λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Σπίτι ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Πρωταθλήτρια 300 mm Διαμέτρου 4H Πολυτύπου N-τύπου Ντόπινγκ Υπόστρωμα Καρβιδίου του Σίλικου για Συσκευές Μεγάλης Δύναμης

Πρωταθλήτρια 300 mm Διαμέτρου 4H Πολυτύπου N-τύπου Ντόπινγκ Υπόστρωμα Καρβιδίου του Σίλικου για Συσκευές Μεγάλης Δύναμης

Ονομασία μάρκας:	ZMSH
MOQ:	50
Χρόνος παράδοσης:	2-4 ΕΒΔΟΜΑΔΕΣ
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Σαγκάη, Κίνα

Πολυεκπόνιος:

Τύπος ντόπινγκ:

N-Τύπος

Διάμετρος:

300 ± 0,5 mm

Πάχος:

Πράσινο: 600 ± 100 μm / Διαφανές: 700 ± 100 μm

Προσανατολισμός επιφάνειας:

4° προς <11-20> ± 0,5°

Πρωταρχικό διαμέρισμα:

Εγκοπή / Πλήρης γύρος

Βάθος εγκοπής:

1 – 1,5 χλστ

Συνολική διακύμανση πάχους (TTV):

≤ 10 μm

Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD):

≤ 5 ea/cm²

Επισημαίνω:

Υπόστρωμα SiC διαμέτρου 300mm

Υπόστρωμα 4H Polytype Carbide Silicon

Γκοφρέτα SiC 12 ιντσών ντόπινγκ τύπου Ν

Περιγραφή προϊόντων

Προνομιακές λύσεις υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου (SiC) 12 ιντσών (300 mm)

Υψηλής ποιότητας υποστρώματα καρβιδίου πυριτίου 4H-N (12-ιντσών/300mm) για συσκευές υψηλής ισχύος

Πλήρης εισαγωγή του προϊόντος

Το υπόστρωμα από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) μήκους 12 ιντσών (300 mm) αντιπροσωπεύει το σημερινό σύνορο στην τεχνολογία ημιαγωγών ευρείας ζώνης (WBG).Καθώς η παγκόσμια βιομηχανία μεταβαίνει προς υψηλότερη αποδοτικότητα και υψηλότερη πυκνότητα ενέργειας, αυτή η κρυσταλλική πλατφόρμα μεγάλου διαμέτρου παρέχει την απαραίτητη βάση για την επόμενη γενιά ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος και συστημάτων ραδιοσυχνοτήτων.

Βασικά στρατηγικά πλεονεκτήματα

Μαζική απόδοση:Σε σύγκριση με τις συμβατικές πλάκες 150 mm (6 ίντσες) και 200 mm (8 ίντσες), το μορφότυπο 300 mm προσφέρει περισσότερο από 2,2x και 1,5x την χρήσιμη επιφάνεια, αντίστοιχα.
Βελτιστοποίηση κόστους:Μειώνει δραματικά το κόστος ανά πετσέτα με τη μεγιστοποίηση του αριθμού των τσιπ που παράγονται ανά κύκλο παραγωγής.
Προχωρημένη συμβατότητα:Είναι πλήρως συμβατό με σύγχρονες, πλήρως αυτοματοποιημένες γραμμές κατασκευής ημιαγωγών 300 mm (Fabs), βελτιώνοντας τη συνολική λειτουργική απόδοση.

Προσφορές κατηγορίας προϊόντος

Κατηγορία παραγωγής 4H SiC τύπου N:Σχεδιασμένο για κατασκευή υψηλής απόδοσης, εμπορικής ποιότητας συσκευών ενέργειας.
4H SiC τύπου N για εικονικά:Μια οικονομικά αποδοτική λύση για μηχανικές δοκιμές, βαθμονόμηση εξοπλισμού και επικύρωση θερμικών διεργασιών.
4H SiC ημιμονωτικό (SI) βαθμός παραγωγής:Σχεδιασμένο ειδικά για εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων, ραντάρ και μικροκυμάτων που απαιτούν ακραία αντίσταση.

Βαθύτερα χαρακτηριστικά του υλικού

4H-N καρβίδιο πυριτίου (οδηγός τύπου)

Ο πολυτύπος 4H-N είναι μια εξαγωνική κρυσταλλική δομή με νιτρογόνο, γνωστή για τις ισχυρές φυσικές ιδιότητές της.

Ηλεκτρικό πεδίο υψηλής διάσπασης:Επιτρέπει τον σχεδιασμό λεπτότερων, πιο αποδοτικών συσκευών υψηλής τάσης.
Ανώτερη θερμική αγωγιμότητα:Επιτρέπει στις μονάδες υψηλής ισχύος να λειτουργούν με απλοποιημένα συστήματα ψύξης.
Εξαιρετική θερμική σταθερότητα:Διατηρεί σταθερές ηλεκτρικές παραμέτρους ακόμη και σε σκληρά περιβάλλοντα άνω των 200 °C.
Χαμηλή αντίσταση:Βελτιστοποιημένο για κάθετες δομές ισχύος όπως SiC MOSFETs και SBDs.

Καρβίδιο πυριτίου 4H-SI (πολυμονωτικός τύπος)

Τα υποστρώματα SI χαρακτηρίζονται από εξαιρετικά υψηλή αντίσταση και ελάχιστα κρυσταλλικά ελαττώματα.

Εξαιρετική ηλεκτρική μόνωση:Απομακρύνει την παράσιτη αγωγιμότητα του υποστρώματος.
Ακεραιότητα σήματος:Ιδανικό για εφαρμογές μικροκυμάτων υψηλής συχνότητας όπου η χαμηλή απώλεια σήματος είναι κρίσιμη.

Προηγμένη διαδικασία ανάπτυξης κρυστάλλων και κατασκευής

Η διαδικασία κατασκευής μας είναι κάθετα ολοκληρωμένη για να διασφαλιστεί ο συνολικός έλεγχος ποιότητας από την πρώτη ύλη μέχρι το τελικό πλακάκι.

Ανάπτυξη υπολίμανσης (μέθοδος PVT):Οι κρυστάλλοι των 12 ιντσών καλλιεργούνται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο Physical Vapor Transport (PVT).Η σκόνη SiC υψηλής καθαρότητας υπολιμίζεται σε θερμοκρασίες άνω των 2000 °C υπό ακριβώς ελεγχόμενο κενό και θερμική κλίση, ανακρυσταλλώνονται σε υψηλής ποιότητας κρυστάλλους σπόρων.
Ακριβής κοπή και διαμόρφωση προφίλ άκρων:Μετά την ανάπτυξη, οι κρυστάλλινες ίνες κόβονται σε πλακίδια χρησιμοποιώντας προηγμένο διαμαντένιο πριονιστικό πριόνι.Η επεξεργασία του άκρου περιλαμβάνει ακριβή διατριβή για την πρόληψη των θραύσεων και τη βελτίωση της μηχανικής ανθεκτικότητας κατά το χειρισμό.
Μηχανική επιφάνειας (CMP):Ανάλογα με την εφαρμογή, χρησιμοποιούμε τη Χημική Μηχανική Λούξευση (CMP) στο Si-face.απομάκρυνση όλων των υποεπιφανειακών βλαβών για τη διευκόλυνση υψηλής ποιότητας επιταξιακής ανάπτυξης.

Τεχνικές προδιαγραφές και μήτρα ανοχής

Άρθρο	Παραγωγή τύπου N	Κούκλος τύπου N	Παραγωγή τύπου SI
Πολυτύπος	4H	4H	4H
Τύπος ντόπινγκ	Αζώτο (τύπου N)	Αζώτο (τύπου N)	Τεχνικές συσκευές
Διάμετρος	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm
Δάχος (πράσινο/Trans)	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm
Προσανατολισμός επιφάνειας	4.0° προς <11-20>	4.0° προς <11-20>	4.0° προς <11-20>
Ακριβότητα προσανατολισμού	± 0,5°	± 0,5°	± 0,5°
Πρωταρχικό διαμέρισμα	Σημείο / Πλήρης στροφή	Σημείο / Πλήρης στροφή	Σημείο / Πλήρης στροφή
Βαθμός εγκοπής	1.0 - 1,5 mm	1.0 - 1,5 mm	1.0 - 1,5 mm
Πλατνότητα (TTV)	≤ 10 μm	Α/Χ	≤ 10 μm
Σφιχτότητα μικροσωλήνων (MPD)	≤ 5 μe/cm2	Α/Χ	≤ 5 μe/cm2
Τελεία επιφάνειας	Επι- έτοιμος (CMP)	Στρίψιμο ακριβείας	Επι- έτοιμος (CMP)
Επεξεργασία άκρων	Στρογγυλοειδείς	Χωρίς Τσάμφερ	Στρογγυλοειδείς
Επιθεώρηση ρωγμών	Κανένας (εκτός 3 mm)	Κανένας (εκτός 3 mm)	Κανένας (εκτός 3 mm)

Πρωταθλήτρια 300 mm Διαμέτρου 4H Πολυτύπου N-τύπου Ντόπινγκ Υπόστρωμα Καρβιδίου του Σίλικου για Συσκευές Μεγάλης Δύναμης 1

Διασφάλιση ποιότητας και μετρολογία

Χρησιμοποιούμε ένα πρωτόκολλο επιθεώρησης πολλών βημάτων για να εγγυηθούμε συνεπή απόδοση στην γραμμή παραγωγής σας:

Οπτική Μετρολογία:Αυτοματοποιημένη μέτρηση γεωμετρίας επιφάνειας για TTV, πλώρη και δίνη.
Κρυσταλλική αξιολόγηση:Έλεγχος με πόλικο φως για περιλήψεις πολυτύπου και ανάλυση στρες.
Σκανάρισμα ελαττωμάτων επιφάνειας:Υψηλής έντασης φως και διάχυση λέιζερ για την ανίχνευση γρατζουνιών, λάκκων και τσιπς άκρων.
Ηλεκτρική χαρακτηριστική:Χωρίς επαφή χαρτογράφηση αντίστασης σε όλη την κεντρική 8 ίντσες και πλήρη 12 ίντσες ζώνες.

Πρωταγωνιστικές εφαρμογές στον κλάδο

Ηλεκτρικά οχήματα (EV):Κρίσιμο για τους μετατροπείς έλξης, τους σταθμούς ταχείας φόρτισης 800V και τους ενσωματωμένους φορτιστές (OBC).
Ανανεώσιμη ενέργεια:Μετατροπείς φωτοβολταϊκής ενέργειας υψηλής απόδοσης, μετατροπείς αιολικής ενέργειας και συστήματα αποθήκευσης ενέργειας (ESS).
Έξυπνο Grid:Μεταφορά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης (HVDC) και κινητήρες βιομηχανικών κινητήρων.
Τηλεπικοινωνίες:Μακρο σταθμοί 5G/6G, ενισχυτές ισχύος ραδιοσυχνοτήτων και δορυφορικές συνδέσεις.
Αεροδιαστημική και Άμυνα:Υψηλής αξιοπιστίας τροφοδοσίες για ακραία αεροδιαστημικά περιβάλλοντα.

Συχνές ερωτήσεις (FAQ)

Ερώτηση 1: Πώς το 12 ιντσών υπόστρωμα SiC βελτιώνει το ROI μου;

Α: Με την παροχή μιας πολύ μεγαλύτερης επιφάνειας, μπορείτε να κατασκευάσετε σημαντικά περισσότερα τσιπ ανά πλακέτα.καθιστώντας τα τελικά προϊόντα ημιαγωγών πιο ανταγωνιστικά στην αγορά.

Ε2: Ποιο είναι το πλεονέκτημα του προσανατολισμού 4 μοιρών εκτός άξονα;

Α: Ο προσανατολισμός 4° προς το επίπεδο <11-20> είναι βελτιστοποιημένος για υψηλής ποιότητας επιταξιακή ανάπτυξη, βοηθώντας στην πρόληψη του σχηματισμού ανεπιθύμητων πολυτύπων και στη μείωση των εκτοπισμών του βασικού επιπέδου (BPD).

Ε3: Μπορείτε να παρέχετε προσαρμοσμένη σήμανση λέιζερ για την ιχνηλασιμότητα;

Α: Ναι. Προσφέρουμε εξατομικευμένη σήμανση λέιζερ στην πλευρά C (πρόσωπο άνθρακα) σύμφωνα με τα πρότυπα SEMI ή τις ειδικές απαιτήσεις των πελατών για να διασφαλιστεί η πλήρης ιχνηλασιμότητα των παρτίδων.

Ε4: Είναι κατάλληλο το είδος Dummy για αναψύξη υψηλής θερμοκρασίας;

Α: Ναι, το N-type Dummy Grade μοιράζεται τις ίδιες θερμικές ιδιότητες με το Production Grade, καθιστώντας το ιδανικό για τη δοκιμή θερμικών κύκλων, βαθμονόμησης φούρνου και συστημάτων χειρισμού.

Ετικέττες:

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Το καλώδιο είδε τη μηχανή

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Πρωταθλήτρια 300 mm Διαμέτρου 4H Πολυτύπου N-τύπου Ντόπινγκ Υπόστρωμα Καρβιδίου του Σίλικου για Συσκευές Μεγάλης Δύναμης

Υπόστρωμα SiC διαμέτρου 300mm

Υπόστρωμα 4H Polytype Carbide Silicon

Γκοφρέτα SiC 12 ιντσών ντόπινγκ τύπου Ν

γκοφρέτα SIC

υπόστρωμα SIC

υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου

Δίσκος καρβιδίου του πυριτίου μονοκρυσταλλικού 12 ιντσών 300mm 4H-N 6H-N SiC για συσκευές ισχύος & LED

Υψηλής ποιότητας υποστρώματα καρβιδίου πυριτίου 4H-N (12-ιντσών/300mm) για συσκευές υψηλής ισχύος