Λεπτομέρειες προϊόντων
Τόπος καταγωγής: Κίνα
Μάρκα: zmsh
Όροι πληρωμής και αποστολής
Material: |
SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
Material: |
SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
Προσαρμοσμένο SiC κεραμικό φορτηγό πλοίου για χειρισμό κυψελών
Το Customized Silicon Carbide (SiC) Ceramic Boat Carrier είναι μια λύση επεξεργασίας κυψελών υψηλής απόδοσης που έχει σχεδιαστεί για διεργασίες κατασκευής ημιαγωγών, φωτοβολταϊκών και LED.Κατασκευασμένα για σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες, χημική αντοχή και εξαιρετικά χαμηλή μόλυνση, αυτός ο φορέας εξασφαλίζει ασφαλή και αποτελεσματική μεταφορά πλακιδίων σε απαιτητικά περιβάλλοντα όπως CVD, φούρνοι διάχυσης και θάλαμοι οξείδωσης.
Κύριοι πλεονεκτήματα του σκάφους από κεραμική SiC
Υψηλή Θερμική Σταθερότητα ∆ιατηρεί θερμοκρασίες έως 1.600°C χωρίς παραμόρφωση.
Χημική αδράνεια ∙ Αντιστέκεται στην διάβρωση από οξέα, άλκαλα και πλάσμα, εξασφαλίζοντας μακροχρόνια αντοχή.
Μικρή παραγωγή σωματιδίων ∆ ελαχιστοποιεί τη μόλυνση στο EUV και την προηγμένη κατασκευή κόμβων.
Προσαρμόσιμο σχεδιασμό Προσαρμοσμένο για το μέγεθος της πλάκας, το πλάτος της τρύπας και τις απαιτήσεις χειρισμού
Ιδανικό για εργοστάσια ημιαγωγών, παραγωγή MEMS και επεξεργασία σύνθετων ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Περιεκτικότητα σε καρβίδιο του πυριτίου | - | % | > 99.5 |
Μέσο μέγεθος κόκκους | - | μμ | 4-10 |
Πλήρης πυκνότητα | - | kg/dm^3 | >3.14 |
Προφανής πορώς | - | Ασφάλεια | < 0.5 |
Σκληρότητα Vickers | - Χ.Υ.0.5 | Κλγ/μμ^2 | 2800 |
Μοντέλο ρήξης (3 βαθμοί) | 20°C | MPa | 450 |
Δυνατότητα συμπίεσης | 20°C | MPa | 3900 |
Μοντέλο ελαστικότητας | 20°C | ΓΠΑ | 420 |
Δυνατότητα κατά το κάταγμα | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
Θερμική αγωγιμότητα | 20°C | Πιθανότατα. | 160 |
Ηλεκτρική αντίσταση | 20°C | Ωμ.cm | 10^6-10^8 |
Συντελεστής θερμικής διαστολής | Α (RT"800°C) |
K^-1*10^-6 | 4.3 |
Μέγιστη θερμοκρασία εφαρμογής | Οξείδια ατμόσφαιρας | °C | 1600 |
Μέγιστη θερμοκρασία εφαρμογής | Αδιάδραστη ατμόσφαιρα | °C | 1950 |
Εφαρμογές της Κηραμικής Βάρκας SiC
1Παρασκευή ημιαγωγών
✔ Φούρνοι διάχυσης και αναψύξης
- Σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες Αντιστέκεται στους 1.600 °C (οξειδωτική) / 1.950 °C (αδραντική) χωρίς παραμόρφωση.
- Χαμηλή θερμική διαστολή (4.3×10−6/K) Προλαμβάνει τη στρέβλωση των κυψελών σε ταχεία θερμική επεξεργασία (RTP).
✔ ΚΑΠ & Επιταξία (Αύξηση SiC/GaN)
- Αντίσταση στη διάβρωση από αέρια - Αδρανές σε SiH4, NH3, HCl και άλλους επιθετικούς πρόδρομους.
- Επιφάνεια απαλλαγμένη από σωματιδιακά στοιχεία ∙ Λουστρωμένη (Ra < 0,2μm) για απαλλαγμένη από ελαττώματα επιταξιακή εναπόθεση.
✔ Εμφύτευση ιόντων
- Αδυναμώθηκε από ακτινοβολία ∙ Δεν υποβαθμίζεται από βομβαρδισμό ιόντων υψηλής ενέργειας.
2Ηλεκτρονική ισχύος (εξοπλισμός SiC/GaN)
✔ Επεξεργασία κυψελών SiC
- Συμφωνία CTE (4.3×10−6/K) ️ Ελαχιστοποιεί το άγχος σε 1,500 °C+ επιταξιακή ανάπτυξη.
- Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (160 W/m·K)
✔ Συσκευές GaN-on-SiC
- Δεν μολύνει ∙ Δεν απελευθερώνει ιόντα μετάλλου σε σύγκριση με τα σκάφη γραφίτη.
3Παραγωγή φωτοβολταϊκών (ηλιακών κυψελών)
✔ PERC & TOPCon Ηλιακά κύτταρα
- Αντίσταση στη διάχυση POCl3 Αντιστέκεται σε περιβάλλοντα ντόπινγκ φωσφόρου.
- Μακρά διάρκεια ζωής ∙ 5-10 χρόνια έναντι 1-2 ετών για τα σκάφη με χαλαζία.
✔ Ηλιακή ηλιακή συσκευή λεπτής ταινίας (CIGS/CdTe)
- Αντίσταση στη διάβρωση ∆ Σταθερή στις διαδικασίες αποθέσεως H2Se, CdS.
4. LED & Οπτοηλεκτρονική
✔ Μίνι/Μικρο-LED Επιταξία
- Σχεδιασμός τρύπας ακριβείας. Κρατά εύθραυστες πλακέτες 2 ′′ 6 ′′ χωρίς θραύσματα στην άκρη.
- Συμφωνητικό με το καθαρό δωμάτιο ∙ Ακολουθεί τα πρότυπα σωματιδίων SEMI F57.
5Έρευνα & Ειδικές Εφαρμογές
✔ Σύνθεση υλικών υψηλής ταχύτητας
- Βοηθητικά συσσωρευτικά (π.χ. B4C, AlN)
- Κρυστάλλινη ανάπτυξη (π.χ. Al2O3, ZnSe) ∆εν αντιδρούν σε λιωμένα υλικά.
Γενικές ερωτήσεις
Ερώτηση 1:Ποια μεγέθη πλακών υποστηρίζονται;
Τυπικό: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12").
Q2: Ποιος είναι ο χρόνος προώθησης για προσαρμοσμένα σχέδια;
- Στα τυποποιημένα μοντέλα: 4-6 εβδομάδες.
- Πλήρως εξατομικευμένο: 8-12 εβδομάδες (ανάλογα με την πολυπλοκότητα).