4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiCOI Wafers σύνθετο SiC σε υποστρώματα μονωτών

4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 4H-SiCOI Wafers σύνθετο SiC σε υποστρώματα μονωτών

Τα πλακάκια SICOI (Silicon Carbide on Insulator) αντιπροσωπεύουν μια προηγμένη τεχνολογία σύνθετου υποστρώματος που κατασκευάζεται είτε μέσω διαδικασιών Smart CutTM είτε μέσω διαδικασιών Bonding & Thinning. ZMSH supply 4-6 inch 4H-SICOI wafers by integrating high-quality SiC thin films with insulating layers (SiO₂/AlN) on silicon or SiC substrates via hydrophilic bonding or plasma-activated bonding techniques. Η διαδικασία Smart CutTM: χρησιμοποιεί εμφύτευση ιόντων υδρογόνου, σύνδεση χαμηλής θερμοκρασίας και απολέπιση ακριβείας για την επίτευξη εξαιρετικά λεπτών στρωμάτων SiC (50nm-20μm) με ομοιομορφία πάχους ±20nm,ιδανικό για υψηλής συχνότητας, συσκευές χαμηλής απώλειας. Μεθοδολογία αλίευσης + CMP: Κατάλληλη για απαιτήσεις παχύτερης ταινίας (200 nm έως προσαρμοσμένα πάχους) με ομοιομορφία ± 100 nm, προσφέροντας οικονομική απόδοση για εφαρμογές ηλεκτρονικής ισχύος. Τα ZMSH παρέχουν προσαρμόσιμες διερχόμενες ή ημιμονωτικές ταινίες SiC,με δυνατότητες βελτιστοποίησης της αναψίξεως με εμφύτευση ιόντων ή άμεσης αραίωσης/φοντιάσματος για την κάλυψη διαφορετικών απαιτήσεων απόδοσης και κόστους.

Βασικά χαρακτηριστικά τουΣίκοϊ

Βασικές εφαρμογέςΣίκοϊ

1Ηλεκτρονική ενέργεια

Αντιστρέφτες EV: Τα SiC MOSFET σε υποστρώματα SICOI λειτουργούν σε 1200V με 30% χαμηλότερες απώλειες μετάδοσης, συμβατά με συστήματα ταχείας φόρτισης 800V.

Βιομηχανικοί κινητήρες: Τα πλακάκια SICOI με μονωτικά στρώματα AlN βελτιώνουν την απώλεια θερμότητας κατά 50%, υποστηρίζοντας συσκευασίες μονάδων > 10kW.

2Επικοινωνίες ραδιοφωνίας και 5G

Ενεργειακές συσκευές που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας από ηλεκτρικό ρεύμα (π.χ. ηλεκτρικές συσκευές που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας)

Φάσιμες κεραίες συστοιχίας: Χαμηλή διηλεκτρική απώλεια (tanδ<0,001) ελαχιστοποιεί την εξασθένιση του σήματος για δορυφορικές επικοινωνίες.

3. Κβαντικά Υπολογιστικά & Αισθητήρια

Σπιν Qubit Carriers: Οι ταινίες Ultrathin SiC (<100nm) παρέχουν περιβάλλοντα χαμηλού θορύβου, επεκτείνοντας τους χρόνους συνοχής πέρα από 1ms.

Αισθητήρες MEMS υψηλής ταχύτητας: Σταθερή λειτουργία στους 300 °C για παρακολούθηση αεροδιαστημικών κινητήρων.

4Ηλεκτρονικά καταναλωτικά

Ταχεία φόρτιση IC: Οι συσκευές GaN που βασίζονται σε SICOI επιτρέπουν φόρτιση > 200W με 40% μικρότερο αποτύπωμα.

1Ε: Τι είναι το SICOL wafer;
Α: Η πλάκα SICOI (Silicon Carbide on Insulator) είναι ένα προηγμένο σύνθετο υπόστρωμα που ενσωματώνει ένα μονοκρυσταλλικό φιλμ 4H-SiC με μονωτικό στρώμα SiO2 σε βάση πυριτίου/σαφείρου.που επιτρέπουν συσκευές υψηλής ισχύος και ραδιοσυχνότητας με ανώτερη θερμική/ηλεκτρική απόδοση.

2Ε: Πώς συγκρίνεται το SICOI με το SOI;
Α: Το SICOI προσφέρει 5 φορές υψηλότερη θερμική αγωγιμότητα (> 300W/m·K) και 3 φορές μεγαλύτερη τάση διάσπασης (> 8MV/cm) από το SOI, καθιστώντας το ιδανικό για ηλεκτρονική ισχύος 800V+ και εφαρμογές 5G mmWave.

Ετικέτα:4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες, # Προσαρμοσμένο, #Πλακέτες 4H-SiCOI, #Σύνθετο SiC σε υποστρώματα μονωτών, #SiC, #SiO2, #Si