logo
Καλή τιμή  σε απευθείας σύνδεση

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. ΠΡΟΪΟΝΤΑ Created with Pixso.
Γκοφρέτα σαπφείρου
Created with Pixso. Μονοκρυσταλλικό τετράγωνο υπόστρωμα ζαφειριού (επίπεδο C, SSP) 10x10 mm μονής όψης γυαλισμένο

Μονοκρυσταλλικό τετράγωνο υπόστρωμα ζαφειριού (επίπεδο C, SSP) 10x10 mm μονής όψης γυαλισμένο

Ονομασία μάρκας: ZMSH
MOQ: 10
Χρόνος παράδοσης: 2-4 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Σαγκάη
Υλικό:
Υψηλή καθαρότητα >99,99%, μονοκρύσταλλο Al2O3
Διάσταση:
10 × 10 χιλιοστά
Πάχος:
1 mm (άλλα πάχη διαθέσιμα κατόπιν αιτήματος)
Προσανατολισμός:
C-plane (0001) to M (1-100) 0,2° ± 0,1° off
Παράμετρος δικτυωτού πλέγματος:
a = 4,785 Å, c = 12,991 Å
Πυκνότητα:
30,98 g/cm3
Συντελεστής θερμικής διαστολής:
6,66×10-6 /°C (άξονας ‖C), 5×10-6 /°C (άξονας ⊥C)
Διηλεκτρική δύναμη:
4,8×105 V/cm
Διηλεκτρική σταθερά:
11,5 (‖-άξονας C), 9,3 (⊥-άξονας C) @ 1 MHz
Διηλεκτρική εφαπτομένη απώλειας:
< 1×10-4
Θερμική αγωγιμότητα:
40 W/(m·K) στους 20°C
Στίλβωμα:
Στίλβωση μονής όψης (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); οπίσθιο λεπτοαλεσμένο Ra = 0,8–1,2 μm
Επισημαίνω:

Υπόστρωμα ζαφειριού SSP

,

Μονοκρυσταλλικό τετράγωνο υπόστρωμα ζαφειριού

,

Υπόστρωμα ζαφειριού επιπέδου C

Περιγραφή προϊόντων

Μονοκρυσταλλικό Τετράγωνο Υπόστρωμα Ζαφειριού (Επίπεδο C, SSP) 10x10 mm Μονής Όψης Γυαλισμένο

Τετράγωνο Υπόστρωμα Ζαφειριού (SSP) Περιγραφή Προϊόντος

Το Τετράγωνο Υπόστρωμα Ζαφειριού (SSP) είναι κατασκευασμένο από μονοκρυσταλλικό Al₂O₃ υψηλής καθαρότητας (>99,99%), προσφέροντας εξαιρετική μηχανική αντοχή, θερμική σταθερότητα και οπτική διαφάνεια. Με προσανατολισμό επιπέδου C (0001) και επιφάνεια μονής όψης γυαλισμένη (SSP), είναι ιδανικό για επιταξιακή ανάπτυξη, παραγωγή LED με βάση το GaN, οπτικά εξαρτήματα και εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας ή κενού.

Βασικές Προδιαγραφές Τετράγωνου Υποστρώματος Ζαφειριού (SSP)

Παράμετρος Προδιαγραφή
Υλικό Υψηλής Καθαρότητας >99,99%, Μονοκρυσταλλικό Al₂O₃
Διάσταση 10 × 10 mm
Πάχος 1 mm (άλλα πάχη διαθέσιμα κατόπιν αιτήματος)
Προσανατολισμός Επίπεδο C (0001) έως M (1-100) 0,2° ± 0,1° εκτός
Παράμετρος Πλέγματος a = 4,785 Å, c = 12,991 Å
Πυκνότητα 3,98 g/cm³
Συντελεστής Θερμικής Διαστολής 6,66×10⁻⁶ /°C (||C-άξονας), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-άξονας)
Διηλεκτρική Αντοχή 4,8×10⁵ V/cm
Διηλεκτρική Σταθερά 11,5 (||C-άξονας), 9,3 (⊥C-άξονας) @ 1 MHz
Εφαπτομένη Διηλεκτρικών Απωλειών < 1×10⁻⁴
Θερμική Αγωγιμότητα 40 W/(m·K) στους 20°C
Γυάλισμα Μονής όψης γυαλισμένο (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); πίσω όψη λεπτοαλεσμένη Ra = 0,8–1,2 μm

Τετράγωνο Υπόστρωμα Ζαφειριού (SSP)  Χαρακτηριστικά & Πλεονεκτήματα

  • Εξαιρετική χημική και θερμική σταθερότητα

  • Υψηλή οπτική διαφάνεια και επιπεδότητα επιφάνειας

  • Χαμηλές διηλεκτρικές απώλειες και υψηλή θερμική αγωγιμότητα

  • Εξαιρετική μηχανική σκληρότητα και αντοχή στις γρατσουνιές

  • Διαθέσιμο σε προσαρμοσμένα μεγέθη, προσανατολισμούς και πάχη

Τετράγωνο Υπόστρωμα Ζαφειριού (SSP)  Εφαρμογές

  • Επιταξιακή ανάπτυξη GaN και AlN

  • Κατασκευή LED και διόδων λέιζερ

  • Οπτικά και υπέρυθρα παράθυρα

  • Συσκευές RF και μικροκυμάτων υψηλής ισχύος

  • Έρευνα και δοκιμές ημιαγωγών