Αρχική Σελίδα Προϊόντα Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Κρυσταλλωμένη γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE GaN για τη συσκευή λέιζερ

Όλα τα Προϊόντα

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου (35)

Γκοφρέτα σαπφείρου (88)

Υπόστρωμα SIC (132)

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου (77)

Γκοφρέτα πυριτίου ολοκληρωμένου κυκλώματος (22)

Συνθετική ράβδος σαπφείρου (13)

Λιωμένο πιάτο χαλαζία (40)

Μέρη σαπφείρου (114)

Συνθετικός πολύτιμος λίθος (72)

Εξοπλισμός ημιαγωγών (55)

LiNbO3 γκοφρέτα (18)

GaAs γκοφρέτα (24)

Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου (34)

κεραμικό υπόστρωμα (25)

Περιτύλιγμα εργαστηρίων (31)

Είμαι Online Chat Now

Κρυσταλλωμένη γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE GaN για τη συσκευή λέιζερ

Μεγάλες Εικόνας : Κρυσταλλωμένη γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE GaN για τη συσκευή λέιζερ

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	ΚΙΝΑ
Μάρκα:	zmkj
Αριθμό μοντέλου:	GaN-2INCH

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	1PC
Τιμή:	by case
Συσκευασία λεπτομέρειες:	η ενιαία περίπτωση γκοφρετών σε 100 βαθμολογεί το καθαρίζοντας δωμάτιο
Χρόνος παράδοσης:	2-4weeks
Όροι πληρωμής:	L/C, T/T

Επικοινωνία

Λεπτομερής Περιγραφή Προϊόντος

Υλικό:	Ενιαίο κρύσταλλο GaN	Μέθοδος:	HVPE
Μέγεθος:	2inch	Πάχος:	330um
Βιομηχανία:	LD, που οδηγείται, συσκευή λέιζερ, ανιχνευτής,	Χρώμα:	Άσπρος
Συσκευασία:	ενιαία συσκευασία περίπτωσης κασετών γκοφρετών από τον κενό όρο
Επισημαίνω:	Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE , Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου GaN , Γκοφρέτα HVPE gan

2inch??????????? υποστρώματα GaN, γκοφρέτα GaN για το LD, ημιαγωγική γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου για οδηγημένος, πρότυπο GaN, υποστρώματα 10x10mm GaN, εγγενής γκοφρέτα GaN,

ΙΙΙ-νιτρίδιο (GaN, AlN, πανδοχείο)

Απαγορευμένη κάλυψη εύρους ζώνης (ελαφριές εκπομπή και απορρόφηση) η υπεριώδης ακτίνα, το ορατό φως και οι υπέρυθρες ακτίνες.

Κρυσταλλωμένη γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE GaN για τη συσκευή λέιζερ 0

Το GaN μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε πολλές περιοχές όπως η επίδειξη των οδηγήσεων, η υψηλής ενέργειας ανίχνευση και η απεικόνιση,

Επίδειξη προβολής λέιζερ, συσκευή δύναμης, κ.λπ.

Κρυσταλλωμένη γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE GaN για τη συσκευή λέιζερ 2

Προδιαγραφές:

Στοιχείο	GaN-FS-ν
Διαστάσεις	Ф 50.8mm ± 1mm
Πυκνότητα ατέλειας του Marco	Ένα επίπεδο	≤ 2 τ.εκ.
	Επίπεδο Β	> 2 τ.εκ.
Πάχος	300 ± 25 µm
Προσανατολισμός	Γ-άξονας (0001) ± 0.5°
Προσανατολισμός επίπεδος	(1-100) ± 0.5°, 16,0 ± 1.0mm
Δευτεροβάθμιος προσανατολισμός επίπεδος	(11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm
TTV (συνολική παραλλαγή πάχους)	≤15 µm
ΤΟΞΟ	≤20 µm
Τύπος διεξαγωγής	Ν-τύπος
Ειδική αντίσταση (300K)	< 0="">
Πυκνότητα εξάρθρωσης	Λιγότερο από τ.εκ. 5x106
Χρησιμοποιήσιμη επιφάνεια	> 90%
Στίλβωση	Μπροστινή επιφάνεια: RA < 0=""> Πίσω επιφάνεια: Λεπτό έδαφος
Συσκευασία	Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στα ενιαία εμπορευματοκιβώτια γκοφρετών, κάτω από μια ατμόσφαιρα αζώτου.

2. Το επιχειρηματικό όραμά μας

θα παράσχουμε υψηλό - υπόστρωμα ποιοτικού GaN και τεχνολογία εφαρμογής για τη βιομηχανία.

Υψηλός - η ποιότητα GaNmaterial είναι ο σταματώντας παράγοντας για την εφαρμογή ΙΙΙ-νιτριδίων, π.χ. μακράς διαρκείας και υψηλή σταθερότητα LDs, υψηλή δύναμη και υψηλές συσκευές μικροκυμάτων αξιοπιστίας, υψηλή φωτεινότητα και υψηλή αποδοτικότητα, οδηγήσεις εξοικονόμησης ενέργειας.

Κρυσταλλωμένη γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE GaN για τη συσκευή λέιζερ 3

- FAQ –
Q: Αυτό που μπορείτε να παρέχετε τις διοικητικές μέριμνες και το κόστος;
(1) δεχόμαστε DHL, τη Fedex, TNT, το UPS, το EMS, SF και το κ.λπ.
(2) εάν έχετε το σαφή αριθμό σας, είναι μεγάλος.
Εάν όχι, θα μπορούσαμε να σας βοηθήσουμε για να παραδώσουμε. Freight=USD25.0 (το πρώτο βάρος) + USD12.0/kg

Q: Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
(1) για τα τυποποιημένα προϊόντα όπως η γκοφρέτα 2inch 0.33mm.
Για τον κατάλογο: η παράδοση είναι 5 εργάσιμες ημέρες μετά από τη διαταγή.
Για τα προσαρμοσμένα προϊόντα: η παράδοση είναι 2 ή 3 workweeks μετά από τη διαταγή.

Q: Πώς να πληρώσει;
100%T/T, Paypal, δυτική ένωση, MoneyGram, ασφαλείς πληρωμή και εμπορική διαβεβαίωση.

Q: Ποιο είναι το MOQ;
(1) για τον κατάλογο, το MOQ είναι 1pcs.
(2) για τα προσαρμοσμένα προϊόντα, το MOQ είναι 5pcs-10pcs.
Εξαρτάται από την ποσότητα και τις τεχνικές.

Q: Έχετε την έκθεση επιθεώρησης για το υλικό;
Μπορούμε να παρέχουμε την έκθεση ROHS και να φθάσουμε στις εκθέσεις για τα προϊόντα μας.

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Wang

Τηλ.:: +8615801942596

Άλλα προϊόντα

γκοφρέτες gaN--Si gaN--SIC EPI 4Inch 6INCH για την εφαρμογή RF

Υλικά: υποστρώμα πυριτίου

πάχος της στρώσης epi: 2-7um

Υλικό: Βάλα νιτρικού γαλλίου

Παραδοσιακή παραγωγή με χρήση: Επεταξία μοριακής ακτίνας

EPI-ΓΚΟΦΡΈΤΕΣ gaN--Si 8INCH 12INCH 6INCH για την εφαρμογή των οδηγήσεων δύναμης RF

Καθαρότητα: 990,9%

Εφαρμογή: κράματα χαμηλής θερμοκρασίας

Οχι.: 247-129-0

Πρότυπο βαθμού: Βιομηχανική ποιότητα

10x10mm 10x15mm 001 Οξείδιο του γαλλίου υποστρώμα GaO Mg ντόπινγκ Ga2O3 Νιτρικό γαλλίου Wafer

Βιομηχανία: γκοφρέτα semicondutor για το LD ή οδηγημένος

Εφαρμογή: το υπόστρωμα ημιαγωγών, οδήγησε το τσιπ, οπτικό παράθυρο γυαλιού, υποστρώματα συσκευών

μέγεθος: Προσαρμοσμένο

Επιφάνεια: cmp/που χαράζεται

Υπόστρωμα N-GaAs VCSEL Epiwafer 6 ιντσών Gallium Arsenide Wafer 2 ιντσών < 100> < 110> Για οπτοηλεκτρονικές συσκευές

Υλικό: Αρσενικό γάλλιο

Μέγεθος: 2 ιντσών

Δάχος: 430um

προσανατολισμός: Επενδύσεις

Υπόστρωμα N-GaAs VCSEL epiwafer 6 ιντσών προσανατολισμός GaAs 100 111 μήκος κύματος 940nm για Gigabit Ethernet

Cavity mode Tolerance: Within3%

Τρόπος κοιλότητας Ομοιομορφία: <= 1%

Dopinglevel tolerance: Within ±30 %

Επίπεδο ντόπινγκ Ομοιότητα: <= 10%

Κρυσταλλωμένη γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE GaN για τη συσκευή λέιζερ

Κρυσταλλωμένη γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE GaN για τη συσκευή λέιζερ

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου HVPE

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου GaN

Γκοφρέτα HVPE gan

gan πρότυπο,

gan υπόστρωμα,

aln πρότυπο