Σίλικονκαρβίδιο (SiC) υψηλής καθαρότητας 99,9999% (6N) HPSI Τύπος 100μm Μέγεθος σωματιδίων SIC Κρυστάλλινη ανάπτυξη

Σίλικονκαρβίδιο (SiC) υψηλής καθαρότητας 99,9999% (6N) HPSI Τύπος 100μm Μέγεθος σωματιδίων SIC Κρυστάλλινη ανάπτυξη

Η σκόνη καρβιδίου του πυριτίου (SiC), ως βασικό υλικό για ημιαγωγούς τρίτης γενιάς, παρουσιάζει υψηλή θερμική αγωγιμότητα (490 W/m·K), ακραία σκληρότητα (Mohs 9,5) και ευρύ εύρος ζώνης (3,2 eV).Χρησιμοποιείται κυρίως για την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC, προετοιμασία υποστρώματος συσκευής ισχύος και συγκόλληση κεραμικής ύλης σε υψηλή θερμοκρασία. Με σύνθεση εξαιρετικά υψηλής καθαρότητας (≥ 99,9999%) και ακριβή ρύθμιση του μεγέθους των σωματιδίων (50 nm~200 μm),πληροί τις απαιτήσεις των φούρνων ανάπτυξης κρυστάλλων PVT και του εξοπλισμού επιταξίας CVD.

Χαρακτηριστικά

· Αγνότητα: έλεγχος των μεταλλικών προσμείξεων βαθμού 6N (99,9999%) για σκόνη SiC τύπου HPSI·
· Κρυστάλλινη μορφή: Ελεγχόμενοι πολυτύποι 4H/6H σε σκόνη HPSI SiC·
· Μέγεθος σωματιδίων: Ρυθμίσιμο 50 nm·200 μm (διανομή D50 ±5%) για υψηλής καθαρότητας ημιμονωτική σκόνη SiC·
· Ντόπινγκ: Προσαρμόσιμο ντόπινγκ τύπου N (αζώτου) ή τύπου P (αλουμινίου) σε σκόνη SiC βαθμού HPSI·

Εφαρμογές

·Κρυστάλλινη ανάπτυξη: μέθοδος PVT για μονοκρυστάλλους SiC 4/6 ιντσών

·Επιταξιακά υποστρώματα: Παρασκευή επιταξιακών πλάκων SiC για συσκευές ισχύος

·Κηραμική συγκόλληση: δομικά στοιχεία υψηλής θερμοκρασίας (κουρέατα/φυσίδες)

ZMSH SIC σκόνη προβολή

Η ZMSH, με εμπειρογνωμοσύνη στα υλικά SiC και μια εγκατάσταση παραγωγής εξοπλισμένη με φούρνους ανάπτυξης κρυστάλλων PVT, παρέχει ολοκληρωμένες λύσεις από σκόνες υψηλής καθαρότητας έως εξοπλισμό ανάπτυξης κρυστάλλων.Η καθαρότητα της σκόνης μας και η σταθερότητα του μεγέθους των σωματιδίων οδηγούν την βιομηχανία.