Ορθογώνιο υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου Τσιπ SiC για προηγμένα ηλεκτρονικά

Επισκόπηση προϊόντος:

Το ορθογώνιο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) είναι ένα προηγμένο ημιαγωγικό υλικό μονοκρυστάλλου που έχει σχεδιαστεί για να ανταποκρίνεται στις αυστηρές απαιτήσεις των σύγχρονων ηλεκτρονικών ισχύος, των οπτοηλεκτρονικών συσκευών και των εφαρμογών υψηλής συχνότητας. Το SiC αναγνωρίζεται για την εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, το ευρύ ηλεκτρονικό διάκενο ζώνης και την εξαιρετική μηχανική του αντοχή, γεγονός που το καθιστά ιδανικό για χρήση σε ακραία περιβάλλοντα, όπως υψηλές θερμοκρασίες, υψηλή τάση και υψηλές συχνότητες μεταγωγής. Αυτό το υπόστρωμα SiC χρησιμοποιείται συνήθως σε εργαστήρια Ε&Α, στην ανάπτυξη πρωτοτύπων και στην κατασκευή εξειδικευμένων συσκευών.

Διαδικασία Κατασκευής Τσιπ υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου (SiC).

Η παραγωγή υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου (SiC) περιλαμβάνει προηγμένες τεχνικές ανάπτυξης κρυστάλλων, όπως η φυσική μεταφορά ατμών (PVT) ή η εξάχνωση. Η διαδικασία περιλαμβάνει:

• Προετοιμασία πρώτης ύλης:Η εξαιρετικά καθαρή σκόνη SiC τοποθετείται σε χωνευτήριο γραφίτη υψηλής πυκνότητας για εξάχνωση.

• Κρυσταλλική Ανάπτυξη:Σε θερμοκρασίες που υπερβαίνουν τους 2.000°C, το υλικό SiC εξαχνώνεται και συμπυκνώνεται εκ νέου σε έναν κρύσταλλο σπόρων για να σχηματίσει μια μεγάλη μονοκρυσταλλική ύλη SiC.

• Τεμαχισμός ράβδων:Τα συρμάτινα πριόνια διαμαντιών χρησιμοποιούνται για να κόψουν το μπουλόνι σε λεπτές γκοφρέτες ή τσιπς σε ορθογώνια σχήματα.

• Περιτύλιξη και λείανση:Η επιπεδοποίηση της επιφάνειας εξασφαλίζει ομοιόμορφο πάχος και αφαιρεί τα σημάδια κοπής.

• Χημική μηχανική στίλβωση (CMP):Το υπόστρωμα γυαλίζεται σε ένα λείο φινίρισμα όπως ο καθρέφτης, κατάλληλο για εναπόθεση επιταξιακής στρώσης.

• Προαιρετικό ντόπινγκ:Το ντόπινγκ τύπου N ή τύπου P είναι διαθέσιμο για την προσαρμογή των ηλεκτρικών ιδιοτήτων σύμφωνα με τις ανάγκες της εφαρμογής.

• Διασφάλιση Ποιότητας:Η αυστηρή δοκιμή της επιπεδότητας, της πυκνότητας ελαττώματος και του πάχους εγγυάται τη συμμόρφωση με τα πρότυπα ημιαγωγών.

Ιδιότητες υλικού του καρβιδίου του πυριτίου (SiC)

Το SiC είναι κυρίως διαθέσιμο σε κρυσταλλικές δομές 4H-SiC και 6H-SiC, καθεμία βελτιστοποιημένη για συγκεκριμένες εφαρμογές:

• 4H-SiC:Παρέχει υψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων και είναι ιδανικό για ηλεκτρονικά υψηλής τάσης, όπως MOSFET και διόδους Schottky.

• 6H-SiC:Ιδανικό για εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων και μικροκυμάτων, προσφέροντας χαμηλότερη απώλεια ισχύος σε λειτουργίες υψηλής συχνότητας.

Τα βασικά πλεονεκτήματα των υποστρωμάτων SiC περιλαμβάνουν:

• Ευρύ Bandgap:Περίπου 3,2–3,3 eV, προσφέροντας υψηλή τάση διάσπασης και απόδοση σε συσκευές ισχύος.

• Θερμική αγωγιμότητα:3,0–4,9 W/cm·K, εξασφαλίζοντας εξαιρετική απαγωγή θερμότητας σε εφαρμογές ισχύος.

• Μηχανική αντοχή:Σκληρότητα Mohs ~9,2, καθιστώντας το SiC εξαιρετικά ανθεκτικό στη φθορά.

Εφαρμογές τσιπς ορθογώνιου υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου (SiC).

• Ηλεκτρονικά Ισχύος:Ιδανικό για MOSFET, IGBT και διόδους Schottky που χρησιμοποιούνται σε κινητήρες ηλεκτρικών οχημάτων, συστήματα αποθήκευσης ενέργειας και μετατροπής ισχύος.

• Συσκευές υψηλών συχνοτήτων και ραδιοσυχνοτήτων:Ιδανικό για συστήματα ραντάρ, δορυφορικές επικοινωνίες και σταθμούς βάσης 5G.

• Οπτοηλεκτρονική:Κατάλληλο για UV LED, διόδους λέιζερ και φωτοανιχνευτές λόγω της εξαιρετικής διαφάνειας UV.

• Αεροδιαστημική & Άμυνα:Επιτρέπει τη λειτουργία σε περιβάλλοντα επιρρεπή στην ακτινοβολία και σε υψηλές θερμοκρασίες.

• Ακαδημαϊκή και Βιομηχανική Έρευνα:Εξαιρετικό για την ανάπτυξη νέων υλικών, πρωτοτύπων και συσκευών.

Τεχνικές προδιαγραφές:

Επιλογές προσαρμογής:

• Προσαρμοσμένες διαστάσεις:Διατίθεται σε διάφορα μεγέθη και σχήματα, συμπεριλαμβανομένων προσαρμοσμένων ορθογώνιων μορφών.

• Προφίλ ντόπινγκ:Διατίθεται ντόπινγκ τύπου Ν ή τύπου Ρ για προσαρμοσμένη ηλεκτρική απόδοση.

• Επεξεργασίες Επιφανείας:Γυάλισμα μονής ή διπλής όψης, καθώς και προσαρμοσμένες επιταξιακές στρώσεις.

Συσκευασία & Παράδοση:

• Συσκευασία:Προσαρμοσμένες λύσεις συσκευασίας για την ασφαλή παράδοση.

• Χρόνος παράδοσης:Συνήθως εντός 30 ημερών από την επιβεβαίωση της παραγγελίας.

Συχνές ερωτήσεις – Τσιπ υποστρώματος ορθογώνιου καρβιδίου πυριτίου (SiC).

• Ε1: Γιατί να επιλέξετε υποστρώματα SiC έναντι του παραδοσιακού πυριτίου;
  Το SiC προσφέρει ανώτερη θερμική απόδοση, μεγαλύτερη αντοχή σε διάσπαση και σημαντικά χαμηλότερες απώλειες μεταγωγής σε σύγκριση με το πυρίτιο, καθιστώντας το ιδανικό για εφαρμογές υψηλής απόδοσης και υψηλής ισχύος.

• Ε2: Μπορούν αυτά τα υποστρώματα να εφοδιαστούν με επιταξιακές στρώσεις;
  Ναι, προσφέρουμε επιλογές επιτάξεως έτοιμες και προσαρμοσμένες για εφαρμογές υψηλής ισχύος, ραδιοσυχνοτήτων ή οπτοηλεκτρονικών συσκευών.

• Ε3: Μπορείτε να προσαρμόσετε τις διαστάσεις και το ντόπινγκ;
  Απολύτως. Προσαρμοσμένα μεγέθη, προφίλ ντόπινγκ και επιφανειακές επεξεργασίες είναι διαθέσιμα για την κάλυψη συγκεκριμένων αναγκών εφαρμογής.

• Ε4: Πώς λειτουργούν τα υποστρώματα SiC κάτω από ακραίες συνθήκες;
  Τα υποστρώματα SiC διατηρούν τη δομική ακεραιότητα και την ηλεκτρική σταθερότητα σε θερμοκρασίες άνω των 600°C, καθιστώντας τα κατάλληλα για σκληρά περιβάλλοντα όπως η αεροδιαστημική, η άμυνα και οι βιομηχανικές εφαρμογές υψηλής ισχύος.

Σχετικά Προϊόντα

Υπόστρωμα Sic Silicon Carbide 5,0*5,0mm Τετράγωνο πάχος τύπου 6H-P 350μm Μηδενικού βαθμού Dummy Grade