Γκοφρέτα υποστρωμάτων HVPE GaN ή προτύπων EPI GaN για τις εφαρμογές RF

γκοφρέτα GaN νιτριδίων γαλλίου μεθόδου 2inch HVPE, ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN για το applicaion των οδηγήσεων, τσιπ GaN μεγέθους 10x10mm, γκοφρέτα HVPE GaN

Περίπου το χαρακτηριστικό γνώρισμα GaN εισάγει

Η αυξανόμενη ζήτηση για τις υψηλής θερμοκρασίας και υψηλών δύναμη-χειριμένος ικανότητες μεγάλης ταχύτητας, έχει κάνει τη βιομηχανία ημιαγωγών να ξανασκεφτεί την επιλογή των υλικών χρησιμοποιώ ως ημιαγωγοί. Για παράδειγμα,

καθώς οι διάφορες γρηγορότερες και μικρότερες συσκευές υπολογισμού προκύπτουν, η χρήση του πυριτίου το καθιστά δύσκολο να στηρίξει το νόμο Moore. Αλλά και την ηλεκτρονική δύναμης, έτσι σε GaN η γκοφρέτα ημιαγωγών αυξάνεται έξω για την ανάγκη.

Λόγω των μοναδικών χαρακτηριστικών του (υψηλή μέγιστη τρέχουσα, υψηλή τάση διακοπής, και υψηλή συχνότητα μετατροπής), το νιτρίδιο GaN γαλλίου είναι το μοναδικό υλικό της επιλογής για να λύσει τα ενεργειακά προβλήματα του μέλλοντος. Βασισμένα τα στο GaN συστήματα έχουν την αποδοτικότητα υψηλότερης ισχύος, μειώνοντας κατά συνέπεια τις απώλειες ισχύος, διακόπτης στην υψηλότερη συχνότητα, κατά συνέπεια μειώνοντας το μέγεθος και το βάρος.

Η τεχνολογία GaN χρησιμοποιείται στις πολυάριθμες υψηλής ισχύος εφαρμογές όπως οι βιομηχανικές, παροχές ηλεκτρικού ρεύματος καταναλωτών και κεντρικών υπολογιστών, ηλιακοί, αναστροφείς κίνησης εναλλασσόμενου ρεύματος και UPS, και υβριδικά και ηλεκτρικά αυτοκίνητα. Επιπλέον,

Το GaN είναι ιδανικά ταιριαγμένο για τις εφαρμογές RF όπως οι κυψελοειδείς σταθμοί βάσης, τα ραντάρ και η καλωδιακή τηλεόραση

υποδομή στους τομείς της δικτύωσης, αεροδιαστήματος και υπεράσπισης, χάρι στην υψηλή δύναμη διακοπής, το χαμηλού θορύβου αριθμό και την υψηλή γραμμικότητά του.

Εφαρμογές

Προδιαγραφές για το βαθμό των οδηγήσεων υποστρωμάτων GaN