος και υποστρώματα θερμικής διαχείρισης

    Τα υποστρώματα HPSI SiC έχουν εμπορευματοποιηθεί μαζικά για κύρια σενάρια RF και υψηλής τεχνολογίας ημιαγωγών, χαρακτηρίζονται από σταθερή συνέπεια παρτίδας, χαμηλό ρυθμό ελαττωμάτων και εξαιρετική συμβατότητα διαδικασιών.

Προδιαγραφές Προϊόντος

Γιατί να επιλέξετε πλακέτες HPSI SiC για Εφαρμογές Ημιαγωγών & RF;

    Οι πλακέτες καρβιδίου του πυριτίου HPSI είναι βασικές θεμελιώδεις υποστρώσεις που εφαρμόζονται ευρέως στην επιταξία GaN RF, την κατασκευή συσκευών υψηλής συχνότητας και τα συστήματα ηλεκτρονικών μικροκυμάτων. Λειτουργώντας ως φορέας για την ανάπτυξη επιταξιακών στρώσεων GaN, AlGaN και άλλων, λειτουργούν σε ακραία περιβάλλοντα κατασκευής που χαρακτηρίζονται από υψηλή θερμοκρασία, υψηλή πυκνότητα ισχύος, ισχυρή διάβρωση πλάσματος και ηλεκτρομαγνητικά πεδία υψηλής συχνότητας.

Σε σύγκριση με τα παραδοσιακά υλικά υποστρωμάτων από ζαφείρι, πυρίτιο και κοινά κεραμικά, τα ημιαγώγιμα υποστρώματα SiC υψηλής καθαρότητας ενσωματώνουν ανώτερες ολοκληρωμένες φυσικές και ηλεκτρικές ιδιότητες, καθιστώντας τα αναντικατάστατα για διαδικασίες ημιαγωγών RF υψηλής τεχνολογίας και υψηλής ισχύος. Τα βασικά πλεονεκτήματα περιλαμβάνουν:

• Εξαιρετικά υψηλή θερμική αγωγιμότητα: Με θερμική αγωγιμότητα έως 490 W/m·K, 3–4 φορές υψηλότερη από το ζαφείρι και 10 φορές υψηλότερη από το πυρίτιο, διαχέει αποτελεσματικά τη θερμότητα που παράγεται από συσκευές υψηλής ισχύος, βελτιώνοντας σημαντικά την πυκνότητα ισχύος και τη διάρκεια ζωής της συσκευής.
• Αντοχή σε ακραία υψηλές θερμοκρασίες: Με σημείο τήξης έως 2700°C, διατηρεί σταθερή κρυσταλλική δομή και διαστατική ακρίβεια υπό μακροχρόνια επιταξία υψηλής θερμοκρασίας και λειτουργία υψηλής ισχύος, αποφεύγοντας αποτελεσματικά την παραμόρφωση του υποστρώματος και την υποβάθμιση της απόδοσης της συσκευής.
• Εξαιρετικά υψηλή ημιαγώγιμη απόδοση: Με ειδική αντίσταση άνω του 1×10¹⁰ Ω·cm και εξαιρετικά χαμηλή διηλεκτρική απώλεια, παρέχει αξιόπιστη ηλεκτρική απομόνωση για συσκευές RF υψηλής συχνότητας, μειώνοντας αποτελεσματικά τη διασταύρωση σημάτων και την απώλεια εισαγωγής.
• Ανώτερη χημική αδράνεια: Είναι ανθεκτικό στη διάβρωση από διάφορα όξινα, αλκαλικά και αντιδραστικά αέρια διεργασίας που χρησιμοποιούνται στην κατασκευή ημιαγωγών, χωρίς χημική αντίδραση ή επιφανειακή υποβάθμιση, διασφαλίζοντας συνθήκες εξαιρετικά καθαρής διεργασίας.
• Εξαιρετική αντοχή σε πλάσμα και ακτινοβολία: Αντέχει σε μακροχρόνια βομβαρδισμό πλάσματος και ακτινοβολία υψηλής ενέργειας σε διαδικασίες εναπόθεσης λεπτών υμενίων και χάραξης, με χαμηλό ρυθμό επιφανειακής ζημιάς και σταθερή απόδοση.
• Υψηλή μηχανική αντοχή και σκληρότητα: Με σκληρότητα Mohs 9.5, δεύτερη μόνο μετά το διαμάντι, προσφέρει εξαιρετική αντοχή στη φθορά και δομική σταθερότητα, αντέχοντας σε μηχανικές ζημιές και παραμορφώσεις κατά την επεξεργασία ακριβείας και την ανάπτυξη λεπτών υμενίων.
• Μακροπρόθεσμη ανθεκτικότητα διαδικασίας: Διατηρεί σταθερή επιφανειακή επιπεδότητα και κρυσταλλική ποιότητα σε επαναλαμβανόμενες και αυστηρές διαδικασίες παραγωγής ημιαγωγών, μειώνοντας σημαντικά τη συχνότητα αντικατάστασης υποστρώματος και το κόστος παραγωγής.

    Για τους παραπάνω λόγους, τα υποστρώματα HPSI SiC έχουν γίνει το προτιμώμενο κύριο υλικό για συσκευές GaN RF, τσιπ επικοινωνιών χιλιοστομετρικού κύματος, αεροδιαστημική ηλεκτρονική και άλλα βασικά εξαρτήματα ημιαγωγών.

Προσαρμοσμένη Κατασκευή Πλακετών SiC

    Ειδικευόμαστε στην προσαρμοσμένη και τυποποιημένη κατασκευή πλακετών HPSI SiC για εξοπλισμό επικοινωνιών RF και προηγμένων ημιαγωγών, εστιάζοντας σε λύσεις υψηλής ακρίβειας προσαρμοσμένες για βιομηχανική παραγωγή και εργαστηριακή έρευνα και ανάπτυξη. Σπάμε τους περιορισμούς των σταθερών τυπικών προδιαγραφών και προσαρμόζουμε τις πλακέτες πλήρως σύμφωνα με τις πραγματικές παραμέτρους διαδικασίας των πελατών, τις απαιτήσεις αντιστοίχισης εξοπλισμού και τα πρότυπα σχεδιασμού συσκευών.

    Οι ολοκληρωμένες επιλογές προσαρμογής καλύπτουν παραμέτρους πλακέτας πλήρους διαδικασίας και υποστηρικτικές δομές:

Βασικές Παράμετροι Πλακέτας SiC

• Διάμετρος πλακέτας (2/4/6/8 ίντσες και ειδικά προσαρμοσμένα μεγέθη)
• Πάχος πλακέτας
• Πολύτυπος κρυστάλλου (4H-SiC, 6H-SiC) και προδιαγραφή εκτός γωνίας
• Προδιαγραφές σχήματος άκρου και κοπής
• Σχεδιασμός θέσης επίπεδης ακμής / εγκοπής
• Τραχύτητα επιφάνειας και επιπεδότητα
• Απαιτήσεις στίλβωσης διπλής / μονής όψης
• Επεξεργασία επιφάνειας εξαιρετικά καθαρής και ανακούφισης τάσεων

Αντιστοίχιση Δομικών Εξαρτημάτων

• Προσαρμογή μεγέθους βάσης στήριξης πλακέτας
• Επεξεργασία οπών και αυλακώσεων θέσης
• Μεταλλική βάση αντιστοίχισης και δομή μανικιού
• Προδιαγραφές διεπαφής τοποθέτησης και στερέωσης
• Ολοκληρωμένη συναρμολόγηση πλακέτας και βοηθητικών μερών

    Μπορούμε να παρέχουμε ολοκληρωμένα εξαρτήματα συναρμολογημένα με πλακέτες SiC και αντιστοιχισμένα μεταλλικά/κεραμικά μέρη για να καλύψουμε τις ανάγκες άμεσης εγκατάστασης και χρήσης των πελατών.

    Υπηρεσία Αντικατάστασης & Αντίστροφης Μηχανικής

    Για διακοπείσες πλακέτες SiC, δυσπρόσιτα πρωτότυπα εξαρτήματα και προσαρμοσμένα υποστρώματα μη τυπικών προδιαγραφών για ειδικό εξοπλισμό ημιαγωγών, παρέχουμε επαγγελματικές υπηρεσίες αντίστροφης μηχανικής και κατασκευής αντικατάστασης. Οι πελάτες μπορούν να παρέχουν τις ακόλουθες πληροφορίες για αξιολόγηση και προσφορά:

• Αριθμός εξαρτήματος πρωτότυπου εξοπλισμού
• Λεπτομερή τεχνικά σχέδια και προδιαγραφές παραμέτρων
• Σαφείς φωτογραφίες προϊόντων και φυσικά δείγματα (νέα/μεταχειρισμένα)
• Βασικά δεδομένα διαστάσεων και κρυσταλλικών παραμέτρων
• Πληροφορίες μοντέλου και παρτίδας υποστηρικτικού εξοπλισμού
• Συγκεκριμένα σενάρια εφαρμογής και παράμετροι περιβάλλοντος διεργασίας

    Η επαγγελματική ομάδα μηχανικών μας θα πραγματοποιήσει ολοκληρωμένη αξιολόγηση της δομής της πλακέτας, της κρυσταλλικής απόδοσης, της δυσκολίας επεξεργασίας και της εφικτότητας κατασκευής πριν από την επίσημη προσφορά. Όλες οι προσαρμοσμένες πλακέτες αντικατάστασης θα βελτιστοποιηθούν για συμβατότητα διαδικασίας. Η τελική απόδοση αντιστοίχισης θα επιβεβαιωθεί σύμφωνα με την πραγματική διαμόρφωση εξοπλισμού των πελατών και τα πρότυπα διαδικασίας παραγωγής για να διασφαλιστεί μηδενική διαφορά στο αποτέλεσμα χρήσης.

Ποιοτικός Έλεγχος

    Εφαρμόζουμε ποιοτικό έλεγχο ακριβείας πλήρους διαδικασίας για όλες τις πλακέτες HPSI SiC, και μπορούμε να παρέχουμε στοχευμένα στοιχεία ελέγχου και πλήρεις αναφορές δοκιμών σύμφωνα με τις απαιτήσεις του έργου του πελάτη και τα βιομηχανικά πρότυπα. Τα βασικά περιεχόμενα ελέγχου περιλαμβάνουν:

• Πλήρης έλεγχος ακριβείας διαστάσεων (διάμετρος, πάχος, βαθμονόμηση ανοχής)
• Ανίχνευση ακρίβειας κρυσταλλικού προσανατολισμού και πολυτύπου
• Δοκιμή επιπεδότητας επιφάνειας, παραμόρφωσης και τραχύτητας
• Έλεγχος πυκνότητας μικροσωλήνων και πυκνότητας ελαττωμάτων
• Δοκιμή ειδικής αντίστασης και ηλεκτρικής απόδοσης
• Οπτικός έλεγχος ελαττωμάτων (γρατζουνιές, λακκούβες, ρωγμές, εγκλείσματα)
• Ανίχνευση καθαριότητας και επιφανειακής τάσης
• Έλεγχος επαγγελματικής συσκευασίας κατά της σύγκρουσης και της σκόνης

    Μπορούν να παρασχεθούν επίσημες αναφορές ελέγχου με πλήρη δεδομένα δοκιμών για την υποστήριξη της επαλήθευσης εισερχόμενων υλικών του πελάτη και της ιχνηλασιμότητας ποιότητας παραγωγής.

Τι Πληροφορίες Πρέπει να Στείλετε για Προσφορά;

    Για να διασφαλιστεί ακριβής προσφορά και να μειωθεί ο κύκλος παράδοσης, παρακαλούμε να παρέχετε τις ακόλουθες λεπτομερείς πληροφορίες κατά τη διαβούλευση:

• Πλήρη τεχνικά σχέδια προϊόντων και φύλλα παραμέτρων
• Απαιτήσεις διαμέτρου πλακέτας, πάχους και ανοχής
• Προδιαγραφές πολυτύπου κρυστάλλου, προσανατολισμού και εκτός γωνίας
• Απαιτήσεις φινιρίσματος επιφάνειας, βαθμού στίλβωσης και καθαριότητας
• Παράμετροι αντιστοίχισης βοηθητικών εξαρτημάτων (εάν υπάρχουν)
• Μάρκα εξοπλισμού, μοντέλο και συνθήκες υποστηρικτικής διαδικασίας
• Αριθμός εξαρτήματος πρωτότυπου OEM (εάν είναι διαθέσιμος)
• Απαιτούμενη ποσότητα και ζήτηση παρτίδας
• Συγκεκριμένη διαδικασία εφαρμογής και απαιτήσεις ακραίου περιβάλλοντος

    Εάν δεν υπάρχουν πλήρη τεχνικά σχέδια, παρακαλούμε να παρέχετε σαφείς φωτογραφίες υψηλής ευκρίνειας και φυσικά δείγματα της πλακέτας για να πραγματοποιήσει η ομάδα μας δοκιμές παραμέτρων και αξιολόγηση σχεδίου.

Συχνές Ερωτήσεις

Για τι χρησιμοποιούνται κυρίως οι πλακέτες HPSI SiC;

    Οι πλακέτες HPSI (High Purity Semi-Insulating) SiC είναι βασικές υποστρώσεις φορέα για την κατασκευή συσκευών RF υψηλής συχνότητας και προηγμένων ημιαγωγών, που χρησιμοποιούνται κυρίως σε ενισχυτές ισχύος GaN RF, τσιπ σταθμών βάσης 5G, ραντάρ χιλιοστομετρικού κύματος, αεροδιαστημική ηλεκτρονική, MMIC μικροκυμάτων και άλλους τομείς, κατάλληλες για επιταξία υψηλής θερμοκρασίας, εναπόθεση λεπτών υμενίων και διαδικασίες χάραξης ακριβείας.

Μπορείτε να παρέχετε προσαρμοσμένα ολοκληρωμένα εξαρτήματα συναρμολόγησης πλακετών;

    Ναι. Εκτός από μεμονωμένα υποστρώματα πλακετών SiC, μπορούμε να προσαρμόσουμε διάφορες αντιστοιχισμένες βάσεις, μεταλλικές βάσεις, εξαρτήματα θέσης και ολοκληρωμένα συναρμολογημένα εξαρτήματα σύμφωνα με σχέδια και απαιτήσεις δειγμάτων, πραγματοποιώντας μονοαπευθυντική υποστηρικτική προμήθεια.

Μπορείτε να παράγετε πλακέτες αντικατάστασης για παλιό και ειδικό εξοπλισμό;

    Ναι. Υποστηρίζουμε πλήρως προσαρμοσμένη κατασκευή, συμπεριλαμβανομένης της παραγωγής βάσει σχεδίων και της αντίστροφης μηχανικής δειγμάτων. Οι πελάτες μπορούν να παρέχουν αριθμούς πρωτότυπων εξαρτημάτων, τεχνικές παραμέτρους, φυσικά δείγματα και πληροφορίες εξοπλισμού, και η ομάδα μας θα ολοκληρώσει την αντιστοίχιση απόδοσης και την εναλλακτική κατασκευή.

Μπορούν να προσαρμοστούν όλες οι βασικές παράμετροι των πλακετών SiC;

    Ναι. Όλες οι βασικές παράμετροι, συμπεριλαμβανομένου του μεγέθους πλακέτας, του πάχους, του πολυτύπου κρυστάλλου, της επεξεργασίας άκρων, της τραχύτητας επιφάνειας, της επιπεδότητας και του βαθμού στίλβωσης, μπορούν να προσαρμοστούν πλήρως σύμφωνα με τις απαιτήσεις διαδικασίας του πελάτη για να καλύψουν εξατομικευμένες ανάγκες έρευνας και ανάπτυξης και παραγωγής.

Υποστηρίζετε παραγγελίες μικρών παρτίδων και πρωτοτύπων;

    Ναι. Υποστηρίζουμε πλήρως την ανάπτυξη πρωτοτύπων, τις δοκιμές μικρών παρτίδων εργαστηρίου, την αντικατάσταση συντήρησης εξοπλισμού και τις παραγγελίες μαζικής παραγωγής. Θα αξιολογήσουμε το σχέδιο παραγωγής και την προσφορά σύμφωνα με τις προσαρμοσμένες παραμέτρους και τη δυσκολία επεξεργασίας.

Σχετικά προϊόντα

Χρησιμοποιείται για LED, ημιαγωγούς, λέιζερ και οπτικά όργανα υψηλής καθαρότητας κρυστάλλους ζαφειριού

Πλακέτα 6 ιντσών τύπου N 6H καρβιδίου του πυριτίου, πάχους 350 μικρομέτρων, για MEMS και αισθητήρες υπεριώδους ακτινοβολίας