Σιλικονικό Καρβίδιο Wafer 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Παραγωγή Dummy Grade Dia 4inch 6inch

Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy grade Dia 4inch 6inch

Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου 6H P-Type & 4H P-Type's περίληψη

Αυτή η μελέτη διερευνά τις ιδιότητες και τις εφαρμογές των πλακών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) σε πολυτύπους 6H και 4H P-Type, εστιάζοντας σε γκοφρέτες ποιότητας μηδενικής πυκνότητας μικροσωλήνων (Zero MPD) και εικονικής ποιότητας με διαμέτρους 4 ιντσών και 6- ίντσα. Οι γκοφρέτες SiC 6H και 4H P-Type διαθέτουν μοναδικές κρυσταλλικές δομές, που προσφέρουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα, μεγάλα διάκενα ζώνης και εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, τάσεις και ακτινοβολία. Αυτά τα χαρακτηριστικά τα καθιστούν ιδανικά για εφαρμογές υψηλής απόδοσης όπως ηλεκτρονικά ισχύος, συσκευές υψηλής συχνότητας και σκληρές περιβαλλοντικές συνθήκες. Η ιδιότητα Zero MPD των γκοφρετών βελτιώνει περαιτέρω την ποιότητά τους εξαλείφοντας τους μικροσωλήνες, γεγονός που βελτιώνει σημαντικά την αξιοπιστία και την απόδοση της συσκευής. Αυτό το έγγραφο περιγράφει λεπτομερώς τη διαδικασία κατασκευής, τα χαρακτηριστικά του υλικού και τις πιθανές περιπτώσεις χρήσης αυτών των πλακών SiC σε προηγμένα ηλεκτρονικά συστήματα, ιδιαίτερα για συσκευές ισχύος υψηλής απόδοσης, εξαρτήματα ραδιοσυχνοτήτων και άλλες βιομηχανικές εφαρμογές που απαιτούν στιβαρά υποστρώματα ημιαγωγών.

Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου 6H P-Type & 4H P-Type γράφημα δεδομένων

Προδιαγραφή υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου (SiC) διαμέτρου 4 ιντσών

等级Βαθμός			精选级 (Z 级) Μηδενική παραγωγή MPD Βαθμός (βαθμός Z)	工业级 (P 级) Τυπική Παραγωγή Βαθμός (P Grade)	测试级(D 级) Ψευδής βαθμός (Δ τάξη)
直径 Διάμετρος			99,5 mm~100,0 mm
厚度 Πάχος			350 μm ± 25 μm
晶片方向 Προσανατολισμός γκοφρέτας			Εκτός άξονα: 2,0°-4,0° προς [112(-)0] ± 0,5° για 4H/6H-P, Στον άξονα:〈111〉± 0,5° για 3C-N
微管密度 ※ Πυκνότητα μικροσωλήνων			0 cm-2
电 阻 率 ※ Αντίσταση	p-τύπου 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-τύπου 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
主定位边方向πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός		4Η/6Η-Ρ	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
主定位边长度 Πρωτεύον επίπεδο μήκος			32,5 mm ± 2,0 mm
次定位边长度 Δευτερεύον επίπεδο μήκος			18,0 mm ± 2,0 mm
次定位边方向 Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός			Πρόσοψη πυριτίου προς τα επάνω: 90° CW. από Prime flat ± 5,0°
边缘去除 Εξαίρεση άκρων			3 χλστ		6 χλστ
局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 LTV/TTV/Bow/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
表面粗糙度 ※ Τραχύτητα			Πολωνικά Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
边缘裂纹(强光灯观测) Ρωγμές άκρων από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Σωρευτικό μήκος ≤ 10 mm, μονό μήκος≤2 mm
六方空洞(强光灯测) ※ Hex Plates By High Intensity Light			Σωρευτική επιφάνεια ≤0,05%		Σωρευτική επιφάνεια ≤0,1%
多型(强光灯观测) ※ Πολυτυπικές περιοχές από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Σωρευτική περιοχή≤3%
目测包裹物(日光灯观测) Οπτικές συμπεριλήψεις άνθρακα			Σωρευτική επιφάνεια ≤0,05%		Σωρευτική περιοχή ≤3%
硅面划痕(强光灯观测) # Γρατσουνιές επιφανείας πυριτίου από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Σωρευτικό μήκος≤1×διάμετρος γκοφρέτας
崩边(强光灯观测) Edge Chips High By Intensity Light			Κανένα δεν επιτρέπεται ≥0,2 mm πλάτος και βάθος		Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα
硅面污染物(强光灯观测) Επιφανειακή μόλυνση από πυρίτιο από υψηλή ένταση			Κανένας
包装 Συσκευασία			Κασέτα πολλαπλών γκοφρετών ή δοχείο μονής γκοφρέτας

Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου 6H P-Type & 4H P-Type ιδιότητες

Οι ιδιότητες των πλακών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τόσο σε πολυτύπους 6Η όσο και σε πολυτύπους 4Η τύπου P, ειδικά με παραγωγή μηδενικής πυκνότητας μικροσωλήνων (Zero MPD) και ψευδείς ποιότητες, είναι οι εξής:

Κρυσταλλική Δομή:

6H-SiC: Εξαγωνική δομή με έξι διπλές στοιβάδες, που παρέχει χαμηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων αλλά υψηλότερη θερμική αγωγιμότητα.

4H-SiC: Εξαγωνική δομή με τέσσερις διπλές στοιβάδες, που προσφέρει υψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων και καλύτερη απόδοση σε συσκευές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.

Αγωγιμότητα τύπου P:

Και οι δύο γκοφρέτες είναι ντοπαρισμένες για να δημιουργήσουν αγωγιμότητα τύπου P (ακαθαρσίες δέκτη όπως βόριο ή αλουμίνιο), καθιστώντας τις ιδανικές για συσκευές ισχύος που απαιτούν τη ροή θετικών φορέων φορτίου (οπές).

Μηδενική πυκνότητα μικροσωλήνων (μηδέν MPD):

Αυτές οι γκοφρέτες παράγονται χωρίς μικροσωλήνες, οι οποίοι είναι ελαττώματα που μπορούν να αποδυναμώσουν την αξιοπιστία της συσκευής. Το Zero MPD βελτιώνει σημαντικά τη μηχανική αντοχή και την απόδοση των συσκευών ημιαγωγών.

Ευρύ Bandgap:

Και οι δύο πολυτύποι έχουν μεγάλα διάκενα ζώνης, με 4H-SiC στα 3,26 eV και 6H-SiC στα 3,0 eV, που επιτρέπουν τη λειτουργία σε υψηλές τάσεις και θερμοκρασίες.

Θερμική αγωγιμότητα:

Οι γκοφρέτες SiC διαθέτουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα, ζωτικής σημασίας για την αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας σε ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος.

Υψηλή Τάση Διάσπασης:

Και οι δύο γκοφρέτες SiC 6H και 4H έχουν ηλεκτρικά πεδία υψηλής διάσπασης, καθιστώντας τις κατάλληλες για εφαρμογές υψηλής τάσης.

Διάμετρος:

Οι γκοφρέτες είναι διαθέσιμες σε διαμέτρους 4 ιντσών και 6 ιντσών, υποστηρίζοντας διάφορα μεγέθη κατασκευής συσκευών και βιομηχανικά πρότυπα.

Αυτές οι ιδιότητες καθιστούν τις γκοφρέτες SiC 6H και 4H P-Type με Zero MPD απαραίτητες για ηλεκτρονικά υψηλής απόδοσης, συσκευές RF και εφαρμογές σε ακραία περιβάλλοντα.

Έκθεση Silicon Carbide Wafer 6H P-Type & 4H P-Type

Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου 6H P-Type & εφαρμογή 4H P-Type

Οι γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τύπου P 6H και 4H με μηδενική πυκνότητα μικροσωλήνων (Zero MPD) έχουν ποικίλες εφαρμογές λόγω των ανώτερων ηλεκτρικών, θερμικών και μηχανικών ιδιοτήτων τους. Οι βασικές εφαρμογές περιλαμβάνουν:

Ηλεκτρονικά Ισχύος:

Και οι δύο γκοφρέτες SiC 6H και 4H χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος όπως MOSFET, δίοδοι Schottky και θυρίστορ. Αυτές οι συσκευές είναι απαραίτητες για ηλεκτρικά οχήματα (EVs), συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας (ηλιακούς μετατροπείς, ανεμογεννήτριες) και βιομηχανικά συστήματα ισχύος λόγω της ικανότητάς τους να χειρίζονται υψηλές τάσεις, θερμοκρασίες και αποδόσεις.

Συσκευές Υψηλής Συχνότητας:

Το 4H-SiC, με την υψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων, είναι ιδιαίτερα κατάλληλο για συσκευές ραδιοσυχνοτήτων και μικροκυμάτων που χρησιμοποιούνται σε συστήματα ραντάρ, δορυφορικές επικοινωνίες και ασύρματη υποδομή. Αυτές οι συσκευές επωφελούνται από την ικανότητα του SiC να λειτουργεί σε υψηλές συχνότητες με χαμηλή απώλεια ενέργειας.

Αεροδιαστημική και Άμυνα:

Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα, η αντίσταση στην ακτινοβολία και το Zero MPD καθιστούν τις γκοφρέτες SiC ιδανικές για εφαρμογές αεροδιαστημικής και άμυνας, όπως ενισχυτές ισχύος, αισθητήρες και συστήματα επικοινωνίας που λειτουργούν σε ακραία περιβάλλοντα.

Ηλεκτρικά Οχήματα (EV):

Οι γκοφρέτες SiC είναι βασικά συστατικά των κινητήρων EV, συμπεριλαμβανομένων των φορτιστών και των μετατροπέων, βελτιώνοντας την ενεργειακή απόδοση, αυξάνοντας την αυτονομία και μειώνοντας την παραγωγή θερμότητας στα ηλεκτρικά αυτοκίνητα.

Ηλεκτρονικά Υψηλής Θερμοκρασίας:

Η ικανότητα των γκοφρετών SiC να αντέχουν σε υψηλές θερμοκρασίες χωρίς υποβάθμιση τις καθιστά ιδανικές για βιομηχανικό εξοπλισμό, εξερεύνηση πετρελαίου και φυσικού αερίου και συστήματα εξερεύνησης διαστήματος που πρέπει να λειτουργούν αξιόπιστα σε σκληρά θερμικά περιβάλλοντα.

Ανανεώσιμες Πηγές Ενέργειας:

Οι συσκευές ισχύος που βασίζονται σε SiC συμβάλλουν στην αύξηση της απόδοσης της μετατροπής ενέργειας σε συστήματα ηλιακής και αιολικής ενέργειας ελαχιστοποιώντας τις απώλειες ενέργειας και επιτρέποντας τη λειτουργία σε υψηλές τάσεις και θερμοκρασίες.

Ιατρικές συσκευές:

Οι γκοφρέτες SiC χρησιμοποιούνται επίσης σε προηγμένες ιατρικές τεχνολογίες, συμπεριλαμβανομένου εξοπλισμού ιατρικής απεικόνισης υψηλής ισχύος και συσκευών που απαιτούν ανθεκτικά υλικά υψηλής απόδοσης.

Αυτές οι εφαρμογές αξιοποιούν την υψηλή απόδοση, την αξιοπιστία και την ικανότητα των γκοφρετών να λειτουργούν σε ακραίες συνθήκες, καθιστώντας τις γκοφρέτες 6H και 4H P-Type SiC απαραίτητες στην τεχνολογία αιχμής.

Q&A

Ε:Ποιοι είναι οι διαφορετικοί τύποι καρβιδίου του πυριτίου;

ΕΝΑ: Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) υπάρχει σε πολλούς πολυτύπους, οι οποίοι είναι διαφορετικές κρυσταλλικές δομές που έχουν ως αποτέλεσμα ποικίλες φυσικές και ηλεκτρονικές ιδιότητες. Οι πιο συνηθισμένοι τύποι καρβιδίου του πυριτίου περιλαμβάνουν:

4H-SiC (εξαγωνικό):

Δομή: Εξαγωνική κρυσταλλική δομή με επαναλαμβανόμενη ακολουθία τεσσάρων στρωμάτων.

Σκηνικά θέατρου: Ευρύ διάκενο ζώνης (3,26 eV), υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων και ηλεκτρικό πεδίο υψηλής διάσπασης.

Εφαρμογές: Προτιμάται για εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας, όπως ηλεκτρονικά ισχύος, ηλεκτρικά οχήματα και συσκευές ραδιοσυχνοτήτων λόγω της εξαιρετικής ηλεκτρικής του απόδοσης.

6H-SiC (εξαγωνικό):

Δομή: Εξαγωνική κρυσταλλική δομή με επαναλαμβανόμενη ακολουθία έξι στρωμάτων.

Σκηνικά θέατρου: Ελαφρώς χαμηλότερο διάκενο ζώνης (3,0 eV) και χαμηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων σε σύγκριση με το 4H-SiC, αλλά εξακολουθεί να προσφέρει υψηλή θερμική αγωγιμότητα και αντίσταση υψηλής τάσης.

Εφαρμογές: Χρησιμοποιείται σε ηλεκτρονικά ισχύος, μεταγωγή υψηλής τάσης και συσκευές που απαιτούν υψηλή θερμική σταθερότητα.

3C-SiC (Κυβικά):

Δομή: Κυβική κρυσταλλική δομή, γνωστή και ως βήτα-SiC.

Σκηνικά θέατρου: Έχει μικρότερο διάκενο ζώνης (2,3 eV) και παρουσιάζει υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων αλλά είναι λιγότερο θερμικά σταθερό από τις εξαγωνικές μορφές.

Εφαρμογές: Χρησιμοποιείται συνήθως σε οπτοηλεκτρονικές συσκευές, αισθητήρες και μικροηλεκτρομηχανικά συστήματα (MEMS). Μπορεί να καλλιεργηθεί σε υποστρώματα πυριτίου, καθιστώντας το πιο συμβατό με την υπάρχουσα τεχνολογία πυριτίου.

15R-SiC (Ρομβοεδρικό):

Δομή: Ρομβοεδρική κρυσταλλική δομή με επαναλαμβανόμενη ακολουθία 15 στρωμάτων.

Σκηνικά θέατρου: Έχει ενδιάμεσο διάκενο ζώνης (2,86 eV) και κινητικότητα ηλεκτρονίων μεταξύ 4H και 6H-SiC αλλά χρησιμοποιείται λιγότερο συχνά.

Εφαρμογές: Χρησιμοποιείται σπάνια σε εμπορικές εφαρμογές λόγω περιορισμένης διαθεσιμότητας και λιγότερο ευνοϊκών ιδιοτήτων σε σύγκριση με τους πολυτύπους 4Η και 6Η.

Άλλοι πολυτύποι (π.χ. 2H-SiC, 8H-SiC, 27R-SiC):

Υπάρχουν πάνω από 200 γνωστοί πολυτύποι SiC, αλλά αυτοί είναι λιγότερο συνηθισμένοι και δεν χρησιμοποιούνται ευρέως σε εμπορικές εφαρμογές. Έχουν μοναδικές αλληλουχίες στοίβαξης και παραλλαγές στις ηλεκτρονικές και θερμικές τους ιδιότητες.

Βασικές Διαφορές:

• Οι κύριες διαφορές μεταξύ αυτών των τύπων έγκεινται στην αλληλουχία στοίβαξης, στην ενέργεια διάκενου ζώνης, στην κινητικότητα των ηλεκτρονίων και στην καταλληλότητά τους για διαφορετικές εφαρμογές. Οι πιο σημαντικοί εμπορικά τύποι είναι τα 4H-SiC και 6H-SiC λόγω των ανώτερων ηλεκτρικών τους ιδιοτήτων, της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας και της ικανότητάς τους να λειτουργούν σε περιβάλλοντα υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας.

Αυτοί οι διαφορετικοί πολυτύποι καθιστούν το καρβίδιο του πυριτίου ένα ευέλικτο υλικό για διάφορες ηλεκτρονικές και βιομηχανικές εφαρμογές υψηλής απόδοσης.