

Σπίτι

ΠΕΡΙΠΟΥ ΗΠΑ

Σχεδιάγραμμα επιχείρησης

Γύρος εργοστασίων

Ποιοτικός έλεγχος

FAQ

ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Υπόστρωμα SIC

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος

Wire Saw Machine

Συνθετική ράβδος σαπφείρου

Λιωμένο πιάτο χαλαζία

Μέρη σαπφείρου

Συνθετικός πολύτιμος λίθος

Εξοπλισμός ημιαγωγών

LiNbO3 γκοφρέτα

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου

κεραμικό υπόστρωμα

Περιτύλιγμα εργαστηρίων

GaAs γκοφρέτα

λύσεις

Μπλογκ

Μας ελάτε σε επαφή με

Αγορές

απόσπασμα

Καλή τιμή σε απευθείας σύνδεση

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Σπίτι ΠΡΟΪΟΝΤΑ

Γκοφρέτα σαπφείρου

Single Crystal Square Sapphire Substrate ( C-plane , SSP )10x10 mm Single Side Polished

Single Crystal Square Sapphire Substrate ( C-plane , SSP )10x10 mm Single Side Polished

Single Crystal Square Sapphire Substrate ( C-plane , SSP )10x10 mm Single Side Polished

Ονομασία μάρκας:	ZMSH
MOQ:	10
Χρόνος παράδοσης:	2-4 εβδομάδες
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Σαγκάη

Υλικό:

Υψηλή καθαρότητα >99,99%, μονοκρύσταλλο Al2O3

Διάσταση:

10 × 10 χιλιοστά

Πάχος:

1 mm (άλλα πάχη διαθέσιμα κατόπιν αιτήματος)

Προσανατολισμός:

C-plane (0001) to M (1-100) 0,2° ± 0,1° off

Παράμετρος δικτυωτού πλέγματος:

a = 4,785 Å, c = 12,991 Å

Πυκνότητα:

30,98 g/cm3

Συντελεστής θερμικής διαστολής:

6,66×10-6 /°C (άξονας ‖C), 5×10-6 /°C (άξονας ⊥C)

Διηλεκτρική δύναμη:

4,8×105 V/cm

Διηλεκτρική σταθερά:

11,5 (‖-άξονας C), 9,3 (⊥-άξονας C) @ 1 MHz

Διηλεκτρική εφαπτομένη απώλειας:

< 1×10-4

Θερμική αγωγιμότητα:

40 W/(m·K) στους 20°C

Στίλβωμα:

Στίλβωση μονής όψης (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); οπίσθιο λεπτοαλεσμένο Ra = 0,8–1,2 μm

Επισημαίνω:

SSP Sapphire Substrate

,

Single Crystal Square Sapphire Substrate

,

C-plane Sapphire Substrate

Περιγραφή προϊόντων

Single Crystal Square Sapphire Substrate (C-plane, SSP)10x10 mm Single Side Polished

Square Sapphire Substrate (SSP) Product Description

The Square Sapphire Substrate (SSP) is made from high-purity (>99.99%) single crystal Al₂O₃, offering excellent mechanical strength, thermal stability, and optical transparency. With C-plane (0001) orientation and single-side polished (SSP) surface, it is ideal for epitaxial growth, GaN-based LED production, optical components, and high-temperature or vacuum applications.

Square Sapphire Substrate (SSP) Key Specifications

Parameter	Specification
Material	High Purity >99.99%, Single Crystal Al₂O₃
Dimension	10 × 10 mm
Thickness	1 mm (other thicknesses available upon request)
Orientation	C-plane (0001) to M (1-100) 0.2° ± 0.1° off
Lattice Parameter	a = 4.785 Å, c = 12.991 Å
Density	3.98 g/cm³
Thermal Expansion Coefficient	6.66×10⁻⁶ /°C (‖C-axis), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-axis)
Dielectric Strength	4.8×10⁵ V/cm
Dielectric Constant	11.5 (‖C-axis), 9.3 (⊥C-axis) @ 1 MHz
Dielectric Loss Tangent	< 1×10⁻⁴
Thermal Conductivity	40 W/(m·K) at 20°C
Polishing	Single side polished (SSP), Ra < 0.3 nm (AFM); backside fine-ground Ra = 0.8–1.2 μm

Square Sapphire Substrate (SSP) Features & Benefits

Exceptional chemical and thermal stability
High optical transparency and surface flatness
Low dielectric loss and high thermal conductivity
Excellent mechanical hardness and scratch resistance
Available in custom sizes, orientations, and thicknesses

Square Sapphire Substrate (SSP) Applications

GaN and AlN epitaxial growth
LED and laser diode manufacturing
Optical and infrared windows
High-power RF and microwave devices
Research and semiconductor testing

Ετικέττες:

γυαλί σαπφείρου συνήθειας

υπόστρωμα σαπφείρου

οπτική σαπφείρου

Συγγενικά προϊόντα

Single Crystal Sapphire Substrates 2

Single Crystal Sapphire Substrates 2", 3", 4", and 6" for LED , Optical and Semiconductor Applications

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Single Crystal Sapphire Ingot Al₂O₃ KY CZ 80kg 200kg 400kg for Industrial & Optical Applications

Single Crystal Sapphire Ingot Al₂O₃ KY CZ 80kg 200kg 400kg for Industrial & Optical Applications

Πάρτε την καλύτερη τιμή