Λεπτομέρειες:
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
|
Διάμετρος: | 4 ίντσα (100mm) | Περιοχή πάχους: | 0.5mm~1.5mm |
---|---|---|---|
Τραχύτητα επιφάνειας (Γυαλισμένο): | ≤0.5nm | Διαπερατότητα @193nm: | >93% |
Συντελεστής θερμικής διαστολής (20-300°C): | 0,55×10⁻⁶/°C | Παράλληλος: | ≤3μm |
Επισημαίνω: | Προσαρμοσμένο εύρος πάχους χαλαζιακού δίσκου,Χαλαζιακός δίσκος Ra0.5nm |
Η ZMSH ειδικεύεται σε δίσκους χαλαζία 4 ιντσών ακριβείας, που καλύπτουν εφαρμογές υψηλής απόδοσης οπτοηλεκτρονικής, ημιαγωγών και MEMS. Σε αντίθεση με μικρότερα μεγέθη, οι δίσκοι χαλαζία 4 ιντσών παρέχουν εκτεταμένη επιφάνεια για ενσωμάτωση πολλαπλών στρώσεων, επιτρέποντας την κλιμακούμενη παραγωγή προηγμένων συσκευών. Τα βασικά χαρακτηριστικά περιλαμβάνουν:
1. Υλικό: Υψηλής καθαρότητας fused silica (SiO₂) με <50 ppm περιεκτικότητα σε υδροξύλιο (OH⁻) και <0,1 ppm μεταλλικές ακαθαρσίες, εξασφαλίζοντας εξαιρετικά χαμηλή οπτική απώλεια.
2. Διαστάσεις: Προσαρμοσμένες διάμετροι (100,00 mm ±0,25 mm) και πάχη (0,525–1,200 mm, TTV ≤10 μm).
3. Σχήματα: Κυκλικές, τετράγωνες ή ακανόνιστες γεωμετρίες με μη τυπικά διαφράγματα, βαθμιδωτές άκρες ή διαβαθμισμένο πάχος.
4. Φινίρισμα επιφάνειας: Εξαιρετικά λείες επιφάνειες (Ra ≤1,0 nm) για ελάχιστη σκέδαση φωτός.
Παράμετρος | Προδιαγραφή |
Διάμετρος | 100,00 mm ±0,25 mm |
Εύρος πάχους | 0,525–1,200 mm |
Συνολική μεταβολή πάχους (TTV) |
≤10 μm (διάμετρος 300 mm) 4 |
Τραχύτητα επιφάνειας (Ra) | ≤1,0 nm |
Διαπερατότητα υπεριώδους |
>92% @185–3500 nm 1 |
Συντελεστής θερμικής διαστολής (CTE) |
0,55×10⁻⁶/°C (20–300°C) 1 |
Αντίσταση (350°C) | >7×10⁷ Ω·cm |
1. Οπτική υπεροχή
Ευρεία φασματική μετάδοση: >92% διαπερατότητα από 185 nm (UV) έως 3500 nm (IR), ιδανικό για UV λιθογραφία και κβαντική ανίχνευση.
Χαμηλή θερμική διαστολή: CTE 0,55×10⁻⁶/°C (20–300°C), διατηρώντας τη σταθερότητα των διαστάσεων έως 1100°C.
2. Μηχανική και χημική ανθεκτικότητα
Υψηλή σκληρότητα: Κλίμακα Mohs 7, ανθεκτικό στην τριβή και στους μηχανικούς κραδασμούς.
Αντοχή σε οξέα: 30× υψηλότερη ανθεκτικότητα από τα κεραμικά, κατάλληλο για επιθετικά χημικά περιβάλλοντα.
3. Ηλεκτρική απόδοση
Μόνωση: Αντίσταση >7×10⁷ Ω·cm (350°C), ελαχιστοποιώντας την παρασιτική χωρητικότητα σε κυκλώματα υψηλής συχνότητας.
Συμβατότητα SAW: Βελτιστοποιημένο για φίλτρα Surface Acoustic Wave (SAW) με ακριβείς γωνίες κοπής (π.χ., 34,33° για FC-cut).
1. Προηγμένες συσκευές MEMS
Αισθητήρες πίεσης, γυροσκόπια και κεφαλές εκτύπωσης inkjet που αξιοποιούν δίσκους 4 ιντσών για ενσωμάτωση πολλαπλών στρώσεων και θερμική σταθερότητα.
2. Οπτοηλεκτρονικά συστήματα
Δίοδοι λέιζερ UV, κολλιματόρες οπτικών ινών και εξαρτήματα LiDAR που απαιτούν οπτικές διαδρομές χαμηλής απώλειας.
3. Συσκευασία ημιαγωγών
Υποστρώματα συσκευασίας σε επίπεδο δίσκου (WLP) για αισθητήρες εικόνας CMOS και RFIC, που υποστηρίζουν την τεχνολογία TSV (Through-Silicon Via).
4. Κβαντικές τεχνολογίες
Υποστρώματα για κέντρα διαμαντιών αζώτου-κενών (NV) και υπεραγώγιμα qubits, που επωφελούνται από την εξαιρετικά χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων.
Προσφέρουμε πλήρη προσαρμογή για δίσκους χαλαζία 4 ιντσών, συμπεριλαμβανομένων:
1. Μηχανική κατεργασία ακριβείας: Περιστροφή διαμαντιών CNC για <1 μm ακρίβεια διαστάσεων.
2. Επιφανειακές επεξεργασίες: Επιστρώσεις AR (150°).
3. Γρήγορη δημιουργία πρωτοτύπων: 5–7 ημέρες για δείγματα, υποστηρίζοντας υβριδικές γεωμετρίες (π.χ., διαμπερείς οπές + εγκοπές).
1. Ε: Γιατί να χρησιμοποιήσετε δίσκους χαλαζία 4 ιντσών?
Α: Οι δίσκοι χαλαζία 4 ιντσών προσφέρουν μια ισορροπία κόστους-αποτελεσματικότητας και ακρίβειας, ιδανικοί για αισθητήρες MEMS, οπτικά φίλτρα και συσκευασία ημιαγωγών με προσαρμόσιμο πάχος (0,5–1,5 mm) και εξαιρετικά χαμηλή τραχύτητα επιφάνειας (Ra ≤0,5 nm).
2. Ε: Ποιες βιομηχανίες χρησιμοποιούν δίσκους χαλαζία 4 ιντσών?
Α: Είναι κρίσιμα σε συσκευές MEMS, συστήματα οπτικών ινών και προηγμένη κατασκευή ημιαγωγών, αξιοποιώντας πυρίτιο υψηλής καθαρότητας και εξαιρετική θερμική σταθερότητα (CTE 0,55×10⁻⁶/°C).
Ετικέτα: #3 Inch Quartz Substrate, #Customized, #Fused Silica Plates, #SiO₂ Crystal, #Quartz wafers, #JGS1/JGS2 Grade, # High-Purity, #Fused Silica Optical Components, #Quartz Glass Plate, #Custom-Shaped Through-Holes, #4Inch Quartz Wafer, #Diameter 100mm, #Semiconductor Manufacturing, #Thickness Range 0.5 mm to 1.5 mm, #Ra ≤ 0.5 nm
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Wang
Τηλ.:: +8615801942596