Λεπτομέρειες:
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
|
Size/Shape: | Customized | Thermal conductivity: | 120-270 W/(m·K) |
---|---|---|---|
Flexural strength: | 300-500 MPa | Insulation resistance: | >10¹⁴ Ω·cm |
Thickness: | 0.25-3 mm | Polishing: | Ra <0.1 μm |
Επισημαίνω: | SiC ceramic insulating substrate,high-temperature resistant ceramic substrate,high-purity SiC substrate |
Υποστρώματα μόνωσης κεραμικού SiC υψηλής καθαρότητας, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες
Τα κεραμικά υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) είναι προηγμένα κεραμικά υλικά που κατασκευάζονται μέσω πυροσυσσωμάτωσης υψηλής θερμοκρασίας σκόνης SiC υψηλής καθαρότητας, παρουσιάζοντας εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, υψηλή μηχανική αντοχή και εξαιρετική χημική σταθερότητα. Ως βασικό υλικό ημιαγωγών τρίτης γενιάς, τα κεραμικά υποστρώματα SiC χρησιμοποιούνται ευρέως σε ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος, συσκευές RF, συσκευασίες LED και αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας. Ο μοναδικός συνδυασμός των ιδιοτήτων τους—συμπεριλαμβανομένης της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας, του χαμηλού συντελεστή θερμικής διαστολής και της ακραίας σκληρότητας—τα καθιστά ιδανικά για ηλεκτρονική συσκευασία και λύσεις θερμικής διαχείρισης σε σκληρά περιβάλλοντα. Σε σύγκριση με τα παραδοσιακά υποστρώματα αλουμίνας (Al₂O₃) ή νιτριδίου του αργιλίου (AlN), τα κεραμικά υποστρώματα SiC επιδεικνύουν ανώτερη απόδοση σε εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος, ιδιαίτερα σε ηλεκτρικά οχήματα, επικοινωνίες 5G και αεροδιαστημικά συστήματα.
Κατηγορία Ιδιότητας
|
Προδιαγραφές/Απόδοση
|
Τεχνικά Πλεονεκτήματα
|
Θερμικές Ιδιότητες
|
Θερμική αγωγιμότητα: 120-270 W/(m·K) (υπερβαίνει τον χαλκό)
|
Βελτιωμένη απαγωγή θερμότητας, μειωμένη θερμική καταπόνηση, βελτιωμένη αξιοπιστία συσκευής |
Μηχανικές Ιδιότητες
|
Αντοχή σε κάμψη: 300-500 MPa
|
Αντοχή στη φθορά/κρούση, κατάλληλο για περιβάλλοντα υψηλής καταπόνησης
|
Ηλεκτρικές Ιδιότητες
|
Αντίσταση μόνωσης: >10¹⁴ Ω·cm
|
Χαμηλή απώλεια σήματος, ιδανικό για κυκλώματα υψηλής συχνότητας
|
Χημική Σταθερότητα
|
Αντιστέκεται στη διάβρωση από οξέα/αλκάλια και την οξείδωση (σταθερό έως 1600°C)
|
Αξιόπιστη απόδοση σε σκληρές χημικές/διαστημικές συνθήκες
|
Διαστάσεις & Προσαρμογή
|
Πάχος: 0.25-3 mm
|
Ευέλικτες λύσεις για ποικίλες ανάγκες συσκευασίας
|
Επιφανειακή Επεξεργασία
|
Λείανση: Ra <0.1 μm
|
Βελτιστοποιημένη απόδοση συγκόλλησης και προσάρτησης τσιπ
|
1. Ηλεκτρονικά Ισχύος
2. Επικοινωνίες RF
3. Οπτοηλεκτρονική
4. Αεροδιαστημική
5. Βιομηχανική Υψηλής Θερμοκρασίας
6. Άμυνα
2. SiC Ball , SiC Marbels Dia 0.5mm~50mm Customizable , High-precision Bearing Ball
1. Ε: Ποια είναι τα πλεονεκτήματα των κεραμικών υποστρωμάτων SiC σε σχέση με τα παραδοσιακά υλικά όπως το AlN ή το Al₂O₃;
Α: Τα κεραμικά υποστρώματα SiC προσφέρουν 3-5x υψηλότερη θερμική αγωγιμότητα (έως 270 W/mK), ανώτερη μηχανική αντοχή (450 MPa έναντι 300 MPa του AlN) και αντοχή σε ακραίες θερμοκρασίες (1600°C), καθιστώντας τα ιδανικά για εφαρμογές υψηλής ισχύος.
2. Ε: Γιατί χρησιμοποιείται το κεραμικό SiC σε μονάδες ισχύος ηλεκτρικών οχημάτων;
Α: Η εξαιρετικά υψηλή θερμική αγωγιμότητά του μειώνει τις θερμοκρασίες των τσιπ IGBT κατά 20-30%, βελτιώνοντας σημαντικά την απόδοση του μετατροπέα EV και την ταχύτητα φόρτισης, ενώ παράλληλα παρατείνει τη διάρκεια ζωής των εξαρτημάτων.
Ετικέτα: #High-Purity SiC Ceramic, #Customized, # SiC Ceramic Insulating Substrate, #High-Temperature Resistance
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Wang
Τηλ.:: +8615801942596